2003年博士入学考试专业基础试卷 d 0YN :lJc
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1. 请解释下列名词 e_6VPVa
（1） 声子（2）布里渊区（3）螺旋轴（4）晶体色心（5）结构因子 Iy8>9m'5
2. 试推导体心格子的消光规律 xwG=&+66
3. 画出含有两个化合物并包含共晶反应和包晶反应的二元相图，注明相应的共晶和包晶反应的成分点和温度 Ht, _<zP;
4. 简述相图在晶体生长中的应用 3uO#/EbS
5. 简述影响多晶X射线衍射强度的因素 co<-gy/mCR
6. 试列出三种重要的功能材料并简述其性能 E, ,) ?^ g
7.某立方晶系化合物，晶胞参数ａ=4.00A，晶胞中顶点位置为Ti4+所占，体心位置为Sr2+所占，所有棱心位置为O2-所占。 iK{ a9pt
（1）用分数坐标表示诸离子在晶胞中的位置(3分) i8A{DMc ,U
（2）写出此晶体的化学组成（分子式）(3分) We3Z#}X
（3）计算该晶体前三条衍射线的d值（5分） lquY_lrri
（4）指出Ti4+和Sr2+的配位数（4分） *het_;)+{
（5）计算Ti-O和Sr-O键长（5分） [|PVq #(
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2002年第二期博士入学考试专业基础试卷 4Eh 2sI
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（每题20分，任选5题，也可全做） yN VuSj
1. 请解释下列名词 )%'Lm
（1） 二级相变（2）布里渊区（3）滑移面（4）无公度结构（5）结构因子 /HR9( j6
2. 试推导一种底心格子的消光规律 b6%T[B B
3. 请举例说明固溶体的类型及其测定方法 # ;GIvfW
4. 简述相图在晶体生长中的应用 UO(B>Abp
5. 请简述晶体中的主要缺陷 i-oi?x<u&(
6. 试列出三种重要的功能材料并简述其性能 .`4N#EjP
7.某立方晶系化合物，晶胞参数ａ=4.00A，晶胞中顶点位置为Ti4+所占，体心位置为Sr2+所占，所有棱心位置为O2-所占。 !{5jP|vo
（1）用分数坐标表示诸离子在晶胞中的位置(3分) z^=.05jB
（2）写出此晶体的化学组成（分子式）(3分) qGG
（3）计算该晶体前三条衍射线的d值（5分） hYRG Ipu5
（4）指出Ti4+和Sr2+的配位数（4分） g;)xf?A9q
（5）计算Ti-O和Sr-O键长（5分） IxC/X5Mp^q
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2001年第二期招收博士研究生入学考试试题 [OJ@{{U%
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第一部分： Z M"J5}h
（共6题，选做4题，每题15分，总计60分。这部分只能选做4题，如超出规定范围，阅卷时按前4题计分。） %m[
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1.写出七大晶系，并指出每一晶系包含哪几种布拉伐格子（Bravais Iattice）. _urv
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2.怎样用能带论来理解导体、绝缘体、及半导体之间的区别？ a x 1
3.简单推导布洛赫（Bloch）定理。 iyNyj44
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4.对于一个二维正方格子，晶格常数为ａ， I=)Hb?q T~
? 在其倒空间画图标出第一、第二和第三布里渊区； D&_Ir>"\
? 画出第一布里渊区中各种不同能量处的等能面曲线； Qj(q)!Ku
? 画出其态密度随能量变化的示意图。 H?tonG.^(
5.晶体中原子间共有多少种结合方式？简述它们各自的特点。
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6.推导低温及闲暇的热容量表达式（表示为温度、地摆温度、气体常数和必要的数学常数的函数）。 ]F5?>du@~
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第二部分： [B3qZ"
（共8题，选做5题，每题8分，总计40分。这部分只能选做5题，如超出规定范围，阅卷时按前五题计分。） HrQB
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1. 简述晶体中主要缺陷类型（至少答三种）。 c/.U<
2. 在一维周期场近自由电子模型近似下，格点间距为ａ，请画出能带E(k)示意图，并说明能隙与哪些物理量有关。 _ +Ww1 f
3. 简述大块磁体为什么会分成许多畴，为什么磁畴的分割不会无限进行下去？ |GgFdn`>
4. 简述固体中的两种常见的光吸收过程和各自对应的跃迁。 WP&P#ju&
5. 写出相律的表达式及其各参数的意义。 ,lSt}Lml
6. 简述朗道能级的由来。哪一些物理现象与此有关？ = fa!"$J3
7. 简述半导体的导电机理，分析其电导率的温度关系？ *qKPZb~
8. 简述超导体的两个主要特征。
