华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 >"=DN5w
,S
#O;JV} y
第一篇MOS 逻辑集成电路 NZ i3U
; >5` Y8s6
MOS晶体管工作原理 ,>b>
I#{
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 _ h#I}uJ~
kD;pj3o&"2
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 sfr+W-7kx
F{a;=h#@Q
1.3 MOS晶体管的电流方程 >O24#!9XW
7p Y :.iVO
1.4 MOS瞬态特性 O8bxd6xb
|]@Pq[Hn|
MOS器件按比例缩小 J@$~q}iG
2.1 按比例缩小理论 T#3@ r0M
xIa7F$R 0
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 RfTGTz@H
Z#H<+S(
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 W +ER'lX
J, CwC)
2.4 VLSI发展的实际限制 S$Zi{bU`G
Su2{ nNC>
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 |0=UZK7%O
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 A/'po_'uy
9
ET1Er{4
3.2 CMOS IC 工艺流程 u>"0 >U
[#q>Aq
$11
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 LQ# E+id&
87 s *lS
CMOS反相器和CMOS传输门 BtC*]WB"_'
4.1 CMOS反相器的直流特性 D aQl ip
LjBIRV7
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性
zd=O;T;.
%A$&9c%
4.3 CMOS 反相器的功能 D:_W;b )
Q <
:RLKVT
4.4 CMOS反相器设计 RPW46l34
=+!l8o&o,
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 _?I{>:!|
V]p{j LG
4.6 CMOS传输门 9RJF
-[=eVS.2%
CMOS静态逻辑电路设计 :u14_^
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 L"m^LyU
__g
k:a>oQ
5.2 CMOS与非门的分析 by/H:5}7
f82% nT
5.3 CMOS或非门的分析 SeD}H=,@
<e2l@@#oy
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 l_^SU8i57
e c&/a2M
5.5 组合逻辑电路的设计 @Vre)OrN#
6O7s^d&K
5.6 类NMOS电路 4dX{an]Cz
_ =Gj J~2n
5.7 传输们逻辑电路 : { p'U2
[ 7Lr"
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 ]vvYPRV76
h_%q`y ,
动态和时序逻辑电路设计 Y![Q 1D!
6.1 动态逻辑电路的特点 s#9q3JV0
EwC]%BZP
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 1<YoGm&
vMT f^V
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路
VdlT+'HF
\}Jznzx ;
6.4 时钟CMOS(C2MOS) 2 J7|y\N,
0!hr9Y]Lx
6.5 无竞争（NORA）动态CMOS电路 w% %q/![uy
x4MmBVqp
6.6 CMOS触发器 0*gvHVd/l
5,"c1[
`-
6.7 时序逻辑电路 !HY
^QK
Qs&;MW4q
输入、输出缓冲器 >y3FU1w5d
7.1 输入缓冲器 Cj -s
3s6obw$ki
7.2 输入保护电路 }`uyOgGg*
YX$( Sc3.6
7.3 输出缓冲器 BEDkyz;:
u{sHuVl
7.4 脱片输出驱动级的设计 4ud(5m;Rle
EF 0v!XW
7.5 三态输出和双向缓冲器 l6 G6H$
F%w! I 9
MOS存储器 n7[nl4 3
8.1 DRAM 4ag W<c#
B)0/kY7c
8.2 SRAM q0.!T0i
I\l&'Q^0@
8.3 ROM和PLD B2; P%B
\Zj%eW!m
MOS IC的版图设计 69c4bT:b"
9.1 VLSI的设计方法 Rl? 1|$ %
Q]WBH_j
9.2 门阵列和标准单元设计方法 (xfc_h*xA
7HPw
lS
9.3 版图设计 (TZK~+]@sb
*C_A(n5"V
SOICMOS简介 m$vq %[/#
