华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 M8g=t[\
?rv+ydR/q
第一篇MOS 逻辑集成电路 AE<AEq
DU[UGJg
MOS晶体管工作原理 xy|;WB
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 F<^,j7@
2&=;$2?}
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 Mr`u!T&sc
|Yk23\!
1.3 MOS晶体管的电流方程 }>p)|YT"/
%n-LDn
1.4 MOS瞬态特性 kmP0gT{Sj
DE. Pw+5<.
MOS器件按比例缩小 "+7~C6[s
2.1 按比例缩小理论 .JH3,L"S^
0<o#;Z
Q]
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 );$~/H4
AWf zMJ;VS
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 MiRMjQ2
WM
>9sJf
2.4 VLSI发展的实际限制 r]8B6iV
K` U\+AE
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 h~F uuL
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 E=7"};
^]Gt<_
3.2 CMOS IC 工艺流程 i{%~&!
W'6*$Ron
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 ?+dI/jB4X
)"f>cYF
CMOS反相器和CMOS传输门
W_kJb
4.1 CMOS反相器的直流特性 'g ,Oi1|~
,ZH)[P)5P
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 I.\u2B/?
iRPd=)
4.3 CMOS 反相器的功能
5oORwOP
N*@bJ*0
4.4 CMOS反相器设计 )Hw;{5p@
~6@~fhu
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 drN^-e
A0&~U0*(~
4.6 CMOS传输门 >~XX'}
UpB7hA
CMOS静态逻辑电路设计 W.H_G.C%
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 M0_K%Z(zaR
'!En,*'IS
5.2 CMOS与非门的分析 EStHl(DUPq
\Lh,dZ}d
5.3 CMOS或非门的分析 MA"iM+Ar
8/=[mYn`-
5.4 CMOS与非门与或非门的设计
!y*V;J
m#8KCZS
5.5 组合逻辑电路的设计 1w\Y._jK
c*6o{x}K
5.6 类NMOS电路 ]4hXK!^Uu
i?|K+"=D
5.7 传输们逻辑电路 9E
(>mN
8f29Hj+
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 a9D5qj
Qaagi
`
动态和时序逻辑电路设计 z*x6V0'yt
6.1 动态逻辑电路的特点 ~|!q>z
z<@$$Z=0UF
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 `D#l(gZ
FRfMtxvU
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 o AQ92~b
XY%8yII6
6.4 时钟CMOS(C2MOS) -=g`7^qa>
3V,X=
6.5 无竞争(NORA)动态CMOS电路 w.0.||C
O
A.<X78!^
6.6 CMOS触发器 H ) (K
[
BN2c
6.7 时序逻辑电路 ~oaVH.[e=
b?bIxCA8
输入、输出缓冲器 Y,)9{T
7.1 输入缓冲器 ,lN!XP{M6w
Sb{S^w\m0
7.2 输入保护电路 dxASU|Yo9
<F!:dyl
7.3 输出缓冲器 jCa{WV:K}
_abVX#5<
7.4 脱片输出驱动级的设计 heh!cDK
6
a$%
7.5 三态输出和双向缓冲器 cBm3|@7
-(1e!5_-@
MOS存储器 )p!dqlK
8.1 DRAM W C`1;(#G
(+Uo;)~!YC
8.2 SRAM E+3~w?1
tPp}/a%D
8.3 ROM和PLD '.^JN@
JLG5`{
MOS IC的版图设计 Dxu)by
9.1 VLSI的设计方法 K:9.fTCs*
XRNL;X%}7
9.2 门阵列和标准单元设计方法 Sa<R8X'J
J7E/2Sl
9.3 版图设计 |]B]0J#_
NuXU2w~
SOICMOS简介 w$t2Hd
10.1 SOI CMOS工艺 v=W%|iZ
"<.b=mN-
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 ry
U0x
Dk7"#q@kx
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应
Uz62!)
