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主题 : 华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计
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楼主  发表于: 2008-01-23   

华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计

华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 +|6 u 0&R^  
G\/7V L  
第一篇MOS 逻辑集成电路 M:cW/&ZJ  
on)$y&lu  
MOS晶体管工作原理 $-"V 2  
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 f~v@;/HL  
+~!\;71:f  
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 G*W54[  
`xie/  
1.3 MOS晶体管的电流方程 EbMG9  
I9g!#lbl  
1.4 MOS瞬态特性 CINC1Ll_24  
>SaT?k1E  
MOS器件按比例缩小 Vc?=cQ'c  
2.1 按比例缩小理论 3FE=?Q  
prCr"y` M  
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 -/gAb<=  
vz}_^8O  
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 Nk@ag)  
uM74X^U  
2.4 VLSI发展的实际限制 rLJjK$_x  
\p{$9e;8yT  
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 o.x<h";  
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 CvB)+>oa  
oV=~ Q#v  
3.2 CMOS IC 工艺流程 OYayTKxN  
mYw9lM  
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 3{R7y  
>TB Rp,;r  
CMOS反相器和CMOS传输门 e'L$g-;>4b  
4.1 CMOS反相器的直流特性 ddG5g  
5.X`[/]<r  
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 !Ng~;2GoA  
 v+qHH8  
4.3 CMOS 反相器的功能 $zYo~5M?i-  
D?6ah=:&R  
4.4 CMOS反相器设计 ]] Jg%}o  
gRQV)8uh  
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较  ~N=$%C  
a?5R ;I B  
4.6 CMOS传输门 n1 kh8,  
0DgEOW9H  
CMOS静态逻辑电路设计 H;=++Dh  
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 FNB4YZ6  
G@I/Dy  
5.2 CMOS与非门的分析 SXx;- Ws  
`(6g87h  
5.3 CMOS或非门的分析 0 $_0T  
R#w9%+  
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 q>H f2R  
"5@k\?x"  
5.5 组合逻辑电路的设计 W\l"_^d*  
Mw9;O6  
5.6 类NMOS电路 gW(7jFl  
(TQhO$,  
5.7 传输们逻辑电路 )mvD2]fK  
<oP"kh<D4  
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 Wp0L!X=0  
R}VEq gq  
动态和时序逻辑电路设计 *&A/0]w  
6.1 动态逻辑电路的特点 ^ua8Ya  
"FfIq;  
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 6l|,J ` G  
i$b Het  
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 \yNe5  
k5ZkD+0Jo  
6.4 时钟CMOS(C2MOS) P6 & _q  
=SqI# v  
6.5 无竞争(NORA)动态CMOS电路 UI}df<Ge  
Jx(`.*$  
6.6 CMOS触发器 eTrIN,4  
c2iPm9"eh  
6.7 时序逻辑电路 ;DXcEzV  
Fs|aH-9\  
输入、输出缓冲器 @ 4%a   
7.1 输入缓冲器 \gE6KE<?p  
JDA:)[;  
7.2 输入保护电路 WP b4L9<  
tF@hH}{;  
7.3 输出缓冲器 !f^'-  
$Z8=QlG>  
7.4 脱片输出驱动级的设计 .tny"a&  
E)h&<{%  
7.5 三态输出和双向缓冲器 8ezdU"  
F7r!zKXZ  
MOS存储器 P$=BmBq18`  
8.1 DRAM lNw8eT~2  
2V*<HlqOif  
8.2 SRAM `J(im  
j$TTLFK1  
8.3 ROM和PLD HpD<NVu  
",hPy[k  
MOS IC的版图设计 b?~%u+'3  
9.1 VLSI的设计方法 }{(dG7G+  
YgN:$+g5  
9.2 门阵列和标准单元设计方法 #J,?oe=<4  
S3G9/  
9.3 版图设计 D V  
g2&%bNQ-5  
SOICMOS简介 z!<X{& e  