10.1 SOI CMOS工艺 > Pw5! i\
,GSi Sn
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 o,7|=.-b
Z(MZbzY7Hq
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 j.=:S;
T`# nn|
BiCMOS电路 |` T7}U
11.1 MOS和双极型器件性能比较 #}7T$Va
A iHU*dp6
11.2 BiCMOS工艺和器件结构 w B)y@w4k
+SFFwjI
11.3 BiCMOS逻辑门的设计 E@ea ?Sx
8m0*89HEu
11.4 BiCMOS和CMOS电路性能的比较 :<g0Ho?e
t|U5]$5
11.5 BiCMOS电路实例 3@~a)E }T
N@t hewt|
MOS 逻辑集成电路（续） Cu@q*:'
nMOS逻辑集成电路 ?`+VWa[,e
6-1 电阻负载MOS倒相器 i p?] &5s
d(^8#4
6-2 E/E MOS 倒相器 onu G
"M/c0`>C!i
6-3 自举负载MOS 倒相器 i*$+>3
Q-
R+!U. :-yz
6-4 E/D MOS 倒相器 eg;r38
oG)T>L[&
6-5 静态MOS电路 +2MF#{ tS
2S7 BzZ/
CMOS集成电路 jm%P-C
@
7-1 CMOS 倒相器 g ;
Ugr8
k
(AE%eA
7-2 CMOS传输门 T.cTL.}
Sfe[z=7S
7-3 静态CMOS 电路 g#(+:^3'
=mL p g4
7-4 CMOS 门电路的设计 A \?t^T
)VQ[}iT
7-5 CMOS电路中的锁定效应 @7}XBg[pI
Rir0^XqG
动态和准静态MOS电路 YC;@ ^
8-1 栅电容的电荷存储效应 z#G\D5yX[*
}h`z2% 5o
8-2 动态MOS倒相器 ft7M9<#v
TeuZVy8a
8-3 动态MOS电路 l!}g Wd,H
yl?LXc[)
8-4 准静态MOS触发器 2MB>NM<xO
Xc+YoA0Ez
8-5 动态和准静态CMOS电路 $m
;p@#n
.WSn Y 71
MOS集成电路的版图设计 2Bi ]t%<{
9-1 MOS集成电路的工艺设计 Q}Ah{H0C
j)G%I y[`
9-2 MOS集成电路版图设计 EwcFxLa!F
7kD?xHpe
9-3 MOS集成电路版图设计举例 d_(;sW"I
q2|x$ 5
MOS大规模集成电路 u gRyU ny
10-1 LSI电路中的CAD技术 o [wiQ9Tl
CD`6 R.
10-2 HMOS技术 %{'[S0 @Z
ug{sQyLN
10-3 MOS存储器 1c/<2 xO~
mx1Bk9h%Xe
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 D*46, >Tv
z1tD2jL _
10-5 半定制逻辑电路 sA O/yG
vR#MUKfh
模拟集成电路 OWfB8*4
@
模拟集成电路中的特殊元件 9(
X~
11-1 横向pnp管
1Z_]Ge<a
Y
rf?|,
11-2 纵向pnp管 902A,*qq
q~18JB4WPJ
11-3 超增益晶体管 e7iQ G@ i7
X,M!Tp
11-4 隐埋齐纳二极管 } j6|+
=.J>'9 Q
11-5 集成电路中的电容器 y]i} j,e0L
@w%kOX
11-6 薄膜电阻器 aFny
hu&W'
8% ; .H-
模拟集成电路中的基本单元电路 wko9tdC=U
12-1 差分放大器 p i ; fu
.GYdC '
12-2 恒流源电路和有源负载 &a >UVs?=
p&xj7qwp@F
12-3 基准源电路 I8 W9Kzf
u3 +]3!BQ
12-4 模拟开关 ca,JQrm
SoCN.J30
集成运算放大器 e=tM =i"
13-1 运算放大器的基本概念 <g&GIFE,
frQ=BV
5%6
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 {poT A+ i
a[=B?Bd
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 s }^W2
"|WKK}
13-4 µA741通用型运算放大器 B( wi+;
]'#^ ~.
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 H!y-o'Z
5 "x1Pln
模拟集成电 ]V N1Y)
14-1 集成电压 ;$r!eFY;
{!4ZRNy(k
14-2 D/A转换器 Z 2uU' T
3\B~`=*q/
14-3 A/D转换器 5B
{Eg?
{X\FS
14-4 MOS模拟集成电路 _2})URU< S
>BMtR0
模拟集成电路的版图设计 B an" H~
15-1 模拟集成电路版图设计特点 )d5mZE!3
/jU4mPb;\D
15-2 模拟集成电路中的相容技术 K!G/iz9SB
_ =(v? 2:?
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 {RH)&k&%
W$R@Klz
2004.7.7
