华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 "D4% A!i
y eIS} O
第一篇MOS 逻辑集成电路 %c]N-
Pq{p\Qkj
MOS晶体管工作原理
"u$XEA
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 aTH$+ f1?Q
x
bcmvJr G
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 \=|=
(kt)
rxy5N rue
1.3 MOS晶体管的电流方程 y |0/;SjV
)ryP K"V
1.4 MOS瞬态特性 1!U:M8T|
G*%U0OTi
MOS器件按比例缩小 ;P8% yf
2.1 按比例缩小理论 G[_Z|Xi1
l(F\5Ys
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 <rui\/4NJ
&0G9v
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 #s>'IPc0
L>7@!/ 9L
2.4 VLSI发展的实际限制 f TK84v"7_
L+@X]O W8
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 >/}p{Tj
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 rL+.3ZO):P
XUUP#<,s
3.2 CMOS IC 工艺流程 !SnLvW89Z
4
540Lw'A
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 % " l;
tW-[.Y -M,
CMOS反相器和CMOS传输门 }ksp(. }G
4.1 CMOS反相器的直流特性 61gyx6v
_T8S4s8q
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 5.yiNW h
o "A)t=
4.3 CMOS 反相器的功能 `2x. -
5 U]@
Y?
4.4 CMOS反相器设计 WT1y7+_g(d
)z4eRs F|
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 cg9}T[A
5e7\tBab
4.6 CMOS传输门 9 v3n4=gc
#mK?:O\-1
CMOS静态逻辑电路设计 mV4gw'.;7
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 X*5 N&AJ
\6"=
`H0}
5.2 CMOS与非门的分析 Odh r=Hs
MpJ<. |h
5.3 CMOS或非门的分析 :7dc;WdM
&o1k_! 25
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 Acd@B L*
fZ;}_wR-H
5.5 组合逻辑电路的设计 #qD[dC$[t
a69e^;,>q
5.6 类NMOS电路 X6qgApyE
j?k| -0
5.7 传输们逻辑电路 C=cn .CX
K~S*<
?
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 N`N?1!fM<}
(pd~ 2!;C
动态和时序逻辑电路设计 {Ja (+NQ
6.1 动态逻辑电路的特点 9$C?)XK XB
3Lq9pdM>2@
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 KT >Y^
dn S b}J
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 de.f?y
s@y;b0$gk
6.4 时钟CMOS(C2MOS) SBD Gms
-p>1:M <
6.5 无竞争（NORA）动态CMOS电路 ,tg(aL
- _6`0
6.6 CMOS触发器 UX<-j Y#'V
iSW<7pNq0
6.7 时序逻辑电路 g; nLR<]
l"DHG`kb
输入、输出缓冲器 &/)B d%
7.1 输入缓冲器 n0 0J21
,9_O4O%
7.2 输入保护电路 <p/2 hHfiD
Yh fQ pe
7.3 输出缓冲器 37Q8Yf_
d!Gy#<H
7.4 脱片输出驱动级的设计 ~1twG G_;
'd&d"E [
7.5 三态输出和双向缓冲器 $e--"@[Y
k<+Sj
h$
MOS存储器 U=69q]
8.1 DRAM o$+R
_;Xlw{FN^
8.2 SRAM 7Hgn/b[?b
kD%MFT4
8.3 ROM和PLD z>,M@ @
dzAumWoh
MOS IC的版图设计 ecoI-@CAI
9.1 VLSI的设计方法 &ZkJ,-
2y!aXk\#C
9.2 门阵列和标准单元设计方法 <#nU 06 fN
^L)3O|6 c
9.3 版图设计 CsycR @[
ex1!7A!}g
SOICMOS简介 a{^z= =
10.1 SOI CMOS工艺 etiUt~W