L' )(Zn1
BiCMOS电路 4<O[d
11.1 MOS和双极型器件性能比较 FEP\5d>
Dljq
11.2 BiCMOS工艺和器件结构 >MhkNy
@r
.K>+1
11.3 BiCMOS逻辑门的设计 g xLA1]>{
O=+C Kx@
11.4 BiCMOS和CMOS电路性能的比较 _R8-Hj E
vR`KRI`{
11.5 BiCMOS电路实例 _mO\Nw0
<Z0Tz6/j,
MOS 逻辑集成电路(续) Cf10 ud
nMOS逻辑集成电路 *.K}`89T
6-1 电阻负载MOS倒相器 N
.Ssz
Zh
0_Y;r{3m"
6-2 E/E MOS 倒相器 hxtu^E/
,v^it+Jc'
6-3 自举负载MOS 倒相器 M`5^v0,C
TRQva8d?
6-4 E/D MOS 倒相器 `@:^(sMo
`9F'mT#o/
6-5 静态MOS电路 V 1Fdt+#
=izB :
CMOS集成电路 LS \4y&J40
7-1 CMOS 倒相器 IYrO;
GQ
_H;ObTiB
7-2 CMOS传输门 9x:c"S*
&-&6ARb7o
7-3 静态CMOS 电路 ]6(NeS+
|w:\fK[
7-4 CMOS 门电路的设计 D!y
Cnq=8
<vPIC G)
7-5 CMOS电路中的锁定效应
vk$]$6l2
he!e~5<@y
动态和准静态MOS电路 8S)k]$ wf%
8-1 栅电容的电荷存储效应 x0 j$]$
Qn6&M
8-2 动态MOS倒相器 {o;J'yjre1
~s
!+9\Fi
8-3 动态MOS电路 J%%nv5y
5Rc
5/ m
8-4 准静态MOS触发器 7$/ O{GBJ
p>!`JU`{?
8-5 动态和准静态CMOS电路 &%FpNU9
)<!y_;$A
MOS集成电路的版图设计 `L0}^|`9
9-1 MOS集成电路的工艺设计 ( vgoG5
.( 75.^b2)
9-2 MOS集成电路版图设计 L0Xb^vx}m
nIdvff
9-3 MOS集成电路版图设计举例 :Oy9`vv
vJK0>":G
MOS大规模集成电路 F~&bgl[YZ
10-1 LSI电路中的CAD技术 ~6E
`6;`
3~"G27,
10-2 HMOS技术 YJF!_
kg.
P!1y@R>Ln
10-3 MOS存储器 ^!?W!k!:V
vz/.*u
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 e")s1`
xyBWV]Y
10-5 半定制逻辑电路 'IKV%$k
[3}m
|W<
模拟集成电路 4f'1g1@$
模拟集成电路中的特殊元件 k0Rd:DxO
11-1 横向pnp管 _e7Y
R+
`ZC_F!
E
11-2 纵向pnp管 T}M!A|
vYcea
11-3 超增益晶体管 ,l1A]Wx
<My4 )3
11-4 隐埋齐纳二极管 .SAOE'Foo
ViKN|
W>T
11-5 集成电路中的电容器 E
g$ I
"**Tw'
11-6 薄膜电阻器 !?#B*JGFS
U9[QdC
模拟集成电路中的基本单元电路 5%Hw,h
12-1 差分放大器 Utd`T+AF*
!Z]#1"A8
12-2 恒流源电路和有源负载 # 3UrGom
+#ufW%ZG
12-3 基准源电路 (JenTL`%u
R2,Z`I
12-4 模拟开关 NhG?@N
{8p<iY- %
集成运算放大器 s3<gq x-&r
13-1 运算放大器的基本概念 ,58XLu
:O)\+s-
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 @-zL"%%dw'
l5P!9P
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 Y2$wL9">
<<WqL?8W
13-4 µA741通用型运算放大器
ERTjY%A
)?y
${T
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 FT8<a }o
'Hf+Y/`
模拟集成电 G'#Uzwo
14-1 集成电压 9u?[{h.`B
\gCh'3
14-2 D/A转换器 1L;3e@G
v]h^0WU
14-3 A/D转换器 V*6o |#
p!/!ZIo
14-4 MOS模拟集成电路 )Szn,
>BWe"{ ;
模拟集成电路的版图设计 L_`D
15-1 模拟集成电路版图设计特点 `a6AES'w$
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9/
15-2 模拟集成电路中的相容技术 N(J'h
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15-3 µA741运算放大器版图设计分析 7u`:e,'
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2004.7.7