华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 0-9&d(L1g
+*dJddz
第一篇MOS 逻辑集成电路 T2dpn%I
z 4-wvn<*
MOS晶体管工作原理 tL~|/C)d R
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 y+PukHY
4aRYz\yT=
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 zehF/HBzE
cZYX[.oIB
1.3 MOS晶体管的电流方程 C {))T5G
k"Is.[I?^
1.4 MOS瞬态特性 gUMUh]j
m0 P5a%D
MOS器件按比例缩小 >C i=H(8vN
2.1 按比例缩小理论 S8y4 p0mV
T:ck/:ZH
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 Ort\J~O
A!J5Wz>Q5
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 )Q8Q#S
Z-Uq89[HZ
2.4 VLSI发展的实际限制 exhF5,AW|K
+k>v^sz
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 N
8OPeY
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 +)|2$$m
;f><;X~KX
3.2 CMOS IC 工艺流程 ;V;4#
1$|z%(
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 1>2397
iTX.?*
CMOS反相器和CMOS传输门 8P*n|]B.'
4.1 CMOS反相器的直流特性 cO8;2u,Gvi
U*b SM8)L*
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 3.jwOFH$
Nwc(<
4.3 CMOS 反相器的功能 =19]a
d0xV<{,-
4.4 CMOS反相器设计 $xl*P#
;A C] *
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 lA1R$
+vuW9
4.6 CMOS传输门 ;?cUF78#
*rb
ayH
CMOS静态逻辑电路设计 N
@VD-}E
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 -LY_7Kg
Vs"Z9p$U
5.2 CMOS与非门的分析 *iR`mZb
6nDx;x&Q
5.3 CMOS或非门的分析 YK- R|z6K
*qqFIp^
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 +VeLd+Q}
qm '$R3g
5.5 组合逻辑电路的设计 2H /a&uo@n
nMnc&8r
5.6 类NMOS电路 sPw(+m*C
eyM3W}[S$/
5.7 传输们逻辑电路 UWnH2
<Du*Re6g
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 {/Cd ^CK
3_-#
动态和时序逻辑电路设计 .3!4@l\9C
6.1 动态逻辑电路的特点 &yN<@.
W6PGv1iaW>
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 @X#m]ou
Xu$*ZJ5w
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 ^>"?!lv
o#Y1Uamkf
6.4 时钟CMOS(C2MOS)
Bb o*
,>^~u
6.5 无竞争(NORA)动态CMOS电路 B8&@Qc@~
zM'-2,
6.6 CMOS触发器
c[I,Sveq
..t=Y#
6.7 时序逻辑电路 Gl:ASPZ6
{)y4Qp
输入、输出缓冲器 +R_U
7.1 输入缓冲器 /[s$A?
)\(pDn$W
7.2 输入保护电路 twn@~$
*}J_STM
7.3 输出缓冲器 %9lxE[/
SS`C0&I@p
7.4 脱片输出驱动级的设计 wB^a1=C
V*aTDU%-.
