中科院物理考博-2006固体物理试题

中国科学院物理研究所 3aFD*S  
2006年招收博士研究生入学考试试题 [#2X  
考试科目：固体物理 tJpK/"R'  
1.填空题 Q+dLWFI  
①．NaCl 石墨 铜 钠 其中一个的点群与其它不同是 eV\VR !!i  
②.在低温，金刚石比热与温度的关系是 Sz>Lbs  
③.高压晶体体积变小，能带宽度会 Svm'ds7>  
④.石墨中原子之间通过 键结合成固体。  6Ok]E`  
2.推导bloch定理；写出理想情况下表面态的波函数的表达式，并说明各项的特点。 Z<`:xFy(  
3.推导出一维双原子的色散关系。 }r|$\ms  
4.在紧束缚近似条件下，求解周期势场中的波函数和能量本征值。 WNF#eM?[a  
5.某面心立方晶体，其点阵常数为a KVPWJHGr
 
①画出晶胞，（１，１，１），（２，２，０），（１，１，３）晶面； FvDi4[F#  
②计算三面的面间距； O|*-J  
③ 说明为什么（１，０，０）晶面衍射强度为零。
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6.　重费米系统、接触电势、安德森转变。 ]l6niYVB2  
７．为什么金属电子自由程是有限的但又远远大于原子间距？ rVB\\  
８．硅本征载流子浓度为９．６５×１０９ｃｍ－３，导带有效密度为２．８６×１０１９ｃｍ－３，若掺入每立方厘米１０１６的Ａｓ原子，计算载流子浓度。 ->2m/d4a  
９．磁畴 9/dADJe0b  
１０．原激发 !CR#Fyt+9  
１１．对理想金属可以认为其介电常数虚部为零。请以Ａｌ为例，给出理想金属对的反射率Ｒ随频率的变化（公式、频率值、示意图） )^m"fQ+  
１２．分析说明小角晶界的角度和位错的间距的关系，写出表达式。 lbMok/a2o  
１３．试通过数据说明，为什么处理硅、锗等半导体的可见光吸收时，采用垂直跃迁的近似是合理的。 =21m|8c  
１４．试根据超导Ｂ＝０，推导出超导临界温度和外加磁场的定性关系。 *@g>~q{`  
１５．论述固体内部的位错类型，并且画出示意图。