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主题 : 华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计
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楼主  发表于: 2008-01-23   

华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计

华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 b4ONh%  
ndz]cx  
第一篇MOS 逻辑集成电路 }YNR"X9*)/  
pF Rg?-  
MOS晶体管工作原理 | Aw%zw1@  
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 }$Tl ?BRpU  
\EtQ5T*u  
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 ^y1j.M@q  
#& Rw&  
1.3 MOS晶体管的电流方程 c~uKsU  
|O9 O )o  
1.4 MOS瞬态特性 Zk"eA'"\  
?>rW>U6:P  
MOS器件按比例缩小 /+;h)3PN6  
2.1 按比例缩小理论 QYjsDL><  
R$TB1w9]  
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 HxK80mJ  
giIWGa.a+  
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 P5n O78  
g/+C@_&m  
2.4 VLSI发展的实际限制 Q qvihd  
=&2 Lb  
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 A?%H=>v$  
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 cy3B({PLy  
FUjl8b-|  
3.2 CMOS IC 工艺流程 G) 7;;  
/bi[ e9R  
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 L=8<B=QT$  
X{'q24\F  
CMOS反相器和CMOS传输门 K4;'/cS  
4.1 CMOS反相器的直流特性 -Sx\Xi"<o=  
m~u5kbHOi=  
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 MIoEauf  
fhp<oe>D  
4.3 CMOS 反相器的功能 "a1n_>#Fb  
H_ox_ u}  
4.4 CMOS反相器设计 }mdAM6  
I'iGt~4$  
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 ;z:UN}  
;u(<h?%e  
4.6 CMOS传输门 D-(w_$#  
$UCAhG$  
CMOS静态逻辑电路设计 Mt5PaTjj  
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 *2Ht &  
\z7SkZt,GT  
5.2 CMOS与非门的分析 #w-xBM @  
2e9es  
5.3 CMOS或非门的分析 GBFtr   
Zx  bq  
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 H& Ca`B  
3*)i g@e6  
5.5 组合逻辑电路的设计 ehG/zVgn  
/&{$ pM|?  
5.6 类NMOS电路 pV,P|>YTf  
hQHnwr  
5.7 传输们逻辑电路 .]7Qu;L  
?Cg>h  
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 {=-\|(Bx  
/E5 5Pec  
动态和时序逻辑电路设计 )V:]g\t  
6.1 动态逻辑电路的特点 g9WGkH F  
mL`5u f  
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 B0!"A  
[.*;6y3  
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 0`A~HH}  
@b~fIW_3>  
6.4 时钟CMOS(C2MOS) ,b;{emX h  
,qrQ"r9  
6.5 无竞争(NORA)动态CMOS电路 SdwS= (e6  
?9=9C"&s  
6.6 CMOS触发器 fH ?ha  
-"[<ek  
6.7 时序逻辑电路 IMl!,(6;  
F0UVo  
输入、输出缓冲器 gxMfu?zk"  
7.1 输入缓冲器 t/PlcV_M"  
d/e|'MPX  
7.2 输入保护电路 Pv+5K*"7Cg  
zb Z4|_  
7.3 输出缓冲器 A &9(mB  
.ol'.t ,S  
7.4 脱片输出驱动级的设计 n%\ /J  
Ky O8A2'U  
7.5 三态输出和双向缓冲器 b4""|P?L  
^+9sG$T_EV  
MOS存储器 `3'0I/d"z  
8.1 DRAM EK$Kee}~  
`K >?ju"  
8.2 SRAM aRJ>6Q}  
q(5+xSg"gK  
8.3 ROM和PLD leiW4Fj  
[|3>MZ2/  
MOS IC的版图设计 (?b@b[D~4  
9.1 VLSI的设计方法 }Y17*zp%  
z>[tF5  
9.2 门阵列和标准单元设计方法 ;!T{%-tP  
2 qO3XI  
9.3 版图设计 :9|W#d{o  
Bz`yfl2  
SOICMOS简介 do ^RF<G  
10.1 SOI CMOS工艺 NS,5/t  
Y3ZK%OyPR  
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 7a$ G@  
swc@34ei\  
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 3v!~cC~cI  
:Ld!mRZF  
BiCMOS电路 www`=)A;  
11.1 MOS和双极型器件性能比较 U~2`P  
w h$jr{  
11.2   BiCMOS工艺和器件结构 Kt.~aaG_  
XDD<oo  
11.3   BiCMOS逻辑门的设计 )J3kxmlzQ  
6b Z[Kt  
11.4   BiCMOS和CMOS电路性能的比较 cub <G!K  
`$z)$VuP  
11.5   BiCMOS电路实例  \`xkp[C  
! ]Mc4!E  
MOS 逻辑集成电路(续) " B@jfa%  
nMOS逻辑集成电路 xUYo w  
6-1 电阻负载MOS倒相器 u=qPzmywt  
)8{6+{5lu  
6-2 E/E MOS 倒相器 rvwy ~hO"  
i.rU&yT%  
6-3 自举负载MOS 倒相器 8t .dPy<  
qvLDfN  
6-4 E/D MOS 倒相器 '0+$ m=   
Z-|li}lDr  
6-5 静态MOS电路 $ehg@WK}.  
