华南理工集成电路分析与设计考博大纲

数字集成电路分析与设计David A. Hodges, Horzce G. Jacjson & Resve A. Saheh，清华大学出版社，2004.8，或此书的中译本：蒋安平、王新安、陈自力等译，电子工业出版社。网上提供考试大纲。 &_G^=Nc,H

一、主要考试内容
1.MOS晶体管及其模型，MOS晶体管的结构、特性方程，垮导、阈值电压，MOS电容，速度饱和，短沟道效应，spice模拟中的深亚微米MOSFET模型参数，BSIM模型概况和应用特点；
2.CMOS IC的主要工艺流程，控版图设计规则和电学设计规则，CMOS逻辑门单元版图识读；
3.CMOS门电路：反相器、基本逻辑门、异或门、多路选择器、触发器和锁存器、CMOS门电路的功耗。传输门及典型传输门逻辑电路；
4.CMOS IC的功耗分析，传输延迟，和门电路的噪声容限；
5.Verilog HDL 或VHDL硬件描述语言，语言的数据类型，语法，主要语句及其描述方法，运用语言描述一些典型单元的设计；
6.半导体存储器：SRAM，DRAM，EEPROM，Flash RAM 等典型单元架构，工作（写读擦）原理，相应存储器构成；
二、建议参考书（与上述考试内容的相关内容）；
1、《数字集成电路分析与设计》（第三版），David A. Hodges, Horzce G. Jacjson & Resve A. Saheh英文版：清华大学出版社， 2004.8；中文版，蒋安平等译，电子工业出版社，2005.9.
2、IC设计基础，任艳颖，王彬编著，西安电子科技大学出版社。
3．CMOS集成电路设计，陈贵灿，邵志标，程军，林长贵，西安交通大学出版社。

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关键词: 2014 考博参考书

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