希望斑竹给点威望值鼓励一下：） 1B9Fb.i
P%<aGb
4
第一部分 GY0XWUlC
（共6题，选作4题，每题15分，共计60分；如多做，按前4题计分） 1)P<cNj
?34EJ
!
1. 从成键的角度阐述 Ⅲ-Ⅴ 族和 Ⅱ-Ⅵ 族半导体为什么可以形成同一种结构:闪锌矿结构。 `g4Ekp'Rp[
2. 请导出一维双原子链的色散关系，并讨论在长波极限时光学波和声学波的原子振动特点。 =:CGl
3. 从声子的概念出发，推导并解释为什么在一般晶体中的低温晶格热容量和热导率满足T3关系。 i
ECC@g@
a
4. 设电子在一维弱周期势场V(x)中运动，其中V(x)= V(x+a)，按微扰论求出k=±π/a处的能隙。 0~@L
%~
5. 假设有一个理想的单层石墨片，其晶格振动有两个线性色散声学支和一个平方色散的声学支，分别是ω=c1k，ω=c2k，ω=c3k（其中c1，c2和c3(π/a)是同一量级的量，a是晶格常数）。 o1p$9PL\:
1）试从Debye模型出发讨论这种晶体的低温声子比热的温度依赖关系，并作图定性表示其函数行为； u@:=qd=\
2）已知石墨片中的每一个碳原子贡献一个电子，试定性讨论电子在k空间的填充情况及其对低温比热的贡献情况。 OTNZ!U/)j
6. 画出含有两个化合物并包含共晶反应和包晶反应的二元相图，注明相应的共晶和包晶反应的成分点和温度，写出共晶和包晶反应式。 ]|((b/L 3
FJn~
=h A
第二部分 ] sm0E@ 1
（共9题，选做5题，每题8分，总计40分；如多做，按前5题计分） U l7 pxzj
w>9H" Q[
1. 从导电载流子的起源来看，有几种半导体？ @2%VU#!m
2. 举出3种元激发，并加以简单说明。 " OS]\-
3. 固体中存在哪几种抗磁性？铁磁性和反铁磁性是怎样形成的？铁磁和反铁磁材料在低温和高温下的磁化有什么特点？ V!kQuQJ>
4. 简述固体光吸收过程的本证吸收、激子吸收及自由载流子吸收的特点，用光吸收的实验如何确定半导体的带隙宽度？ u
#=kb5}{
5. 利用费米子统计和自由电子气体模型说明低温下的电子比热满足T线性关系。 xRTg
[
6. 超导体的正常态和超导态的吉布斯自由能的差为μ0Hc2(T)，这里Hc是超导体的临界磁场，说明在无磁场时的超导相变是二级相变，而有磁场时的相变为一级相变。 p)[ BB6E
7. 什么是霍耳效应？何时会出现量子霍耳效应？ NBbY## w0
8. 假设一体心立方化合物的点阵常数为a，写出前5条衍射线的晶面间距d值。 SCI-jf3 WN
9. 简述晶体中的各种缺陷。 X"qbB4 (I
UtG
d/\:
2003年博士入学考试专业基础试卷 mn6p s 6OB
0=(-8vwd
1. 请解释下列名词 yw3U"/yw
（1） 声子（2）布里渊区（3）螺旋轴（4）晶体色心（5）结构因子 ,mE]?X yO
2. 试推导体心格子的消光规律 0t :|l@zB
3. 画出含有两个化合物并包含共晶反应和包晶反应的二元相图，注明相应的共晶和包晶反应的成分点和温度 &:cTo(C'
4. 简述相图在晶体生长中的应用 /O(; ~1B
5. 简述影响多晶X射线衍射强度的因素 QF.wtMGF &
6. 试列出三种重要的功能材料并简述其性能 g:HbmXOBpj
7.某立方晶系化合物，晶胞参数ａ=4.00A，晶胞中顶点位置为Ti4+所占，体心位置为Sr2+所占，所有棱心位置为O2-所占。 ]a%\Q 2[c
