华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 ' Uo|
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E8.1jCL>{"
第一篇MOS 逻辑集成电路 2 U3WH.o
Q SvgbjdE
MOS晶体管工作原理 #U6~U6@
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 $*7A G
17l c5#^L
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 T9AFL;1
qSQsY:]j0
1.3 MOS晶体管的电流方程 3JZ9 G79H
G C@U['
1.4 MOS瞬态特性 qbo
W<W<H1
u:>*~$f
MOS器件按比例缩小 TYedem<$
2.1 按比例缩小理论 G}`Hu_ [\)
/&RS+By(i
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 -l$-\(,M`#
I z)~h>-F
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 :2MHx}]il
_UUp+Hz
2.4 VLSI发展的实际限制 6zJ>n~&(
)%9 P ;/
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 0^3@>> ^
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 XLFo"f
} mEsb?
3.2 CMOS IC 工艺流程 !S[7IBk%
\"mL LnK?
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 O\zGN/!
J/ ^|Y6
CMOS反相器和CMOS传输门 Z sbE
4.1 CMOS反相器的直流特性 AME6Zu3Y
F anA ~
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 xZ(VvINL'
%-~T;_.
4.3 CMOS 反相器的功能 xnG,1doa
|%-:qk4r G
4.4 CMOS反相器设计 7
I<] ;j
*dm?,~f%<
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 m' suAj0
pZe:U; bb
4.6 CMOS传输门 ~F9WR5}]
Q H_I<Y:n
CMOS静态逻辑电路设计 8k`rj ;
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 @}@J$ g
6v }WdK
5.2 CMOS与非门的分析 P(&9S` I
-964#>n[
5.3 CMOS或非门的分析 F,-S&d
pg'3j3JW$
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 53cW`F
G(XI TL u*
5.5 组合逻辑电路的设计 Ii9@ j1-g
ZNvnVW<
5.6 类NMOS电路 DIu rFDQSS
r*!sA5
5.7 传输们逻辑电路 - 6KGQc}U
r{g J[%
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 A+lP]Oy0S
6T5nr
动态和时序逻辑电路设计 n)7olP0p
6.1 动态逻辑电路的特点 duKR;5:
t%n3~i4X:
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 jK^'s6i#
pGy(JvMw"
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 D+.h *{gD
TB
gD"i-
6.4 时钟CMOS(C2MOS) ~ YKBxt
=_`4H Dr
6.5 无竞争（NORA）动态CMOS电路
Ny>tJ~I
~$N%UQn?b#
6.6 CMOS触发器 `R]9+_"N
)hHkaI>eYv
6.7 时序逻辑电路 fL8+J]6A6
byYdX'd.
输入、输出缓冲器 p
AzPi
7.1 输入缓冲器
^3N i
.VVY]>bJg@
7.2 输入保护电路 &P%3'c}G
&WIi w$@
7.3 输出缓冲器 .,pGW
8Js
!aD/I%X
7.4 脱片输出驱动级的设计 Y?2I
/
3y%B &W,sm
7.5 三态输出和双向缓冲器 H'E > QT
_yyQ^M/
MOS存储器
c<j2wKz
8.1 DRAM d_&R>GmR$
K+D`U6&
8.2 SRAM Us'm9 J
9cAb\5c|
8.3 ROM和PLD 0hXI1@8]`
SUXRWFl
MOS IC的版图设计 ^0 R.U+?+
9.1 VLSI的设计方法 _PrK6M@"L
V?v,q'? $
9.2 门阵列和标准单元设计方法 RF
4u\ \
p6]4YGw*^
9.3 版图设计 W6D|Rr.q
eOjoxnD-$
SOICMOS简介 T
9\wkb.
10.1 SOI CMOS工艺 !CROc}
}.Ht =E]
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 ~AxA ,
^!-*xH.dK
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 gmy$_4+6o
s<[%7 6Y!
