华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计

华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 7k#0EhN1>  
3 E!F8GZ  
第一篇MOS 逻辑集成电路 ?s9f}>  
_#6*C%ax  
MOS晶体管工作原理 
2;ac&j1  
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 _>Oc>.MB  
?l](RI   
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 &bCk`]j:  
+}^^]J$Nh  
1.3 MOS晶体管的电流方程 C=P}@|K  
?q}:ojrs1  
1.4 MOS瞬态特性 Z" dU$,n  
l#3jJn  
MOS器件按比例缩小 e+wIN
W  
2.1 按比例缩小理论 a} :2lL%  
pw=o
}-P{  
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 &*o{-kw  
LTnbBh*mc  
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 | =tGrHL  
m/ngPeZ  
2.4 VLSI发展的实际限制 3F{R$M}  
E#c9n%E\sz  
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 2:&QBwr+;  
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 He}"e&K  
.}i Re}=  
3.2 CMOS IC 工艺流程 :hDv^D?3  
]1|OQYG  
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 !.w|+-JKO  
,o [FUi(#@  
CMOS反相器和CMOS传输门 p}|<EL}Z9  
4.1 CMOS反相器的直流特性 82yfPQ&UI  
I\('b9"*  
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性  K,Hxe;-  
Xb1is\JB  
4.3 CMOS 反相器的功能 j`_tb
 
,A>cL#Oe  
4.4 CMOS反相器设计 kf_*=ER  
-z>m]YDH  
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 ~?KbpB|  
E4xybVo@  
4.6 CMOS传输门 /1?{,Das=  
xhncQhf\  
CMOS静态逻辑电路设计 J&;' gT  
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 1c:/c|shQ_  
|i - S}M  
5.2 CMOS与非门的分析 fP{IW`t}]  
$2$jV1s  
5.3 CMOS或非门的分析 L%/atl!  
CjLiLB  
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 ^aY,Wq  
 pwo @ S"  
5.5 组合逻辑电路的设计 p ?x]|`M  
hu:x,;`9H  
5.6 类NMOS电路 O,0j +1?  
#6nuiSF  
5.7 传输们逻辑电路 3q`Uq`t4mR  
?1Uq ud  
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 v|2+7N:[;  
M|qJZ#{4>  
动态和时序逻辑电路设计
&e5,\TQ  
6.1 动态逻辑电路的特点 DC*6=m_  
je=XZ's,i~  
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 KwhATYWQb  
1K[y)q  
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 ZnD(RM   
xWKUti i  
6.4 时钟CMOS(C2MOS) oNRp  
{-L}YX"Bh  
6.5 无竞争（NORA）动态CMOS电路 V
POp#;"%  
yz_xWx#9  
6.6 CMOS触发器  q #X[oVq  
Q=#!wW VP  
6.7 时序逻辑电路 z=DK(b;$z  
!-q)9K?  
输入、输出缓冲器 &F|Wk,y  
7.1 输入缓冲器 910N 1E  
. "`f~s\G  
7.2 输入保护电路 ;`FR1KIg  
K=!?gd!Vw  
7.3 输出缓冲器 ". wG~H  
9,0}}3J  
7.4 脱片输出驱动级的设计  qim|=  
lsB.>NlU  
7.5 三态输出和双向缓冲器 I7jIA>ZZi  
(.~'\@  
MOS存储器 c/`Rv{*'o  
8.1 DRAM {fu[&@XV  
"nC =.5/$  
8.2 SRAM _Uup*#m  
<`*v/D7\02  
8.3 ROM和PLD mJS-x-@  
%YI!{  
MOS IC的版图设计 u9%AK g}~  
9.1 VLSI的设计方法 scR+F'M  
N"/ be  
9.2 门阵列和标准单元设计方法 "gq_^&  
_<l9j;
6  
9.3 版图设计 ~Ec@hz]js  
Aq{7WA
  