（1）用分数坐标表示诸离子在晶胞中的位置(3分) ~i_ R%z:y
（2）写出此晶体的化学组成（分子式）(3分) M'!! EQo
（3）计算该晶体前三条衍射线的d值（5分） t&Y^W <
（4）指出Ti4+和Sr2+的配位数（4分） ;ZqD60%\
（5）计算Ti-O和Sr-O键长（5分） vsr~[d=
~E:/oV:4 >
2002年第二期博士入学考试专业基础试卷 "*>QxA%c4
'$L= sH5
（每题20分，任选5题，也可全做） B=RKi\K6a
1. 请解释下列名词 PRf\6
（1） 二级相变（2）布里渊区（3）滑移面（4）无公度结构（5）结构因子 t;a}p_>
2. 试推导一种底心格子的消光规律 =ILo` Q~
3. 请举例说明固溶体的类型及其测定方法 &MGgO\|6
4. 简述相图在晶体生长中的应用 ])ZJ1QL1
5. 请简述晶体中的主要缺陷 ;uo|4?E:\(
6. 试列出三种重要的功能材料并简述其性能 qpEC !~ y
7.某立方晶系化合物，晶胞参数ａ=4.00A，晶胞中顶点位置为Ti4+所占，体心位置为Sr2+所占，所有棱心位置为O2-所占。 G?/8& %8
（1）用分数坐标表示诸离子在晶胞中的位置(3分) fO}1(%}d
（2）写出此晶体的化学组成（分子式）(3分) : w`i
（3）计算该晶体前三条衍射线的d值（5分） [.#$hOsNR
（4）指出Ti4+和Sr2+的配位数（4分） F
U v)<rK
（5）计算Ti-O和Sr-O键长（5分） %^@0tT
h^,YYoA $
2001年第二期招收博士研究生入学考试试题 I :2jwAl
+
+RmaZ
第一部分： E rymx$@P
（共6题，选做4题，每题15分，总计60分。这部分只能选做4题，如超出规定范围，阅卷时按前4题计分。） g8@i_
1.写出七大晶系，并指出每一晶系包含哪几种布拉伐格子（Bravais Iattice）. ). #D:eO[~
2.怎样用能带论来理解导体、绝缘体、及半导体之间的区别？ NZ? =pfK\s
3.简单推导布洛赫（Bloch）定理。 r 3lr`s`
4.对于一个二维正方格子，晶格常数为ａ， hdDI%3vk3
在其倒空间画图标出第一、第二和第三布里渊区； HE .Dl7 {
画出第一布里渊区中各种不同能量处的等能面曲线； #[ rFep
画出其态密度随能量变化的示意图。 (HgdmN
%
5.晶体中原子间共有多少种结合方式？简述它们各自的特点。 [
^ \)
6.推导低温及闲暇的热容量表达式（表示为温度、地摆温度、气体常数和必要的数学常数的函数）。 )$.9Wl Q
^\t">NJ^
\}&
w/.T
第二部分： <5L
` d }
（共8题，选做5题，每题8分，总计40分。这部分只能选做5题，如超出规定范围，阅卷时按前五题计分。） !LSWg:Ev+
1. 简述晶体中主要缺陷类型（至少答三种）。 p+1B6 j
2. 在一维周期场近自由电子模型近似下，格点间距为ａ，请画出能带E(k)示意图，并说明能隙与哪些物理量有关。 r, @|Snv)
3. 简述大块磁体为什么会分成许多畴，为什么磁畴的分割不会无限进行下去？ 9 CSz<[
4. 简述固体中的两种常见的光吸收过程和各自对应的跃迁。 Tfs9< k>G#
5. 写出相律的表达式及其各参数的意义。 Wl"f h_
6. 简述朗道能级的由来。哪一些物理现象与此有关？ ;Awzm )Q
7. 简述半导体的导电机理，分析其电导率的温度关系？ dKG<"
8. 简述超导体的两个主要特征。
