华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 K
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qaSv]k.
第一篇MOS 逻辑集成电路 LF,c-Cv!jL
F
Uv)<rK
MOS晶体管工作原理 K/LaA4
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 V@s/]|rf,
/
)<7$
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 w\Eve:
*q9$SDm
1.3 MOS晶体管的电流方程 l[j0(T
7&U+f:-w
1.4 MOS瞬态特性 9(Xch2tpO!
|P?B AWYeQ
MOS器件按比例缩小 I)4|?tb?
2.1 按比例缩小理论
M]:B: ;
sN/Xofh
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 T//+&Sk[
.cK
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 n7<-lQRaxZ
o~N-x*
2.4 VLSI发展的实际限制 24k}~"We
t-{OP?cE1
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 Ho
{?m^
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 VH*(>^OfF
'n`$c{N<tM
3.2 CMOS IC 工艺流程 j>=".^J
\shoLp
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 lw lW.C
g5]DA.&(
CMOS反相器和CMOS传输门 438>)=
4.1 CMOS反相器的直流特性 M#IR=|P]
g4932_tC
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 N1+]3kt ~
_dY}86{
4.3 CMOS 反相器的功能 0;`PHNBq
.h }D%Qa
4.4 CMOS反相器设计 x@x@0k`
A2
}e6:&`a xD
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 ucO]&'hu:
nP
/$uj
4.6 CMOS传输门 ;#Nci%<J\
&wvv5Vd
CMOS静态逻辑电路设计 &}?e:PEy
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 a_x6 v*
m]vr|:{6/
5.2 CMOS与非门的分析 G 3x1w/L
hWJc
A.A
5.3 CMOS或非门的分析 sJvn#cS
>TJ$Z3
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 yLX\pkAt4
M?`06jQD.
5.5 组合逻辑电路的设计 Plv+ mb
cPYQ<Y=
5.6 类NMOS电路 r~t7Z+PXF
CSs6Vm!=
5.7 传输们逻辑电路 _XtY
/7n
XQPJ(.G
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 %Z|*!A+wN5
l@
K<p
动态和时序逻辑电路设计 8a{g EZT,
6.1 动态逻辑电路的特点 \~>#<@h
`x3c},'@k
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 FS0SGBo
Nt?B(.G
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 8?!Vr1x
inPGWG K]
6.4 时钟CMOS(C2MOS) ~yV0SpL
n@f@-d$m\<
6.5 无竞争(NORA)动态CMOS电路 li?Gb1
n&^Rs)%v
6.6 CMOS触发器 FqySnr JQ
&%<G2x$
6.7 时序逻辑电路 hO8B]4=&*
]v#Q\Q8>
输入、输出缓冲器 9ZwhCsO
7.1 输入缓冲器 a[!':-R`s
G7u7x?E:B`
7.2 输入保护电路 3JwmLGj}
y9 "!ys
7.3 输出缓冲器 mYZH]oo
Ty>`r n
7.4 脱片输出驱动级的设计 9E+^FZ e
1cPi>?R:
7.5 三态输出和双向缓冲器 T
^uBMDYe
vg<_U&N=-r
MOS存储器 s`TfNwDvU
8.1 DRAM mR@iGl\\
!9-dS=:Y
8.2 SRAM Upf1*$p
Yk }zN_v
8.3 ROM和PLD
uu HWN|
Q16RDQ*
MOS IC的版图设计 zg]9~i8
9.1 VLSI的设计方法 ).LJY<A
bBGLf)fsTG
9.2 门阵列和标准单元设计方法 {jbOcx$t
iYFM@ta
9.3 版图设计 8I
JFQDGA9
T<! T
mG
SOICMOS简介 Dzb@H$BQ7
10.1 SOI CMOS工艺 (Ys0|I3
233jT@Z
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 Nq-qks.&
I~EJctOG
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 x-cg df
<.#i3!