"~p+0Xws9  
CMOS集成电路 B[xR-6phW  
7-1 CMOS 倒相器 R.7#zhC`4  
(Imp $  
7-2 CMOS传输门 D&[Z;,CHMA  
P&t;WPZ  
7-3 静态CMOS 电路 2X @G"  
\mXqak,y  
7-4 CMOS 门电路的设计 d~[UXQC  
0MpS4tW0=  
7-5 CMOS电路中的锁定效应 ]A!.9Ko}u  
+?e}<#vd'?  
动态和准静态MOS电路 `Ei"_W  
8-1 栅电容的电荷存储效应 KF{a$d  
A! ;meVUs  
8-2 动态MOS倒相器 >}F?<JB  
YZ[%uArm  
8-3 动态MOS电路 YY!!<2_  
h3h8lt_ |  
8-4 准静态MOS触发器 4!2SS  
*tAqt2{48  
8-5 动态和准静态CMOS电路 &PWf:y{R`  
)_O.{$ to  
MOS集成电路的版图设计 AijUs*n 2  
9-1 MOS集成电路的工艺设计 n1)'cS5}  
dP3VJ3+ %  
9-2 MOS集成电路版图设计 0|Q.U   
{Pvr??"r  
9-3 MOS集成电路版图设计举例 Nz @8  
x9\J1\  
MOS大规模集成电路 <tQXK;  
10-1 LSI电路中的CAD技术 1Q_ ``.M  
ZE ^u.>5  
10-2 HMOS技术 9rWLE6 `  
d5q4'6o,  
10-3 MOS存储器 _6J<YQK  
_"v~"k 90^  
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 5EfY9}dl  
1YFAr}M  
10-5 半定制逻辑电路 gx#J%k,f  
Bx%=EN5.  
模拟集成电路 2:n|x5\H  
模拟集成电路中的特殊元件 eFes+i(35  
11-1 横向pnp管 YN`UTi\s  
*\C}Ok=  
11-2 纵向pnp管 s/\XH&KR3V  
4=UI3 2v3  
11-3 超增益晶体管 <xC: Ant  
dY 6B%V  
11-4 隐埋齐纳二极管 e=-YP8l  
)ZviS.  
11-5 集成电路中的电容器 .k p $oAL  
V_{vZ/0e  
11-6 薄膜电阻器 kaV%0Of]  
THb A(SM  
模拟集成电路中的基本单元电路 A"`L~|&  
12-1 差分放大器 'wegipK~R  
Bfu/9ad  
12-2 恒流源电路和有源负载 s }Xi2^x  
@ 8A{ 9i  
12-3 基准源电路 g2!0vB>  
cvn-*Sj  
12-4 模拟开关 Cb+P7[X-  
UU*0dSWr  
集成运算放大器 t- !h X/  
13-1 运算放大器的基本概念 iJ5e1R8tN  
x|&[hFXD  
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 wEZqkV  
_a?wf!4>P  
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 Oz_b3r  
7)g;Wd+H  
13-4 µA741通用型运算放大器 K'>P!R:El  
dO Y lI`4  
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 `[w}hFl~q  
l6r%nHP@  
模拟集成电 H&"_}  
14-1 集成电压 OJh+[bf"  
5%vP~vy_}  
14-2 D/A转换器 BA`kxL/x  
"j *fVn  
14-3 A/D转换器 Yb,G^+;  
Yj|c+&Ng  
14-4 MOS模拟集成电路 &utS\-;G  
A- <.#  
模拟集成电路的版图设计 /3xFd)|Ds  
15-1 模拟集成电路版图设计特点 C.B8 J"T-  
$i5G7b  
15-2 模拟集成电路中的相容技术 +btP]?04  
;h*"E(P p  
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 IJL^dXCu  
\`p|,j  
2004.7.7
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沙发  发表于: 2010-01-01   
真不如有真题呀,
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