华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 suN6(p(.
,} t%7I
第一篇MOS 逻辑集成电路 Et 0gPX-
$H<_P'h-B
MOS晶体管工作原理 ygz2bHpD~
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 x1@,k=qrd
OX;bA^+}P
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 H:G``Vq;0m
nAP*w6m0j
1.3 MOS晶体管的电流方程 |j+JLB
Y1 Ql_
1.4 MOS瞬态特性 0*MUe1{
Jq ^[^
MOS器件按比例缩小 )a^& 7
2.1 按比例缩小理论 5YrzOqg=
f#c}}>V8
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 CV [ 9i
Q%6zr9
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 -']I dn 6
xZ'C (~t
2.4 VLSI发展的实际限制 ;-JF1p 7;
b M'F8 Fi
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 \FO`WUAF
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 *lDVV,T'}w
}
#< Rs
3.2 CMOS IC 工艺流程 $mT)<N ;w
0`pCgF
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 Swf%WuDj
7Tp +]"bL
CMOS反相器和CMOS传输门 iYiT k q
4.1 CMOS反相器的直流特性 yd VDjE
Y
UOj*Gt&
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性
D\;5{,:d
Ze
/\IBd
4.3 CMOS 反相器的功能 W$7H "tg
cD9U ^SOS
4.4 CMOS反相器设计 /)RH-_63
p5"pQe S
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 w)&4i$Lk6
\H rtPm`e
4.6 CMOS传输门 "Uf1 ;;b
p7{H
"AC
CMOS静态逻辑电路设计 _PGd\>Ve
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 NB44GP1-@
'
-9=>
5.2 CMOS与非门的分析 y8C8~ -&OK
K }
T=j+
5.3 CMOS或非门的分析 Wt@hST
CAx
eJ`Q
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 -{C Gn5]_#
F?jD5M08t/
5.5 组合逻辑电路的设计
T*8 S7l
V
)UtU
L
5.6 类NMOS电路 %CnNu
ZNDi;6e
5.7 传输们逻辑电路 l Ix./Nf
X<$D NRN
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 CCt\[hl
fI <d&5&g
动态和时序逻辑电路设计 zG/? wP"
6.1 动态逻辑电路的特点 I
S'Uuuz7g
nN-S5
?X#
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 :?y Ma$
X' s<+hK&
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 djw\%00&#
v@M^ukk'}
6.4 时钟CMOS(C2MOS) 3Z me?o*bY
y5O &9Ckw
6.5 无竞争（NORA）动态CMOS电路 7OG:G z+)x
yf8kBT:&S
6.6 CMOS触发器 YOrq)_ l
<m1v+cnqo
6.7 时序逻辑电路 mb 1c9
R)\^*tkz7
输入、输出缓冲器 3/Z>W|w#w
7.1 输入缓冲器 PR$;* |@
Hk h'h"_r
7.2 输入保护电路 A%$~
n;N79`mZC
7.3 输出缓冲器 650qG$
o,* D8[
7.4 脱片输出驱动级的设计 dpNERc5
51#O lvD
7.5 三态输出和双向缓冲器 YE{t?Y\5
hdrsa}{g
MOS存储器 X|eZpIA45
8.1 DRAM V8TdtGB.|h
Y-YuY
8.2 SRAM T+$H [ &j
Z CPUNtO
l
8.3 ROM和PLD ^9q#,6
N6}/TbfAR
MOS IC的版图设计 xV5UaD<
9.1 VLSI的设计方法 yivu|q
$%cc[[/U
9.2 门阵列和标准单元设计方法 Kh(`6 f
&R_7]f+%)
9.3 版图设计 "/i$_vl
r8Pd}ptPU
SOICMOS简介 =W.
}&
10.1 SOI CMOS工艺 <GN LDpj
-o6rY9\_!
