2003年博士入学考试专业基础试卷
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1. 请解释下列名词 9LCV"xgX
（1） 声子（2）布里渊区（3）螺旋轴（4）晶体色心（5）结构因子 pN%L3?2
2. 试推导体心格子的消光规律 ,ci
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3. 画出含有两个化合物并包含共晶反应和包晶反应的二元相图，注明相应的共晶和包晶反应的成分点和温度 O o=} j
4. 简述相图在晶体生长中的应用 9>%f9 9n
5. 简述影响多晶X射线衍射强度的因素 <VgnrqF6:
6. 试列出三种重要的功能材料并简述其性能 :X2B+ }6_&
7.某立方晶系化合物，晶胞参数ａ=4.00A，晶胞中顶点位置为Ti4+所占，体心位置为Sr2+所占，所有棱心位置为O2-所占。 > cSc
（1）用分数坐标表示诸离子在晶胞中的位置(3分) 3G5i+9Nt.L
（2）写出此晶体的化学组成（分子式）(3分) 4[+n;OI
（3）计算该晶体前三条衍射线的d值（5分） Fwho.R-.
（4）指出Ti4+和Sr2+的配位数（4分） HjV8 3S;
（5）计算Ti-O和Sr-O键长（5分） P9Rq'u
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2002年第二期博士入学考试专业基础试卷 ogjm6;
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（每题20分，任选5题，也可全做） R.>
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1. 请解释下列名词 F/@#yQv?
（1） 二级相变（2）布里渊区（3）滑移面（4）无公度结构（5）结构因子 d!w32Y,.
2. 试推导一种底心格子的消光规律 ~v+&
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3. 请举例说明固溶体的类型及其测定方法 8(uxz84ce
4. 简述相图在晶体生长中的应用 T6AFwo,Q
5. 请简述晶体中的主要缺陷 $@Hw DRP
6. 试列出三种重要的功能材料并简述其性能 m,*t} j0 7
7.某立方晶系化合物，晶胞参数ａ=4.00A，晶胞中顶点位置为Ti4+所占，体心位置为Sr2+所占，所有棱心位置为O2-所占。 6>bKlYl&9
（1）用分数坐标表示诸离子在晶胞中的位置(3分) 1N:eM/a
（2）写出此晶体的化学组成（分子式）(3分) p &Xb Xg-
（3）计算该晶体前三条衍射线的d值（5分） I uhyBo
（4）指出Ti4+和Sr2+的配位数（4分） zif()i
（5）计算Ti-O和Sr-O键长（5分） 5#WZXhlc}
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2001年第二期招收博士研究生入学考试试题 =\oNu&Q^
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第一部分： Dr`A4LnqY
（共6题，选做4题，每题15分，总计60分。这部分只能选做4题，如超出规定范围，阅卷时按前4题计分。） <0&];5
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1.写出七大晶系，并指出每一晶系包含哪几种布拉伐格子（Bravais Iattice）. bpKb<c
2.怎样用能带论来理解导体、绝缘体、及半导体之间的区别？ ( 8H
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3.简单推导布洛赫（Bloch）定理。 ^ "*r'
4.对于一个二维正方格子，晶格常数为ａ， F+c*v#T
? 在其倒空间画图标出第一、第二和第三布里渊区； {e>}.R
? 画出第一布里渊区中各种不同能量处的等能面曲线； [.3M>,)+-
? 画出其态密度随能量变化的示意图。 N V*t
5.晶体中原子间共有多少种结合方式？简述它们各自的特点。 7j._3'M=Kc
6.推导低温及闲暇的热容量表达式（表示为温度、地摆温度、气体常数和必要的数学常数的函数）。 'nW:2(J
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第二部分： mezP"N=L~
（共8题，选做5题，每题8分，总计40分。这部分只能选做5题，如超出规定范围，阅卷时按前五题计分。） C2DNyMu
1. 简述晶体中主要缺陷类型（至少答三种）。 njvmf*A?S
2. 在一维周期场近自由电子模型近似下，格点间距为ａ，请画出能带E(k)示意图，并说明能隙与哪些物理量有关。 %
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3. 简述大块磁体为什么会分成许多畴，为什么磁畴的分割不会无限进行下去？ P +o CcYp
4. 简述固体中的两种常见的光吸收过程和各自对应的跃迁。 X8?|5$Ey
5. 写出相律的表达式及其各参数的意义。 QeU>%qK T
6. 简述朗道能级的由来。哪一些物理现象与此有关？ X~n Kuo
7. 简述半导体的导电机理，分析其电导率的温度关系？ k6G23p[9
8. 简述超导体的两个主要特征。