BiCMOS电路 ~`c?&YixU
11.1 MOS和双极型器件性能比较 )y(pd
^$SI5WK&)
11.2 BiCMOS工艺和器件结构 zME7 5;{
9D++SU2 :}
11.3 BiCMOS逻辑门的设计 >6Y\CixN
Z 9mY*}:U~
11.4 BiCMOS和CMOS电路性能的比较 x):cirwkl
NAR
W3 \
11.5 BiCMOS电路实例 .t''(0_kC
C
Fq3
MOS 逻辑集成电路（续）
_eM\ /(v[
nMOS逻辑集成电路 [ ps5;
6-1 电阻负载MOS倒相器 = ;#?CAa:
+uKh]RP
6-2 E/E MOS 倒相器 fEE[h uG
4%1 sOnl
6-3 自举负载MOS 倒相器 UVlD]oXKh
wgxr8;8`q
6-4 E/D MOS 倒相器 &{NN!X
HtB> #`'
6-5 静态MOS电路 _Q,`Qn@|BD
j'FSd*5m
CMOS集成电路 M_* "g>Z
7-1 CMOS 倒相器 Z
. VIb|
T Z{';o U
7-2 CMOS传输门 nI.K|hU:P
L,c@Z @
7-3 静态CMOS 电路 S[(Tpk2_
b HRH2Ss
7-4 CMOS 门电路的设计 $q,2VH :Ip
5H#f;L\k
7-5 CMOS电路中的锁定效应 7p*PDoM6`
n4,b?-E>(
动态和准静态MOS电路 K 8M[xaI@
8-1 栅电容的电荷存储效应 q ww *
Hy=';Ccn}
8-2 动态MOS倒相器 5<ZE.' O
l# u$w&
8-3 动态MOS电路 XE8>& & X
j=b?WNK
8-4 准静态MOS触发器 =y+gS%o$
UW%zR5q
8-5 动态和准静态CMOS电路 B!{ vSBq
% gUf
MOS集成电路的版图设计 &[71~.Od
9-1 MOS集成电路的工艺设计 `o|Y5wQ@
Ai>= n;
9-2 MOS集成电路版图设计 Wk<he F
[ye!3h&]
9-3 MOS集成电路版图设计举例 zv[$ N,
EHI %QT
MOS大规模集成电路 9O(vh(C
10-1 LSI电路中的CAD技术 lG oP(ki
4mHR+
SZy
10-2 HMOS技术 Vx'82CIC
fv@mA --
10-3 MOS存储器 1
,Ams
@QOlo -u
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 P ? ^h
Uk1|y\
10-5 半定制逻辑电路 oV ZI ([O
pg<m0g@W*;
模拟集成电路 B'NtG84
模拟集成电路中的特殊元件 K Eda6zZH
11-1 横向pnp管 hZZ
,|}}Ml
11-2 纵向pnp管 M
iK
-W
% _.kd"
11-3 超增益晶体管 /]1$Soo
EjA3hHJ
11-4 隐埋齐纳二极管 :QoW*Gs1
I%|,KWM
11-5 集成电路中的电容器 u+7S/9q
8
:~^_*:
11-6 薄膜电阻器
Y+d+
AAXlBY6Y-
模拟集成电路中的基本单元电路 11^.oa+`
12-1 差分放大器 ;!hwcO kX
H:#sf][&,L
12-2 恒流源电路和有源负载 h}y] Pt?
PyoIhe&ep
12-3 基准源电路 BHu%x|d
%y{'p:
12-4 模拟开关 ]*Cq'<h$
>~;=
j~
集成运算放大器 L`"j> ),
13-1 运算放大器的基本概念 ,W| cyQ
,<(0T$o E[
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 *B)J(^M!q
HfPu~P
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 p:;
`X!
KG=57=[
13-4 µA741通用型运算放大器 9vckQCLM
5{xK&[wR*
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 r3NdE~OAi
=[:pm)
模拟集成电 - i#Kpf
14-1 集成电压 S}P rgw/
.(7m[-iF!
14-2 D/A转换器 x
}@P
90 >V he
14-3 A/D转换器 /5Sd?pW;
7
Bym?
14-4 MOS模拟集成电路 N;v]ypak
z22:O"UHa
模拟集成电路的版图设计 ,1B` Ve
15-1 模拟集成电路版图设计特点 l<;~sag
UyAy?i8K
15-2 模拟集成电路中的相容技术 &I:ZJuQ4
?vfZ>7Q
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 c,:nWf
SZUo RWx
2004.7.7
