华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 b4ONh%
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第一篇MOS 逻辑集成电路 }YNR"X9*)/
pF Rg?-
MOS晶体管工作原理 | Aw%zw1@
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 }$Tl ?BRpU
\EtQ5T*u
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 ^y1j.M@q
#& Rw&
1.3 MOS晶体管的电流方程 c~uKsU
|O9O )o
1.4 MOS瞬态特性 Zk"eA'"\
?>rW>U6:P
MOS器件按比例缩小 /+;h)3PN6
2.1 按比例缩小理论 QYjsDL><
R$TB1w9]
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 HxK80mJ
giIWGa.a+
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 P5n
O78
g/+C@_&m
2.4 VLSI发展的实际限制 Q
qvihd
=&2Lb
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 A?%H=>v$
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 cy3B({PLy
FUjl8b-|
3.2 CMOS IC 工艺流程 G) 7;;
/bi[e9R
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 L=8<B=QT$
X{'q24\F
CMOS反相器和CMOS传输门 K4;'/cS
4.1 CMOS反相器的直流特性 -Sx\Xi"<o=
m~u5kbHOi=
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 MIoEauf
fhp<oe>D
4.3 CMOS 反相器的功能 "a1n_>#Fb
H_ox_
u}
4.4 CMOS反相器设计 }mdAM6
I'iGt~4$
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 ;z:UN}
;u(<h?%e
4.6 CMOS传输门 D-(w_$#
$UCAhG$
CMOS静态逻辑电路设计 Mt5PaTjj
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 *2Ht&
\z7SkZt,GT
5.2 CMOS与非门的分析 #w-xBM
@
2e9es
5.3 CMOS或非门的分析 GBFtr
Zx bq
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 H&
Ca`B
3*)i
g@e6
5.5 组合逻辑电路的设计 ehG/zVgn
/&{$ pM|?
5.6 类NMOS电路 pV,P|>YTf
hQH nwr
5.7 传输们逻辑电路 .]7Qu;L
? Cg>h
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 {=-\|(Bx
/E5 5Pec
动态和时序逻辑电路设计 )V:]g\t
6.1 动态逻辑电路的特点 g9WGkHF
mL`5 uf
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 B0!"A
[.*;6y3
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 0`A~HH}
@b~fIW_3>
6.4 时钟CMOS(C2MOS) ,b;{emX h
,qrQ"r9
6.5 无竞争(NORA)动态CMOS电路 SdwS= (e6
?9=9C"&s
6.6 CMOS触发器 fH?ha
-"[<ek
6.7 时序逻辑电路 IMl!,(6;
F0UVo
输入、输出缓冲器 gxMfu?zk"
7.1 输入缓冲器 t/PlcV_M"
d/e|'MPX
7.2 输入保护电路 Pv+5K*"7Cg
zb
Z4|_
7.3 输出缓冲器 A
&9(mB
.ol'.t,S
7.4 脱片输出驱动级的设计 n%\
/J
Ky
O8A2'U
7.5 三态输出和双向缓冲器 b4""|P?L
^+9sG$T_EV
MOS存储器 `3'0I /d"z
8.1 DRAM EK$Kee}~
`K
>?ju"
8.2 SRAM aRJ>6Q}
q(5+xSg"gK
8.3 ROM和PLD
leiW4Fj
[|3>MZ2/
MOS IC的版图设计 (?b@b[D~4
9.1 VLSI的设计方法 }Y17*zp%
z>[tF5
9.2 门阵列和标准单元设计方法 ;!T{%-tP
2qO3XI
9.3 版图设计 :9|W#d{o
Bz`yfl2
SOICMOS简介 do
^RF<G
10.1 SOI CMOS工艺 NS,5/t
Y3ZK%OyPR
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 7a$G@
swc@34ei\
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 3v!~ cC~cI
:Ld!mRZF
BiCMOS电路 www`=)A;
11.1 MOS和双极型器件性能比较 U~2`P
w h$jr{
11.2 BiCMOS工艺和器件结构 Kt.~aaG_
XDD<oo
11.3 BiCMOS逻辑门的设计 )J3kxmlzQ
6bZ[Kt
11.4 BiCMOS和CMOS电路性能的比较 cub<G!K
`$z)$VuP
11.5 BiCMOS电路实例 \`xkp[C
! ]Mc4!E
MOS 逻辑集成电路(续) " B@jfa%
nMOS逻辑集成电路 xUYo
w
6-1 电阻负载MOS倒相器 u=qPzmywt
)8{6+{5lu
6-2 E/E MOS 倒相器 rvwy
~hO"
i.rU&yT%
6-3 自举负载MOS 倒相器 8t.dPy<
qvLDfN
6-4 E/D MOS 倒相器 '0+$ m=
Z-|li}lDr
6-5 静态MOS电路 $ehg@WK}.
