华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 +|6 u
0&R^
G\/7V L
第一篇MOS 逻辑集成电路 M:cW/&ZJ
on)$y&lu
MOS晶体管工作原理
$-"V
2
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 f~v@;/HL
+~!\;71:f
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 G*W54[
`xie/
1.3 MOS晶体管的电流方程 EbMG9
I9g!#lbl
1.4 MOS瞬态特性 CINC1Ll_24
>SaT?k1E
MOS器件按比例缩小
Vc?=cQ'c
2.1 按比例缩小理论 3FE=?Q
prCr"y` M
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 -/gAb<=
vz}_^8O
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 Nk@a g)
uM74X^U
2.4 VLSI发展的实际限制 rLJjK$_x
\p{$9e;8yT
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 o.x<h";
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 CvB)+>oa
oV=~Q#v
3.2 CMOS IC 工艺流程 O YayTKxN
mYw9lM
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 3{R7y
>TB Rp,;r
CMOS反相器和CMOS传输门 e'L$g-;>4b
4.1 CMOS反相器的直流特性 ddG5g
5.X`[/]<r
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 !Ng~;2GoA
v+qHH8
4.3 CMOS 反相器的功能 $zYo~5M?i-
D?6ah=:&R
4.4 CMOS反相器设计 ]] Jg%}o
gRQV)8uh
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较
~N=$%C
a?5R;I B
4.6 CMOS传输门 n1
kh8,
0DgEOW9H
CMOS静态逻辑电路设计 H;=++Dh
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 FNB4YZ6
G@I/Dy
5.2 CMOS与非门的分析 SXx;-Ws
`(6g87h
5.3 CMOS或非门的分析 0
$_0T
R#w9%+
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 q>H f2R
"5@k\?x"
5.5 组合逻辑电路的设计 W\l"_^d*
Mw9;O6
5.6 类NMOS电路 g W(7jFl
(TQhO$,
5.7 传输们逻辑电路 )mvD2]fK
<oP"kh<D4
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 Wp0L!X=0
R}VEq gq
动态和时序逻辑电路设计 *&A/0]w
6.1 动态逻辑电路的特点 ^ua8Ya
"FfIq;
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 6l|,J
`
G
i$bHet
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 \yNe5
k5ZkD+0Jo
6.4 时钟CMOS(C2MOS) P6
& _q
=SqI#v
6.5 无竞争(NORA)动态CMOS电路 UI}df<Ge
Jx(`.*$
6.6 CMOS触发器 eTrIN,4
c2iPm9"eh
6.7 时序逻辑电路 ;DXcEzV
Fs|aH-9\
输入、输出缓冲器 @4%a
7.1 输入缓冲器 \gE6KE<?p
JDA :)[;
7.2 输入保护电路 WP b4L9<
tF@hH}{;
7.3 输出缓冲器 !f^'-
$Z8=QlG>
7.4 脱片输出驱动级的设计 .tny"a&
E)h&<{%
7.5 三态输出和双向缓冲器 8ezdU"
F7r!zKXZ
MOS存储器 P$=BmBq18`
8.1 DRAM lNw8eT~2
2V*<HlqOif
8.2 SRAM `J(im
j$TTLFK1
8.3 ROM和PLD HpD<NVu
",hPy[k
MOS IC的版图设计 b?~%u+'3
9.1 VLSI的设计方法 }{(dG7G+
YgN:$+g5
9.2 门阵列和标准单元设计方法 #J,?oe=<4
S3G9/
9.3 版图设计 D V
g2&%bNQ-5
SOICMOS简介
z!<X{&
e
10.1 SOI CMOS工艺 %}nNwuJ