BiCMOS电路 zK?[6n89f
11.1 MOS和双极型器件性能比较 zoA]7pG-
aR+vY1d"
11.2 BiCMOS工艺和器件结构 j&u{a[Y/}
(zte 'F4
11.3 BiCMOS逻辑门的设计 |G }qY5_
624l5}@:
11.4 BiCMOS和CMOS电路性能的比较 #Mrof9
!np-Jmi
11.5 BiCMOS电路实例 l 'm!e '7_
J.35Ad1hM
MOS 逻辑集成电路(续) $zKf>[K
nMOS逻辑集成电路 *7FtEk/l
6-1 电阻负载MOS倒相器 /c6:B5G
Onz@A"
6-2 E/E MOS 倒相器 V 9bn
M*<Ee]u
6-3 自举负载MOS 倒相器 `r+zNJ@q
?)X0l
6-4 E/D MOS 倒相器 NU"Ld
+gw
9#cPEbb~
6-5 静态MOS电路 0w<vc}
{t
fAYp\k
CMOS集成电路 L.X"wIs^
7-1 CMOS 倒相器 \I"n~h^_
2D;2QdO
7-2 CMOS传输门 1)Z4
(_
ZB+~0[C
7-3 静态CMOS 电路 GBSuTu8
]Ub"NLYV
7-4 CMOS 门电路的设计 YUjKOPN
"*8>` 6 E
7-5 CMOS电路中的锁定效应 F,}7rhY(U^
T0|hp7
WM
动态和准静态MOS电路 [[s^rC<d
8-1 栅电容的电荷存储效应 <P@ "VwUX
{c}n."`
8-2 动态MOS倒相器 hm,H3pN
y3@m1>]09
8-3 动态MOS电路 _J&IL!S2
%6Y\4Fe
8-4 准静态MOS触发器 O[+\` 63F=
wd*V,ZN7
8-5 动态和准静态CMOS电路 >)t-Zh:n
8}aSSL]
MOS集成电路的版图设计 }6To(*
9-1 MOS集成电路的工艺设计 V~7Oa2'#B
KBI36=UV
9-2 MOS集成电路版图设计 ZdJQ9y
iw^"?:'%
9-3 MOS集成电路版图设计举例 J\?d+}hynX
LG
vPy
MOS大规模集成电路 Wb#ON|.2
10-1 LSI电路中的CAD技术 ]]hsLOM]
TOsHb+Uv
10-2 HMOS技术 >mMmc!u>G
$aY:Z_s
10-3 MOS存储器 G(hzW%P
z:d+RMA
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 l8 XY
2 W Wr./q
10-5 半定制逻辑电路 i%otvDn1
w/wU~~
模拟集成电路 }4_c~)9Q
模拟集成电路中的特殊元件 :Oc&{z?q
11-1 横向pnp管 8]&lUMaqVZ
k(wJ6pc
11-2 纵向pnp管 u\@L|rh
0hX@ta[Up
11-3 超增益晶体管 .GuZV'
C<hb{$@
11-4 隐埋齐纳二极管 4.'KT;[_1/
F>rf
cW2
11-5 集成电路中的电容器 }9>X M
hionR)R4
11-6 薄膜电阻器 )4bZ;'B5
2O)2#N
模拟集成电路中的基本单元电路 2s8(r8 AI
12-1 差分放大器 &Qq4xn+J
My\
12-2 恒流源电路和有源负载 o!M*cyq
-~ycr[}x
12-3 基准源电路 YK|Y^TU^
js8\"
12-4 模拟开关 |A@Gch fd
'BwM{c-O"
集成运算放大器 G.c@4Wz+
13-1 运算放大器的基本概念 6Bfu89
7<VfE`Q3
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 6'N!)b^-
xj!_]XJ^w
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 6">jf #pE
RU'DUf
13-4 µA741通用型运算放大器 '((Ll
^y"$k
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 _"`U.!3*
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94u%'
模拟集成电 '2%/h4jY
14-1 集成电压 "@I"0OA
B1A5b=6G<
14-2 D/A转换器 -ijQTB
_r|$H_#
14-3 A/D转换器 3rZ" T
^9UF
Pij"
14-4 MOS模拟集成电路 |8"~o u:.
SS;QPWRZ
模拟集成电路的版图设计 w%k)J{\
15-1 模拟集成电路版图设计特点 Ga%]$4u
3HA$k[%7P
15-2 模拟集成电路中的相容技术 h tn2`
7
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15-3 µA741运算放大器版图设计分析 |Tz4 xTK
LxVd7r VY6
2004.7.7