2003年博士入学考试专业基础试卷 |B|@G F?:
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1. 请解释下列名词 U 1F-~ {r
（1） 声子（2）布里渊区（3）螺旋轴（4）晶体色心（5）结构因子 SEU\}Ni{
2. 试推导体心格子的消光规律 @{bb'q['@
3. 画出含有两个化合物并包含共晶反应和包晶反应的二元相图，注明相应的共晶和包晶反应的成分点和温度 x,-S1[#X;
4. 简述相图在晶体生长中的应用 |<2
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5. 简述影响多晶X射线衍射强度的因素 cI3KB-lM#
6. 试列出三种重要的功能材料并简述其性能 c'~
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7.某立方晶系化合物，晶胞参数ａ=4.00A，晶胞中顶点位置为Ti4+所占，体心位置为Sr2+所占，所有棱心位置为O2-所占。 CjmV+%b4
（1）用分数坐标表示诸离子在晶胞中的位置(3分) () <`t}FQ
（2）写出此晶体的化学组成（分子式）(3分) Q4 CJ]J`
（3）计算该晶体前三条衍射线的d值（5分） 6ZTaQPtm
（4）指出Ti4+和Sr2+的配位数（4分） x i.IRAZX
（5）计算Ti-O和Sr-O键长（5分） }Qb';-+;d
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2002年第二期博士入学考试专业基础试卷 uNg'h/^NZ|
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（每题20分，任选5题，也可全做） jF4csO=E
1. 请解释下列名词 !+=Zjm4L
（1） 二级相变（2）布里渊区（3）滑移面（4）无公度结构（5）结构因子 ki`8(u6l
2. 试推导一种底心格子的消光规律 tw-fAMwU
3. 请举例说明固溶体的类型及其测定方法 htV#5SUx&
4. 简述相图在晶体生长中的应用 Jxn3 $
5. 请简述晶体中的主要缺陷 =g >.X9lr
6. 试列出三种重要的功能材料并简述其性能 [u7 vY@
7.某立方晶系化合物，晶胞参数ａ=4.00A，晶胞中顶点位置为Ti4+所占，体心位置为Sr2+所占，所有棱心位置为O2-所占。 xl3zy~;
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（1）用分数坐标表示诸离子在晶胞中的位置(3分) au, jA k
（2）写出此晶体的化学组成（分子式）(3分) v7L"`
（3）计算该晶体前三条衍射线的d值（5分） 6<<'bi
（4）指出Ti4+和Sr2+的配位数（4分） \WiqN*ZF
（5）计算Ti-O和Sr-O键长（5分） i,([YsRuou
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2001年第二期招收博士研究生入学考试试题 WN$R[N
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第一部分： oPCrD.s
（共6题，选做4题，每题15分，总计60分。这部分只能选做4题，如超出规定范围，阅卷时按前4题计分。） q Frt^+@
1.写出七大晶系，并指出每一晶系包含哪几种布拉伐格子（Bravais Iattice）. sw [oQ!f
2.怎样用能带论来理解导体、绝缘体、及半导体之间的区别？ Ap% d<\,Z
3.简单推导布洛赫（Bloch）定理。 A%h~Z
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4.对于一个二维正方格子，晶格常数为ａ， .\Ul!&y
? 在其倒空间画图标出第一、第二和第三布里渊区； s fyBw
? 画出第一布里渊区中各种不同能量处的等能面曲线； P@2tR5<R
? 画出其态密度随能量变化的示意图。 P87ld._
5.晶体中原子间共有多少种结合方式？简述它们各自的特点。 I ca3
6.推导低温及闲暇的热容量表达式（表示为温度、地摆温度、气体常数和必要的数学常数的函数）。
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第二部分： l8er$8 S}
（共8题，选做5题，每题8分，总计40分。这部分只能选做5题，如超出规定范围，阅卷时按前五题计分。） %I_&Ehu
1. 简述晶体中主要缺陷类型（至少答三种）。 Yr5iZ ~V$
2. 在一维周期场近自由电子模型近似下，格点间距为ａ，请画出能带E(k)示意图，并说明能隙与哪些物理量有关。 $<
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3. 简述大块磁体为什么会分成许多畴，为什么磁畴的分割不会无限进行下去？ v>rqOI
4. 简述固体中的两种常见的光吸收过程和各自对应的跃迁。 RlU;v2Kch
5. 写出相律的表达式及其各参数的意义。 Rl y jOf{0
6. 简述朗道能级的由来。哪一些物理现象与此有关？ *Hx j_
7. 简述半导体的导电机理，分析其电导率的温度关系？ Y=5!
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8. 简述超导体的两个主要特征。
