华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 El"XF?OgpP
Lc<Gn y^
第一篇MOS 逻辑集成电路 Ix 1ec^?f
"uZ'oN
MOS晶体管工作原理 M{O 2O(
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 '|WMt g
~j F5%Gu
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 p9l&K/
}o)GBWqHR
1.3 MOS晶体管的电流方程 #n~/~*:i92
.bL{fBTT~
1.4 MOS瞬态特性 V4V TP]'n
{y spNyOx
MOS器件按比例缩小 N;Hf7K
2.1 按比例缩小理论 *pI3"_
ly, d =
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 /xf %Rp4}
yVh]hL#4+w
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 \>,{)j q;
\Sm.]=b r
2.4 VLSI发展的实际限制 `[o^w(l:5@
A!iV iX &y
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 HESwz{eSS
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 wPqIy}-
)5yZSdA
3.2 CMOS IC 工艺流程 Gi;e Drgj~
4fpz;
2%
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 `<\AnhNW]I
q/%f2U%4:
CMOS反相器和CMOS传输门 9^Wj<
4.1 CMOS反相器的直流特性 M^g" U
`
UyK| KL
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 O o=} j
9>%f9 9n
4.3 CMOS 反相器的功能 Lxd* W2$3_
8$3 Tu "+;
4.4 CMOS反相器设计 C/
;f)k<
S ._9
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 !:e}d+F
X}Fc 0Oo
4.6 CMOS传输门 r6MQ|@
C Q3; NY=o
CMOS静态逻辑电路设计 4MIL# 1s
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点
/ r}t
-
n11L
5.2 CMOS与非门的分析 =%$ _)=}J
$ IB@|n
5.3 CMOS或非门的分析 O!/J2SfuDH
wf8vKl#Kfw
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 h}+,]^
^qV*W1|0
5.5 组合逻辑电路的设计 ("H:T?4Qs
P1z
6 sG G
5.6 类NMOS电路 Jq? ai8
rmWG9&coW
5.7 传输们逻辑电路 #4d 0/28b
%&e5i
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 0jj
}j
w
n g<|lsZd
动态和时序逻辑电路设计 S}*#$naK
6.1 动态逻辑电路的特点 8kO|t!?:U
tEf-BV;\y
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 ]iP TB
-,zNFC:6g
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 uXK $5"
%;n
y
6.4 时钟CMOS(C2MOS) bpKb<c
( 8H
"'
6.5 无竞争（NORA）动态CMOS电路 dR $@vDm
NhpGa@[D
6.6 CMOS触发器 &w LI:x5
p?6w/ n
6.7 时序逻辑电路 :5C9uW #
#[Ns\%Ri0
输入、输出缓冲器 Av+R~
&h
7.1 输入缓冲器 97<Y.
0
W)j/[
7.2 输入保护电路 DAc jx:~
|A0kbC.
7.3 输出缓冲器 okr'=iDg
//| 9J(B]
7.4 脱片输出驱动级的设计 \s+ <w3
9SMM%(3, r
7.5 三态输出和双向缓冲器 ><^A4s
]Alu~ Dw
MOS存储器 h*d&2>"0m?
8.1 DRAM [ ,G]#<G?q
H^'EY:|
8.2 SRAM fZ Xd<Fg+
N[r@Y{
8.3 ROM和PLD X @r5^A[9
r
py`Wz/[
MOS IC的版图设计 *
>Om3[D
9.1 VLSI的设计方法 Y$Os&t@bu
1!BV]&,[
9.2 门阵列和标准单元设计方法 zg|yW6l)9
$mp7IZE|
9.3 版图设计 0H;dA1
d p_J*8
SOICMOS简介 qdUlT*fw
10.1 SOI CMOS工艺 ^3AJYu
u4fTC})4{C
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 := *>:*.Kb
L
F{ qI?LG
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 ?MO'WB9+JR
1gH5#_ ?