10.1 SOI CMOS工艺 %}nNwuJ  
VT; Vm 3\  
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 ?Bdhn{_  
/g_cz&luR  
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 ^4\h Z  
$@[`v0y*  
BiCMOS电路 '>wr _ f  
11.1 MOS和双极型器件性能比较 !\Dl X |  
fnwhkL#8  
11.2   BiCMOS工艺和器件结构 ;9+[t8Y)D  
!m* YPY31  
11.3   BiCMOS逻辑门的设计  *XlbD  
?51Y&gOEZ  
11.4   BiCMOS和CMOS电路性能的比较 'nrX RDb  
AO R{Xm  
11.5   BiCMOS电路实例 k`5jy~;  
1^x "P#u  
MOS 逻辑集成电路(续) R-~ZvVw7L  
nMOS逻辑集成电路 bK\Mn95]  
6-1 电阻负载MOS倒相器 Hz*5ZIw  
V+A9.KoI  
6-2 E/E MOS 倒相器 nD8 Qeem@  
lhx"<kR 4  
6-3 自举负载MOS 倒相器 1kd\Fq^z$  
E=H>|FgS  
6-4 E/D MOS 倒相器 &zxqVI$4  
&y7<h>z  
6-5 静态MOS电路 mM[!g'*  
V>$A\AWw  
CMOS集成电路 }f~:>N#  
7-1 CMOS 倒相器 %`M IGi#  
9_h  V1:  
7-2 CMOS传输门 _+OnH!G0  
zeHf(N  
7-3 静态CMOS 电路 tRl01&0S  
isG8S(}IW&  
7-4 CMOS 门电路的设计 t-;zgW5mwF  
R/_bk7o]H  
7-5 CMOS电路中的锁定效应 : aIS>6  
i-<1M|f  
动态和准静态MOS电路 j$<sq  
8-1 栅电容的电荷存储效应 M_OvIU(E  
?ufX3yia  
8-2 动态MOS倒相器 ef Moi'v  
O<RLw)nzg  
8-3 动态MOS电路 ]T?Py)  
A =PJg!  
8-4 准静态MOS触发器 ma gZmY~  
7K5D,"D;1  
8-5 动态和准静态CMOS电路 Qf>$'C(7!a  
j& H4L  
MOS集成电路的版图设计 N4xC Zb  
9-1 MOS集成电路的工艺设计 h:4Uv}Z  
&(Yv&j X  
9-2 MOS集成电路版图设计 Fad. !%[  
Q| 6lp  
9-3 MOS集成电路版图设计举例 w YEkWB^  
4X1!t   
MOS大规模集成电路 ld7B!_b<  
10-1 LSI电路中的CAD技术 Qvx[F:#Tk  
)Z"  
10-2 HMOS技术 xpU7ZY  
YAc~,N   
10-3 MOS存储器 L,+m5wKj[  
wAvnj  
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 Fmd^9K  
5fT"`FL?  
10-5 半定制逻辑电路 2LTMt?  
,bGYixIfYZ  
模拟集成电路 }t FRl  
模拟集成电路中的特殊元件 c{,VU.5/  
11-1 横向pnp管 v] ?zG&Jh  
h 3`\L4b  
11-2 纵向pnp管 v\3 \n3[u  
' O+)[D  
11-3 超增益晶体管 (X3}&aLF  
? koIZ  
11-4 隐埋齐纳二极管 I" hlLP  
` :Bm@eN  
11-5 集成电路中的电容器 us7t>EMmB  
!j8 DCVb  
11-6 薄膜电阻器 `Q!#v{  
xo.k:F  
模拟集成电路中的基本单元电路 2e<u/M21>  
12-1 差分放大器 N87)rhXSo,  
U(rY,4'  
12-2 恒流源电路和有源负载 lvd `_+P$  
"2=v:\~=  
12-3 基准源电路 8:sQB% BB  
 X? l5}  
12-4 模拟开关 3Ow bU  
n|N?[)^k  
集成运算放大器 !Pc&Sg  
13-1 运算放大器的基本概念 F^Y%Q(Dd7w  
eD,'M  
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 <5]ufv  
Aryp!oW  
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 ;W?mQUo:P8  
Ial"nV0>0  
13-4 µA741通用型运算放大器 sP~;i qk  
H#/Hs#  
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 ~Z:)Y*  
zhgvqg-  
模拟集成电 E"zC6iYZ;  
14-1 集成电压 "DC L Z  
5q;c=oRUj  
14-2 D/A转换器 ^jE8 "G*  
3jx/1VV  
14-3 A/D转换器 7DPxz'7):  
/d*[za'0  
14-4 MOS模拟集成电路 GDQQ4-|O  
Gzc`5n{"  
模拟集成电路的版图设计 UB,0c)   
15-1 模拟集成电路版图设计特点 sLd%m+*p  
}z F,dst  
15-2 模拟集成电路中的相容技术 ( TJGJY  
NXMZTZpB7  
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 8[H bg  
c"diNbm[  
2004.7.7
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沙发  发表于: 2010-01-01   
真不如有真题呀,
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