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 * n ? 1C"l
_]>1(8_N
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 x.?5-3|d$
Y$r78h=4
BiCMOS电路 J/?Nf2L4
11.1 MOS和双极型器件性能比较 Nujnm$!,Q
7w/IHM L
11.2 BiCMOS工艺和器件结构 7C{ y NX#
8vY-bm,e
11.3 BiCMOS逻辑门的设计 ^"/^)Lb!@M
R2~Tr$:
11.4 BiCMOS和CMOS电路性能的比较 FRBu8WW 0L
m|@H`=` d
11.5 BiCMOS电路实例 S\e&xUA;|
Tu#< {'1$
MOS 逻辑集成电路（续） Eah6"j!B8n
nMOS逻辑集成电路 u/zBz*zh
6-1 电阻负载MOS倒相器 T # \
%@/^ UE:
6-2 E/E MOS 倒相器 q+
$6D;9
#WpkL]g2+%
6-3 自举负载MOS 倒相器 > VG
X%1TsCKMj
6-4 E/D MOS 倒相器 b'H'QY
Y
::0v@&(
6-5 静态MOS电路 R?2sbK4Cz
m o0\t#jA
CMOS集成电路 s[1ao"sZ^
7-1 CMOS 倒相器 I UcL*
Zo9
<96I&
7-2 CMOS传输门 F
qKJids-
#x%'U}sF
7-3 静态CMOS 电路 gt&|T
j
wucdXj{%
7-4 CMOS 门电路的设计
+Q*`kg '
30Y is_l2h
7-5 CMOS电路中的锁定效应 g|=_ @
pL
T :|/ux3
动态和准静态MOS电路 snV*gSUH
8-1 栅电容的电荷存储效应 8OfQ :
k_=SDm a
8-2 动态MOS倒相器 aD/ Rr3v>
aM^iDJ$>
8-3 动态MOS电路 `S& a.k
.{Y;6]9[
8-4 准静态MOS触发器 #XV=,81w
vG&
>- Z
8-5 动态和准静态CMOS电路 $o"nTl
f49kf**
MOS集成电路的版图设计 |J`EM7qMK
9-1 MOS集成电路的工艺设计 E(qYCafC
G#iQ X`
9-2 MOS集成电路版图设计 4Nm >5*]
b`0tfXzS5
9-3 MOS集成电路版图设计举例 J5@08 bZm
a+h $u
MOS大规模集成电路 #mH@ /6,#[
10-1 LSI电路中的CAD技术 5<?Ah+1
_sjS'*]
10-2 HMOS技术 nx9PNl@?V
F<4rn
10-3 MOS存储器 I?KN7(9u?
D)
*
10-4 微处理器中的算术逻辑单元
,(jJOFf
4^_6~ YP7
10-5 半定制逻辑电路 , 5'o>Y
6(|mdk`i
模拟集成电路 g/?Vl2W
模拟集成电路中的特殊元件 !0
7jr%-~
11-1 横向pnp管 .X g.,k W
Sn:>|y~
11-2 纵向pnp管 0AZ9I!&i
1=VyD<dNG6
11-3 超增益晶体管 OM'iJB6=
x/
QqG1q
11-4 隐埋齐纳二极管 vrn4yHoZ
YOxgpQ:i
11-5 集成电路中的电容器 K5>3
31n"
w;
11-6 薄膜电阻器 8)B
{x[?|
H`[FC|RYyE
模拟集成电路中的基本单元电路 h
'ik3mLH
12-1 差分放大器 b,~'wm8:A
ODJ"3 J
12-2 恒流源电路和有源负载 Q0*E&;|
\F
_1 C=
12-3 基准源电路 gx\V)8Zr
\Z*:l(
12-4 模拟开关 a%q,P @8
b+s'B4@rb
集成运算放大器
%Z;RY5
13-1 运算放大器的基本概念 + o+f\!
kV- <[5AWW
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 R ENCk (
r$<!?Z
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 /cS8@ )e4
St
; 9&A
13-4 µA741通用型运算放大器 [_
N1
.}e
Yjg$o:M
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 H c/7x).
>A )Sl'
模拟集成电 5a |[cR
14-1 集成电压 df{?E):
qJ" (:~
14-2 D/A转换器 Vc\g"1 x
HX.K{ !5
14-3 A/D转换器 S5|7D[*
=u0=)\0@r
14-4 MOS模拟集成电路 1uo | a
)t~ad]oM
模拟集成电路的版图设计 '4{@F ~fu
15-1 模拟集成电路版图设计特点 J^t0M\
6l|L/Z_6
15-2 模拟集成电路中的相容技术 dLQp"vs $
/XG7M=A$o
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 H F*~bL
ko.% @Y(=
2004.7.7
