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主题 : 华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计
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楼主  发表于: 2008-01-23   

华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计

华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 OSh'b$Z  
&pv* TL8  
第一篇MOS 逻辑集成电路 4~vn%O6n  
?|Wxqo  
MOS晶体管工作原理 A=D G+z''  
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 +R 8dy  
+ =U9<8  
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 W:8{}Iu<  
--vJR/-  
1.3 MOS晶体管的电流方程 {3Dm/u%=9|  
90=gP  
1.4 MOS瞬态特性 T.WN9= N  
K@"B^f0mU  
MOS器件按比例缩小 a\p`J9Z@  
2.1 按比例缩小理论 H.t fn>N|  
!H9zd\wc  
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 ,K.Wni#m  
:vFY qoCn  
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 @G|z _  
\`*]}48Z  
2.4 VLSI发展的实际限制 , LqfwA|  
'SWK{t \4  
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 wZj`V_3  
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 Q 9<i2H  
Bv 7os3xb  
3.2 CMOS IC 工艺流程 ^jk-GRD*  
Ma ]*Pled  
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 i06|P I  
78IY&q:v&0  
CMOS反相器和CMOS传输门 t YhNr  
4.1 CMOS反相器的直流特性 xr^fP~V|)0  
%(r.`I$  
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 A%EGu4  
UrdSo"%  
4.3 CMOS 反相器的功能 suN}6C I  
VE^IA\J x  
4.4 CMOS反相器设计 NLev(B:OQH  
6 _#CvQ  
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 uA\KbA.c;U  
ql_,U8Jw  
4.6 CMOS传输门 $KsB'BZy  
Lv-M.  
CMOS静态逻辑电路设计 jq(rnbV  
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 io7Zv*&T0  
'.XR,\g>  
5.2 CMOS与非门的分析 @-O%u* %J  
HQc^ybX5  
5.3 CMOS或非门的分析 %eJE@$  
Rab7Y,AA  
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 3Io7!:+  
:MF+`RpL  
5.5 组合逻辑电路的设计 PC& (1kJ  
j"vL$h  
5.6 类NMOS电路 _Hv@bIL'  
PLK;y  
5.7 传输们逻辑电路 (5)DQ 1LaF  
vk3C&!M<a  
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 F>aaUj   
w[/m:R?eX  
动态和时序逻辑电路设计 _[y<u})  
6.1 动态逻辑电路的特点 d-B,)$zE  
AL[,&_&uV  
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 B{7hRk.5!  
*;~i\M9_  
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 #M[%JTTn  
G]gc*\4  
6.4 时钟CMOS(C2MOS) dU|&- .rG  
]U.*KkQ  
6.5 无竞争(NORA)动态CMOS电路 ' -rRD\"q  
eJ60@ N\A  
6.6 CMOS触发器 MJy(B><  
A_I\6&b4  
6.7 时序逻辑电路 }} zY]A  
B[ r04YGh  
输入、输出缓冲器 F;Bq[V)R  
7.1 输入缓冲器 i: VMC NH  
=$\9t$A  
7.2 输入保护电路 :[ll$5E.  
.c\iKc#  
7.3 输出缓冲器 (vwKC D&  
8l >Xbz  
7.4 脱片输出驱动级的设计 |L(h+/>aWX  
*JiI>[  
7.5 三态输出和双向缓冲器 uevhW  
\?"kT}..  
MOS存储器 f<3lxu  
8.1 DRAM &|fWtl;43  
!M j28  
8.2 SRAM h.5KzC S  
"$A5:1;  
8.3 ROM和PLD R#HX}[Hb  
=&WH9IKz  
MOS IC的版图设计 G@scz!Nt  
9.1 VLSI的设计方法 wnHfjF  
a.fdCI]%  
9.2 门阵列和标准单元设计方法 mi@ni+2Tn  
T%SK";PAU$  
9.3 版图设计 -v$ q8_$m"  
1Hs'YzvY  
SOICMOS简介 +IG=|X  
10.1 SOI CMOS工艺 gB]jLe  
q$'[&&_  
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 ;3+_aoY  
gpogv -  
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 "b\@.7".  