7.5 三态输出和双向缓冲器 NO$Nl/XM
0#JBz\
MOS存储器 NSq"\A\
8.1 DRAM =N
c`hP
JF
gN
8.2 SRAM tTgW^&B
H/$q]i*#K
8.3 ROM和PLD <Va>5R_d<
C#Jj;Gd
MOS IC的版图设计 DFonK{
9.1 VLSI的设计方法 UL%ihWq
`2P
T 8UM
9.2 门阵列和标准单元设计方法 EMG*8HRI>r
R 6Em^A/>
9.3 版图设计 Xhi?b
|
'_)tR;s
SOICMOS简介 &UR/Txnu
10.1 SOI CMOS工艺 .Q@"];wH
gwJu&HA/
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 rRYf.~UH@P
1tdCzbEn+
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 4&D="GA
<Tf;p8#
BiCMOS电路 L ]c9
11.1 MOS和双极型器件性能比较 yxbTcZ
@g
~sgE}#
11.2 BiCMOS工艺和器件结构 =L%3q <]p
gN~y6c:N
11.3 BiCMOS逻辑门的设计 Phu|
hx<
K5&C}Ey1
11.4 BiCMOS和CMOS电路性能的比较 HU9y{H
h>0<@UP
11.5 BiCMOS电路实例 J-F_XKqH
)
AXH^&
MOS 逻辑集成电路(续) ~b0qrjF;O
nMOS逻辑集成电路 &,]+>
6-1 电阻负载MOS倒相器 #Ca's'j&f
<t% A)L%
6-2 E/E MOS 倒相器 T0%TeFY
mcr#Ze
6-3 自举负载MOS 倒相器 RI3{>|*
shIi,!bZ
6-4 E/D MOS 倒相器
/
LM
f*{;\n(.t
6-5 静态MOS电路 K"j=
_%{
M l?)Sc"\7
CMOS集成电路 /? 1Yf
7-1 CMOS 倒相器 Gj`Y2X2r
OB^?cA>
7-2 CMOS传输门 FNCLGAiZ
h\*rv5\M
7-3 静态CMOS 电路 (!5}" fj
OKP_3Ns
7-4 CMOS 门电路的设计 N 3p 7 0
#r)1<}_e#
7-5 CMOS电路中的锁定效应 &d3 '{~:
np\2sa`
动态和准静态MOS电路 wx%nTf/Oa
8-1 栅电容的电荷存储效应 m:fouMS
tr9Y1vxo{
8-2 动态MOS倒相器 G4%M$LJh
m4U+,|Fa
8-3 动态MOS电路 R|J>8AL}BY
*r,&@UB
8-4 准静态MOS触发器 eOPCYyN
,x"yZ
8-5 动态和准静态CMOS电路 dF11Rj,~ 8
|5B,cB_
MOS集成电路的版图设计 4B8S e
9-1 MOS集成电路的工艺设计 ]VG84bFm
Ms'TC;&PS
9-2 MOS集成电路版图设计 M|5]#2J_2
vgA!?P3
9-3 MOS集成电路版图设计举例 %f_OP$;fc
"ex~LB
MOS大规模集成电路 *J
Y`.t
10-1 LSI电路中的CAD技术 Hdbnb[e
9p\Hx#^
10-2 HMOS技术 F'>GN}n
T5dUJR2k$
10-3 MOS存储器 =
SK+\j$
]Z$TzT&@%
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 o(d_uJOB
4)odFq:
10-5 半定制逻辑电路 p17|ld`
IglJEH[+
模拟集成电路 &J;H@d||
模拟集成电路中的特殊元件 Ck3QrfM
11-1 横向pnp管 (o*e<y,}W
e>,9]{N+$
11-2 纵向pnp管 iFnOl*TC
;h,R?mU
11-3 超增益晶体管 8!uL-_ Bn
$(KIB
82&
11-4 隐埋齐纳二极管 j(Fa=pi
)RA\kZ "
11-5 集成电路中的电容器 i?a,^UM5n[
oN[Fz a>
11-6 薄膜电阻器 462!;/y
=`]|/<=9'U
模拟集成电路中的基本单元电路 Dm|gSv8d,
12-1 差分放大器 `jb0+{08
Avs7(-L+s
12-2 恒流源电路和有源负载 P1)* q0
wGOMUWAt
12-3 基准源电路 670J{b
OH$F >wO
12-4 模拟开关 I" 8d5a}
Y]+e
Df
集成运算放大器 ER~T'-YMS
13-1 运算放大器的基本概念 DL'd&;6
i(M(OR/4
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 ?G4
iOiyt
]PR|d\O
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 0M#N=%31
=w',-+@
13-4 µA741通用型运算放大器 V~'k1P4
b(q$j/~ zb
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 NniX/fk
<KHv|)ak
模拟集成电 qxf+#
14-1 集成电压 ~8jThi
U
DgDSVFk
~
14-2 D/A转换器 .HyjL5r-
R&NpdW N
14-3 A/D转换器 fzLANya
-,R0IGS
14-4 MOS模拟集成电路
AGh~8[
d>^~9X
模拟集成电路的版图设计 hX0RET
15-1 模拟集成电路版图设计特点 2#'rk'X,K
jZa25Z00
15-2 模拟集成电路中的相容技术 B1y<.1k
`ajx hp
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 jVX._bEGX
L5R `w&Up
2004.7.7