华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 #]\Uk,mhZB
on4HKeO
第一篇MOS 逻辑集成电路 z<MsKD0Q
'+@=ILj>
MOS晶体管工作原理 eb?x9h
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 ]=\].% >
C"y(5U)d
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 8'[~2/
i}cRi&2[
1.3 MOS晶体管的电流方程 wi!?BCseq
A[B<~
1.4 MOS瞬态特性 lqy Qf$t
v_yw@
MOS器件按比例缩小 &j;wCvE4+
2.1 按比例缩小理论 2_>N/Z4T
91/Q9xY
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 \<bx[,?
&w\{TZ{
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 9p]QM)M
Usvl}{L[
2.4 VLSI发展的实际限制 -uS!\
YqscZ(L:y
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 9i:L&d
N
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 j;zM{qu_
GblA9F7
3.2 CMOS IC 工艺流程 KR}?H#%
Q3'llOx
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 Z{*\S0^ST
XPc^Tq
CMOS反相器和CMOS传输门 PI {bmZ
4.1 CMOS反相器的直流特性 ./Xz}<($8
L;z?aZ7n
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 +|3@=.V
FaAC&F@u
4.3 CMOS 反相器的功能 -_g0C^:<,
b`Zx!^
4.4 CMOS反相器设计 38B2|x
vO^m;['
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 yX>K/68
[(i
4.6 CMOS传输门 w{8xpAqm
/8'NG6"H`
CMOS静态逻辑电路设计 ;?Tbnn Wn
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 n`_{9R
RMV/&85?y
5.2 CMOS与非门的分析 ;+R&}[9,A)
g/d<Zfq<{
5.3 CMOS或非门的分析 EU 6 oQ
/KaZHR.
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 =j_4S<
rBzuKQK}J
5.5 组合逻辑电路的设计 NN{?z!
"S]0
5.6 类NMOS电路 4"(Bu/24
F
{e@W([
5.7 传输们逻辑电路 u@)U"FZ
Mx ?d
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 B"w?;EeV.
jRlYU`?
动态和时序逻辑电路设计 p`
dU2gV
6.1 动态逻辑电路的特点 s\(k<Ks
gs[uD5oo<
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 7F7{)L
,-LwtePJ0
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 M/'sl;
NNR`!Pty
6.4 时钟CMOS(C2MOS) ZQsJL\x[UK
&{hL&BLr
6.5 无竞争(NORA)动态CMOS电路 d"mkL-
9&2O9Nz6
6.6 CMOS触发器 bo>*fNqAIy
On:il$MU
6.7 时序逻辑电路 xrz,\eTb
b5I I/Y
输入、输出缓冲器 AT3cc
7.1 输入缓冲器 ~$cV:O7
<c-=3}=U\
7.2 输入保护电路 ZY= {8T@
wu!59pL
7.3 输出缓冲器 :{v#'U/^
F#Ryu~,"
7.4 脱片输出驱动级的设计 (0r3/t?DQ
-#[a7',Z;
7.5 三态输出和双向缓冲器 6Q@j
}O5i/#.lR
MOS存储器 -H@:*
8.1 DRAM (!aNq(
Oh`69
k
8.2 SRAM ]L $\
#
A]0
St@
8.3 ROM和PLD AaOuL,l
M61xPq8y5
MOS IC的版图设计 $E~`\o%Ev
9.1 VLSI的设计方法 L|:`^M+^w
=E4LRKn
9.2 门阵列和标准单元设计方法 Y|f[bw
KIf dafRL
9.3 版图设计 kk@f
L
,t?B+$E
SOICMOS简介 rC% *$g $
10.1 SOI CMOS工艺 HGs $*
6+|do+0Icg
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 3g,`.I_
M*, -zGr
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 Vpz\.]
_[c0)2h
BiCMOS电路 6:[dj*KGmT
11.1 MOS和双极型器件性能比较
}<v@01
9@(PWz=`?