yacN=]SW5  
BiCMOS电路 X~Hm.qIR  
11.1 MOS和双极型器件性能比较 SZ~lCdWad  
-x-EU#.G  
11.2   BiCMOS工艺和器件结构 2Mj_wc   
%]N|?9L"=  
11.3   BiCMOS逻辑门的设计 m+xub*/  
JthU' "K  
11.4   BiCMOS和CMOS电路性能的比较 >.-4CJ])d  
\s7/`  
11.5   BiCMOS电路实例 &FWz7O>1  
WG +]  
MOS 逻辑集成电路(续) #x \YA#~  
nMOS逻辑集成电路 M,<UnAVP-  
6-1 电阻负载MOS倒相器 uzIM?.H  
$3*y)Ny^  
6-2 E/E MOS 倒相器 IUz`\BO4  
HQMug  
6-3 自举负载MOS 倒相器 8Z3:jSgk  
@T J  
6-4 E/D MOS 倒相器 l[[^]__  
m@2=v q1f  
6-5 静态MOS电路 M5 ^qc  
`cPZsL  
CMOS集成电路 MeV*]*   
7-1 CMOS 倒相器 =,8nfJ+x  
?} lqu7S  
7-2 CMOS传输门 9+ |W;  
Y(gai?  
7-3 静态CMOS 电路 w+a5/i@  
b*ja,I4  
7-4 CMOS 门电路的设计 taMcm}*T1  
NMUF)ksjN  
7-5 CMOS电路中的锁定效应 JL>DRIR%NV  
=sF4H_B  
动态和准静态MOS电路 .9?GKD  
8-1 栅电容的电荷存储效应 ]dgi]R|`  
'S*]JZ1  
8-2 动态MOS倒相器 kSEgq<i!  
iJ @p:  
8-3 动态MOS电路 e wWw  
F{rC{5@fj  
8-4 准静态MOS触发器 T(Bcp^N  
T#i~/  
8-5 动态和准静态CMOS电路 i0*Cs#(=h  
 ?@kz`BY  
MOS集成电路的版图设计 xM@s`s|n  
9-1 MOS集成电路的工艺设计 +SW|/oIU  
%@|)&][hO  
9-2 MOS集成电路版图设计 @Ae&1O;Z h  
EBiLe;=X  
9-3 MOS集成电路版图设计举例 O+/{[9s  
gZBKe!@a|  
MOS大规模集成电路 ?GqH/ (O  
10-1 LSI电路中的CAD技术 QpRk5NeLe  
?%#no{9  
10-2 HMOS技术 R %q:].  
jbUg?4k!  
10-3 MOS存储器 hpYv*WH:  
X*w;6 V  
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 #2$wI^O  
4'`H H  
10-5 半定制逻辑电路 L3'isaz&^  
;PnN$g]Q  
模拟集成电路 f`_{SU"3  
模拟集成电路中的特殊元件 l*huKSX}  
11-1 横向pnp管 [>\e@ =  
3x 7fa^umR  
11-2 纵向pnp管 9a_UxF+6/  
^)a:D KL  
11-3 超增益晶体管 )?$@cvf  
cLvnLaA}  
11-4 隐埋齐纳二极管 G2 V$8lh  
-AU'1iRcK7  
11-5 集成电路中的电容器 [*I7^h%  
m-+>h:1b|9  
11-6 薄膜电阻器 o|c&$)m  
nh80"Ny5  
模拟集成电路中的基本单元电路 e'c3.sQ|?  
12-1 差分放大器 ;l<Hen*  
#3eI4KJ4+l  
12-2 恒流源电路和有源负载 6}0_o[23  
+2}Ar<el P  
12-3 基准源电路 |9Yx`_DF  
K K]R@{ r  
12-4 模拟开关 6W3."};  
k6GQH@y!  
集成运算放大器 Ux{QYjF E  
13-1 运算放大器的基本概念 RBg2iG$ 8|  
c,ct=m.|6A  
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 'J!Gip ,  
gp~-n7'~O  
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 b"`fS`@/MW  
H4{7,n  
13-4 µA741通用型运算放大器 DYC2bs>  
gbh/ `  
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 3,{;wJ Z  
";jAHGbO  
模拟集成电 {ehYE^%N  
14-1 集成电压 Qy=tkCN  
:B|rs&  
14-2 D/A转换器  2t  
.>PwbZ  
14-3 A/D转换器 A)d0Z6G`  
k<f0mo xs'  
14-4 MOS模拟集成电路 [xDIK8d:I  
#^ .G^d(=  
模拟集成电路的版图设计 -GQ.B{%G  
15-1 模拟集成电路版图设计特点 VeQ [A?pER  
20`XklV  
15-2 模拟集成电路中的相容技术 73tjDO7d  
6O 2sa-{d  
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 ,5K&f\  
T:CWxusL  
2004.7.7
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沙发  发表于: 2010-01-01   
真不如有真题呀,
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