+ZW>JjP*
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 qK#"uU8B
r"h09suZBW
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 6'/ Zq
( 'C)S)98C
BiCMOS电路 Y,Z$U| U
11.1 MOS和双极型器件性能比较 xt pY *
jLI1Ed
11.2 BiCMOS工艺和器件结构 #<9'{i3
XE <5(
11.3 BiCMOS逻辑门的设计 m[2[9 bQ0
)^s> 2 1
11.4 BiCMOS和CMOS电路性能的比较 # @`
c7SR
=5 B5
11.5 BiCMOS电路实例 @#t<!-8d
p.g> +7
MOS 逻辑集成电路（续） hDW_a y 4
nMOS逻辑集成电路 Ew
PJ|Z^
6-1 电阻负载MOS倒相器 *k,3@ _5
:6t73\O
6-2 E/E MOS 倒相器 Bl6I@w
<|Lz#iV37
6-3 自举负载MOS 倒相器 _zM?"16I}
Y_ne?/sZE
6-4 E/D MOS 倒相器 zN KB'hsK
Ay qs~&{
6-5 静态MOS电路 WR#h~N
9c
6 *S
/frE
CMOS集成电路 \ { QH ^
7-1 CMOS 倒相器 J9 NuqV3
R,PN?aj
7-2 CMOS传输门 af>i
,#, K_o z
7-3 静态CMOS 电路 @aUNyyVP
a-,*iK{_u
7-4 CMOS 门电路的设计 s,[ I_IiPf
'\8YH+%It
7-5 CMOS电路中的锁定效应
0.R3(O
$=E4pb4 Y
动态和准静态MOS电路 L7rr/D
8-1 栅电容的电荷存储效应 e#mf{ 1&
+0 ukLc@
8-2 动态MOS倒相器 iC iKr aW
GOA
dhh-
8-3 动态MOS电路 (oy@j{G)c6
i.O n{nB"k
8-4 准静态MOS触发器 C ,> n
6%6d zZ
8-5 动态和准静态CMOS电路 Wkk(6gS,
MhE".ZRd
MOS集成电路的版图设计 "u~` ZV(
9-1 MOS集成电路的工艺设计 [>p!*%m
;5\'PrE
9-2 MOS集成电路版图设计 R>:D&$[RD
V!]|u ^4I
9-3 MOS集成电路版图设计举例 &${| o@
TeZu*c
MOS大规模集成电路 u| $HA>F[
10-1 LSI电路中的CAD技术 8irT G A
R'B_YKHBY
10-2 HMOS技术 o+}1M
`:r-&QdU o
10-3 MOS存储器 E3S0u7 Es
n>Oze7hVY
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 %|JL=E}%|
o M@%2M_O(
10-5 半定制逻辑电路 RJDk7{(
aG =6(ec.
模拟集成电路 h|'|n/F
模拟集成电路中的特殊元件 B !)9
>
11-1 横向pnp管 h'G
IR2Qc6+{
11-2 纵向pnp管 #!Tla lV
oIj/ V|ByK
11-3 超增益晶体管 bY,dWNS:
~ LF M,@
11-4 隐埋齐纳二极管 ^P [#YO
I}y6ke!
11-5 集成电路中的电容器 {s6#h #U
!]mo.zDSW5
11-6 薄膜电阻器 "[z/\l8 O
~tW<]l7
模拟集成电路中的基本单元电路 q:jv9eL.O
12-1 差分放大器 M,{; xf
2.{ <C.BK{
12-2 恒流源电路和有源负载 6oq^ n
s-
L4u.cH J}0
12-3 基准源电路 /
)[\+Nc
Zcc7
7dRA
12-4 模拟开关 3|3 ad'
w c}x
[cS
集成运算放大器 xTcY&
13-1 运算放大器的基本概念 b-c6.aKf|
P6v@
Sn
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 K6~')9 Q
eIP k$j{e
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 Ia ^/^>
j 6 _w2
13-4 µA741通用型运算放大器 F[v^43-^_
ecp0 hG`%
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 W^H[rX}=
>M m.MNU
模拟集成电 qX[C%
14-1 集成电压 bX% 4[BKP
OXoEA a
14-2 D/A转换器 yN#]Q}4
MAc/ T.[
14-3 A/D转换器
B ,4GxoX`
t
$Ua&w
14-4 MOS模拟集成电路 $@dPIq4o;}
=D 5!Xq'|
模拟集成电路的版图设计 <2+FE/3L
15-1 模拟集成电路版图设计特点 vZSwX @0
O=Vj*G ,
15-2 模拟集成电路中的相容技术 i} 5+\t[Q
-r{]9v2j
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 w mX * n'l
7^h*rL9
2004.7.7