SOICMOS简介 jp+#N pH  
10.1 SOI CMOS工艺 W^dRA xVX  
q'<K$4_,%  
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 &}vc^
io  
mS >I#?  
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 M@O<b-  
]e]hA@4  
BiCMOS电路 9Q*zf@w  
11.1 MOS和双极型器件性能比较 Lcy>!3q3~  
/R)(u@jk  
11.2   BiCMOS工艺和器件结构 9/LJtM  
J|[`8 *8  
11.3   BiCMOS逻辑门的设计 h_ J|uu  
J `{HMv  
11.4   BiCMOS和CMOS电路性能的比较 9A1w5|X  
%#b+ =J  
11.5   BiCMOS电路实例 MA5BTq<&  
6d|%8.q1  
MOS 逻辑集成电路（续） XW9 [VUW~  
nMOS逻辑集成电路 B=J/HiwV)  
6-1 电阻负载MOS倒相器 ^LJ
?GJ$g  
Z )dz  
6-2 E/E MOS 倒相器 'Z(4Wuwb  
BFyVq  
6-3 自举负载MOS 倒相器 >QM$ NIf@  
9b*1-1
"  
6-4 E/D MOS 倒相器 k,nRC~Irh  
# s'  
6-5 静态MOS电路 [{!5{k!  
/IN/SZx  
CMOS集成电路 ^zr]#`@G  
7-1 CMOS 倒相器 Q.G6y,KR  
_ s[v:c  
7-2 CMOS传输门 H:HJHd"W  
0jN?5j  
7-3 静态CMOS 电路 enGjom  
m*S[oy&  
7-4 CMOS 门电路的设计 "*E%?MG  
q={\|j$X  
7-5 CMOS电路中的锁定效应 *0`oFTJ  
Q0j$u[x6s  
动态和准静态MOS电路 G:2m)0bW  
8-1 栅电容的电荷存储效应 %CP:rAd`M.  
v*7lJNN.  
8-2 动态MOS倒相器 S:En9E  
@*gm\sU4  
8-3 动态MOS电路 nVC:5ie  
3S'j uHTe  
8-4 准静态MOS触发器 |&t 2jD(  
0/."R ;  
8-5 动态和准静态CMOS电路 8@|rB3J  
R;_U BQ)  
MOS集成电路的版图设计 t1)b26;  
9-1 MOS集成电路的工艺设计 u,e(5LU  
P/'~&*m-  
9-2 MOS集成电路版图设计 jy] hP?QG  
K`nI$l7hg  
9-3 MOS集成电路版图设计举例 6.Nu[-?  
*JX)q  
MOS大规模集成电路 -BNlZgk-^  
10-1 LSI电路中的CAD技术 Ok+zUA[Wu  
uw@z1'D[i"  
10-2 HMOS技术 pHFh7-vj  
7 N?x29  
10-3 MOS存储器 &t+  
u , %mVd  
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 &X +Qi  
"msCiqF{z  
10-5 半定制逻辑电路 h94SLj]  
2sjP"
:  
模拟集成电路 -&#L4AM%(9  
模拟集成电路中的特殊元件 SzR0Mu3uK  
11-1 横向pnp管 eB78z@  
sQ/7Mc  
11-2 纵向pnp管 }(AUe5aw`G  
O`O{n_o^u  
11-3 超增益晶体管 #D3e\(  
Jp .Sow  
11-4 隐埋齐纳二极管 a}a_&rf~Z  

 O+1e  
11-5 集成电路中的电容器 )#MKOsOct  
VuwBnQ.2k  
11-6 薄膜电阻器 PG9won5_  
j-ugsV`2=*  
模拟集成电路中的基本单元电路 S(5.y%"<  
12-1 差分放大器 6hYv  
fcb:LPk;  
12-2 恒流源电路和有源负载
Mk= tS+  
R! ?8F4G  
12-3 基准源电路 \~Zj](#  
BD,JBu]  
12-4 模拟开关 g?UG6mFbE  
'g#Ml`cm  
集成运算放大器 TQ" [2cY  
13-1 运算放大器的基本概念 "j3Yu4_ks  
kj
N9(&D  
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 *(L4
rK\2  
Mq42^m:qe  
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 5JDqS z{  
HGB96,o f9  
13-4 µA741通用型运算放大器 {O#=%o[  
mT5d[lz  
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 TF|GGYi  
G-Z_pGer^  
模拟集成电 >9F,=63A  
14-1 集成电压 Tx0/3^\>8A  
qD hz|a#   
14-2 D/A转换器 w48T?  
}0?642 =-  
14-3 A/D转换器 ;38DBo  
CCp{ZH s  
14-4 MOS模拟集成电路 ,y,NVF  
]0xbvJ8oK  
模拟集成电路的版图设计
w@X<</`  
15-1 模拟集成电路版图设计特点 aT(Pf7 O  
=iRc&  
15-2 模拟集成电路中的相容技术 ep3_G\m  
<'-}6f3  
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 hBz~FB];&  
c3P
 
2004.7.7

真不如有真题呀，