VT;
Vm
3\
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 ?Bdhn{_
/g_cz&luR
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 ^4\hZ
$@[`v0y*
BiCMOS电路 '>wr_
f
11.1 MOS和双极型器件性能比较
!\Dl
X|
fnwhkL#8
11.2 BiCMOS工艺和器件结构 ;9+[t8Y)D
!m*
YPY31
11.3 BiCMOS逻辑门的设计 *XlbD
?51Y&gOEZ
11.4 BiCMOS和CMOS电路性能的比较 'nrXRDb
AO R{Xm
11.5 BiCMOS电路实例 k`5jy~;
1^x"P #u
MOS 逻辑集成电路(续) R-~ZvVw7L
nMOS逻辑集成电路 bK\Mn95]
6-1 电阻负载MOS倒相器 Hz*5ZIw
V+A9.KoI
6-2 E/E MOS 倒相器 nD8 Qeem@
lhx"<kR4
6-3 自举负载MOS 倒相器 1kd\Fq^z$
E=H>|FgS
6-4 E/D MOS 倒相器
&zxqVI$4
&y7<h>z
6-5 静态MOS电路 mM[!g'*
V>$A\AWw
CMOS集成电路 }f~:>N#
7-1 CMOS 倒相器 %`M IGi#
9_h
V1:
7-2 CMOS传输门 _+OnH!G0
zeHf(N
7-3 静态CMOS 电路 tRl01&0S
isG8S(}IW&
7-4 CMOS 门电路的设计 t-;zgW5mwF
R/_bk7o]H
7-5 CMOS电路中的锁定效应 :
aIS>6
i-<1M|f
动态和准静态MOS电路 j$<sq
8-1 栅电容的电荷存储效应 M_OvIU(E
?ufX3yia
8-2 动态MOS倒相器 ef Moi 'v
O<RLw)nzg
8-3 动态MOS电路 ]T?Py)
A
=PJg!
8-4 准静态MOS触发器 ma gZmY~
7 K5D,"D;1
8-5 动态和准静态CMOS电路 Qf>$'C(7!a
j&
H4L
MOS集成电路的版图设计 N4xCZb
9-1 MOS集成电路的工艺设计 h:4Uv}Z
&(Yv&jX
9-2 MOS集成电路版图设计 Fad.
!%[
Q|6lp
9-3 MOS集成电路版图设计举例 w
YEkWB^
4X1!t
MOS大规模集成电路 ld7B!_b<
10-1 LSI电路中的CAD技术 Qvx[F:#Tk
)Z"
10-2 HMOS技术 xpU7ZY
YAc~,N
10-3 MOS存储器 L,+m5wKj[
w Avnj
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 Fmd^9K
5fT"`FL?
10-5 半定制逻辑电路 2LTMt?
,bGYixIfYZ
模拟集成电路 }t
FRl
模拟集成电路中的特殊元件 c{,VU.5/
11-1 横向pnp管 v]?zG&Jh
h3`\L4b
11-2 纵向pnp管 v\3
\n3[u
'
O+)[D
11-3 超增益晶体管 (X3}&aLF
? koIZ
11-4 隐埋齐纳二极管 I"hlLP
`
:Bm@eN
11-5 集成电路中的电容器 us7t>EMmB
!j8
DCVb
11-6 薄膜电阻器
`Q!#v{
xo.k:F
模拟集成电路中的基本单元电路 2e<u/M21>
12-1 差分放大器 N87)rhXSo,
U(rY,4'
12-2 恒流源电路和有源负载 lvd`_+P$
"2=v:\~=
12-3 基准源电路 8:sQB%BB
X? l5}
12-4 模拟开关 3Ow bU
n|N?[)^k
集成运算放大器 !Pc&Sg
13-1 运算放大器的基本概念 F^Y%Q(Dd7w
eD,'M
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 <5]ufv
Aryp!oW
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 ;W?mQUo:P8
Ial"nV0>0
13-4 µA741通用型运算放大器 sP~;i qk
H#/Hs#
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 ~Z:)Y*
zhgvqg-
模拟集成电 E"zC6iYZ;
14-1 集成电压 "DC L
Z
5q;c=oRUj
14-2 D/A转换器 ^jE8
"G*
3jx /1VV
14-3 A/D转换器 7DPxz'7):
/d*[za'0
14-4 MOS模拟集成电路 GDQQ4-|O
Gzc`5n{"
模拟集成电路的版图设计 UB,0c)
15-1 模拟集成电路版图设计特点 sLd%m+*p
}z F,dst
15-2 模拟集成电路中的相容技术 (
TJGJY
NXMZTZpB7
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 8[H bg
c"diNbm[
2004.7.7