"~p+0Xws9
CMOS集成电路 B[xR-6phW
7-1 CMOS 倒相器 R.7#zhC`4
(Imp
$
7-2 CMOS传输门 D&[Z;,CHMA
P&t;WPZ
7-3 静态CMOS 电路 2X@G"
\mXqak,y
7-4 CMOS 门电路的设计 d~[UXQC
0MpS4tW0=
7-5 CMOS电路中的锁定效应 ]A!.9Ko}u
+?e}<#vd'?
动态和准静态MOS电路 `Ei"_W
8-1 栅电容的电荷存储效应 KF{a$d
A!;meVUs
8-2 动态MOS倒相器 >}F? <JB
YZ[%uArm
8-3 动态MOS电路 YY!!<2_
h3h8lt_|
8-4 准静态MOS触发器 4!2SS
*tAqt2{48
8-5 动态和准静态CMOS电路 &PWf:y{R`
)_O.{$
to
MOS集成电路的版图设计 Ai jUs*n 2
9-1 MOS集成电路的工艺设计 n1)'cS5}
dP3VJ3+
%
9-2 MOS集成电路版图设计 0|Q.U
{Pvr??"r
9-3 MOS集成电路版图设计举例 Nz @8
x9\J1\
MOS大规模集成电路 <tQXK;
10-1 LSI电路中的CAD技术 1Q_ ``.M
ZE ^u .>5
10-2 HMOS技术 9rWLE6`
d5q4'6o,
10-3 MOS存储器 _6J<YQK
_"v~"k 90^
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 5EfY9}dl
1YFAr}M
10-5 半定制逻辑电路 gx#J%k,f
Bx%=EN5.
模拟集成电路 2:n|x5\H
模拟集成电路中的特殊元件 eFes+i( 35
11-1 横向pnp管 YN`UTi\s
*\C}Ok=
11-2 纵向pnp管 s/\XH&KR3V
4=UI3 2v3
11-3 超增益晶体管 <xC:Ant
dY
6B%V
11-4 隐埋齐纳二极管 e=-YP8l
)ZviS.
11-5 集成电路中的电容器 .k
p$oAL
V_ {vZ/0e
11-6 薄膜电阻器 kaV%0Of]
THb A(SM
模拟集成电路中的基本单元电路 A"`L~|&
12-1 差分放大器 'wegipK~R
Bfu/9ad
12-2 恒流源电路和有源负载 s}Xi2^x
@ 8A{ 9i
12-3 基准源电路 g2!0vB>
cvn-*Sj
12-4 模拟开关 Cb+P7[X-
UU*0dSWr
集成运算放大器 t- !h
X/
13-1 运算放大器的基本概念 iJ5e1R8tN
x|&[hFXD
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 wEZqkV
_a?wf!4>P
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 Oz_b3r
7)g;Wd+H
13-4 µA741通用型运算放大器 K'>P!R:El
dOYlI`4
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 `[w}hFl~q
l6r%nHP@
模拟集成电 H&"_}
14-1 集成电压 OJh+[bf"
5%vP~vy_}
14-2 D/A转换器 BA`kxL/x
"j*fVn
14-3 A/D转换器 Yb,G^+;
Yj|c+&Ng
14-4 MOS模拟集成电路 &utS\-;G
A- <.#
模拟集成电路的版图设计 /3xFd)|Ds
15-1 模拟集成电路版图设计特点 C.B8 J"T-
$i5G7b
15-2 模拟集成电路中的相容技术 +btP]?04
;h*"E(Pp
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 IJL^dXCu
\`p |,j
2004.7.7