BiCMOS电路 Gf]oRNP,N
11.1 MOS和双极型器件性能比较 $3"0w
t_P1a0Zu
11.2 BiCMOS工艺和器件结构 m0/ J3
y $\K@B4
11.3 BiCMOS逻辑门的设计 ^W #[6]S
x{Gih 1
11.4 BiCMOS和CMOS电路性能的比较 [o|]>(tk
0fNWI
11.5 BiCMOS电路实例 _H:SoJ'
d5sG t#
MOS 逻辑集成电路（续） \^':(Gu4o
nMOS逻辑集成电路 MS, H12h
6-1 电阻负载MOS倒相器 Rra(/j<rQ
4+l7v?:Pr
6-2 E/E MOS 倒相器 9DPf2`*$
ilFM+x @
6-3 自举负载MOS 倒相器 &Q
CqaJ-
w&f29#i;b
6-4 E/D MOS 倒相器 7e}p:Vf p
?e&CbVc4
6-5 静态MOS电路 0r+-}5aSl5
y0A2{'w
CMOS集成电路 7W}~c/ %
7-1 CMOS 倒相器 `.[hOQ7
]T
zN *6o
7-2 CMOS传输门 !j7b7<wR
ojyG|Y
7-3 静态CMOS 电路 R <J I
>@]E1Qfe
7-4 CMOS 门电路的设计 |bd 5aRS9
.@=d I
7-5 CMOS电路中的锁定效应 wl(}F^:/`
;&:UxmTf
动态和准静态MOS电路 QKHm OVh]
8-1 栅电容的电荷存储效应 X*FK6,Y|(
XV+BSW7}
8-2 动态MOS倒相器 B_}=v$
v
SWqOv$
8-3 动态MOS电路 ijoR(R^r
Snh\Fgdz
8-4 准静态MOS触发器 0} P&G^%"
LM*9b
8-5 动态和准静态CMOS电路 a?
+) K
E}" &? oY
MOS集成电路的版图设计 X }p4yR7'
9-1 MOS集成电路的工艺设计 &;%+Hduc
39 k
P)cD
9-2 MOS集成电路版图设计 $dwv1@M2
PT\5P&2o@
9-3 MOS集成电路版图设计举例 !4*@H
#2cH.`ty
MOS大规模集成电路 >n` OLHg;
10-1 LSI电路中的CAD技术 O`@$YXuD
!)LR41 >?
10-2 HMOS技术 -R&h?ec
%lV>Nc|iz=
10-3 MOS存储器 P *%bG 4
poXkH@[O
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 u 2Rmp4]
T-<^mX[}
10-5 半定制逻辑电路 L`"cu.l
w#JF7;
模拟集成电路 9&2kuLp?P
模拟集成电路中的特殊元件 z<AQ;b
11-1 横向pnp管 c4;
`3
wx57dm+
11-2 纵向pnp管 B}?/oZW 4
Mq*Sp
U R
11-3 超增益晶体管 <BO|.
(ys
w$& 10
11-4 隐埋齐纳二极管 :$9 4y{
bk>M4l61
11-5 集成电路中的电容器 moc_}(
bAW;2
NB
11-6 薄膜电阻器 ^&cI+xZ2Y
f|b|\/.=
模拟集成电路中的基本单元电路 63k8j[$
12-1 差分放大器 Y R A[qc
sN ;U,{
12-2 恒流源电路和有源负载 PHz/ ^p3F
=e ;\I/
12-3 基准源电路 jh=:Q P/
2 3>lE}^G
12-4 模拟开关 ]Mtb~^joG
0dnm/
'L
集成运算放大器 9 |OQHy
13-1 运算放大器的基本概念 ['sIR+c%'O
}~A-ELe:
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 n JLr]` _
2o/ AH \=2
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 a_pkUOu6
6?hv ,^
13-4 µA741通用型运算放大器 FiI N \
IO fo]p-
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 (s"_NU j6
0gt/JI($
模拟集成电 qk:F6kL\`
14-1 集成电压 wRLkO/Fw
Gb8LW,$IT-
14-2 D/A转换器 C \ }m_`MR
Ar>Om!]=v
14-3 A/D转换器 wd1*wt
&jg ,8
14-4 MOS模拟集成电路 /e\}
qq
b z<wihZj
模拟集成电路的版图设计 %P yU3
15-1 模拟集成电路版图设计特点 czedn_}%Q
hgsE"H<V
15-2 模拟集成电路中的相容技术 "\>
<UJ
[q_Yf!(m-
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 qQVqS7 t
u wf3
2004.7.7