11.2 BiCMOS工艺和器件结构 JN-y)L/>
FEz-+X<q2
11.3 BiCMOS逻辑门的设计 P6-s0]-g
8B
K(4?gC
11.4 BiCMOS和CMOS电路性能的比较 pYZmz
yy^q2P
11.5 BiCMOS电路实例 ooj,/IEQ
@]%IK(|
MOS 逻辑集成电路(续) #uG%j
nMOS逻辑集成电路 x:NY\._
6-1 电阻负载MOS倒相器 mP~QWx![N
~S"+S/z/k
6-2 E/E MOS 倒相器 2/\r)$
2i
~F|+o}a`
6-3 自举负载MOS 倒相器 ~*&H$6NJS
w7.V6S$Ga
6-4 E/D MOS 倒相器 +ZaSM~
9iIhte.
6-5 静态MOS电路 vAF
"n
gZ3u=uME
CMOS集成电路 Ct <udO
7-1 CMOS 倒相器 FF`T\&u
Olt?~}
7-2 CMOS传输门 .nf#c.DI
Eak$u>Fd8c
7-3 静态CMOS 电路 T\6dm/5
j|DsG,
7-4 CMOS 门电路的设计 KI iO
oQ/E}Zk@
7-5 CMOS电路中的锁定效应 "yy5F>0Wt
ntX3Nt_n
动态和准静态MOS电路 k<nZ+! M
8-1 栅电容的电荷存储效应 )5Q~I,dP
$u6"*|
8-2 动态MOS倒相器 [B*x-R[FI
vFzRg5lH
8-3 动态MOS电路 1APe=tJ
b4%??"&<Y
8-4 准静态MOS触发器 1Z/(G1
u
OmtyX
8-5 动态和准静态CMOS电路 Jc&{`s^Nu
P-9)38`5
MOS集成电路的版图设计 q5J5>
9-1 MOS集成电路的工艺设计 ,a{P4Bq
8rAg\H3E
9-2 MOS集成电路版图设计 > ym,{EHK
kf\PioD8
9-3 MOS集成电路版图设计举例 R^8o^z['6u
n$A9_cHF7
MOS大规模集成电路 {K~ 'K+TPu
10-1 LSI电路中的CAD技术 R"/GQ`^AqA
v|)4ocFK
10-2 HMOS技术 n K1Slg#U
9d0@wq.
10-3 MOS存储器 gs^Xf;gvI
nI?[rCM
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 ^2:p|:Bz!l
]#iigPZ7
10-5 半定制逻辑电路 RN1y^`
"@^k)d$
模拟集成电路 f=+m
IZ
模拟集成电路中的特殊元件 ydEoC$?0
11-1 横向pnp管 >>4qJ%bL
M5LfRBO
11-2 纵向pnp管 KWbI'}_z
w0 M>[ 4
11-3 超增益晶体管 a
K[&V't~
P_^ +A
11-4 隐埋齐纳二极管 "`/h#np
\k7"=yx
11-5 集成电路中的电容器 djl*H
u=
*FI
11-6 薄膜电阻器 *g "Nq+i@
+yG~T
模拟集成电路中的基本单元电路 /obfw^
12-1 差分放大器 JJ-( Sl
d UE,U=
12-2 恒流源电路和有源负载 *uRBzO}
dw>C@c#"
12-3 基准源电路 4/~E4"8
x
M/+L:_<
12-4 模拟开关 caR<Kb:;*
IxN9&xa
集成运算放大器 h]&GLb&<?
13-1 运算放大器的基本概念 .&iawz
?/E~/;+7=
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 yf.~XUk^
nIf1sH>
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 CT<7mi!
e`_
LEv
13-4 µA741通用型运算放大器 ij`w} V
9Q^r
O26+
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 qbN
=4
,Ks8*;#r
模拟集成电 l~q\3UKlt
14-1 集成电压 .k%72ez
)T2Caqs2
14-2 D/A转换器 /)>3Nq4Zx
SYJD?&C;
14-3 A/D转换器 VQt0 4?
[
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q1T3
14-4 MOS模拟集成电路 FIhk@TKa
&-6Gc;f8
模拟集成电路的版图设计 CNyIQ}NJ
15-1 模拟集成电路版图设计特点 zrgk]n;Pq
)F>#*P
15-2 模拟集成电路中的相容技术 bl;1i@Z*M
'@KEi%-^>
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 } 9Eg=%0v
UKvW Jnz
2004.7.7