华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 IBh~(6
<DS6-y
第一篇MOS 逻辑集成电路 c<e\JJY5?
CF_!{X_ k}
MOS晶体管工作原理 `1]9(xwhQ0
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 Bdepvc}[#
] '/]j
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 QGy=JH b
UV.9 KcN.
1.3 MOS晶体管的电流方程 J }CK|}
Bx4GFCdifC
1.4 MOS瞬态特性 n`xh/vGm#
qw1J{xoHW
MOS器件按比例缩小 w-Fk&dC69
2.1 按比例缩小理论 EQC
A l}PJz\
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 wgr O W]e
J7o?h9
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 "@$STptkc
)A=g#
D#
2.4 VLSI发展的实际限制 ypo=y/!
!@k @7~i
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 c\MDOD%9
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 5 &= n
: PkZ(WZ9
3.2 CMOS IC 工艺流程 b0 `9wn
vI}S6-"<
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 ped Yf{T
:G/]rDtd
CMOS反相器和CMOS传输门 T]-~?;Jh8
4.1 CMOS反相器的直流特性 ZH_4'm!^g|
',Pk>f]AB-
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 >irT|VTf
#)
}bUNc'
4.3 CMOS 反相器的功能 ZY$@_D OB}
LfXr(2u
4.4 CMOS反相器设计 KdsvZim0>
h xJgxM
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 wJ* -K-
X.9MOdG70
4.6 CMOS传输门 AiHf?"EVT
N==_'`O1Q0
CMOS静态逻辑电路设计 }px]
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 v} ;qMceJ
>ImM~SR)
5.2 CMOS与非门的分析 [iy;}5XK
yUwgRj
5.3 CMOS或非门的分析 h!CX`pBM
v/.h %6n?
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 bMOM`At>z
w?W e|x3
5.5 组合逻辑电路的设计 9Ru%E>el-
z
T T
5.6 类NMOS电路 k&iScMgCTH
,T*_mDVY
5.7 传输们逻辑电路 Mq lo:7
^F
A-
C)w/7
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 yZ)aKwj%U
2*wO5v
动态和时序逻辑电路设计 m
?% H<4X
6.1 动态逻辑电路的特点 tDHHQ
OK?3,<x
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 >dvWa-rNUT
(X_ ,*3Yxk
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 :`u&TXsu
<kX
V1@>
6.4 时钟CMOS(C2MOS) _Z66[T+M
%*6oUb
6.5 无竞争（NORA）动态CMOS电路 ^&';\O@)
Tb0;Mbr
6.6 CMOS触发器 :{i$2\D H6
<+-Yh_D
6.7 时序逻辑电路 %6IlE.*,
S|q!? /jqj
输入、输出缓冲器 [b i3%yWh
7.1 输入缓冲器 x\J;ZiWwW
H
MjeGO.i
7.2 输入保护电路 :ONuWNY
N
[71#@^ye
7.3 输出缓冲器 Y!=
k
Q%n{*p y
7.4 脱片输出驱动级的设计 \n*7# aX/
,bVS. A'o
7.5 三态输出和双向缓冲器 fZ6 fV=HEF
&8Jg9#
MOS存储器 JIP+ !2
8.1 DRAM ia^%Wg7
.@ i0U
8.2 SRAM $W/+nmb)@K
aVQSN
8.3 ROM和PLD bCA2ik
#
cN_ y
MOS IC的版图设计 S$jV|xK B
9.1 VLSI的设计方法 so!w !O@@
vnC<* k4&v
9.2 门阵列和标准单元设计方法 zNV!@ Yr
W,H H
*!
9.3 版图设计 7b&JX'`Mb
)D[ "M$ZA^
SOICMOS简介 la\zaKC;>
10.1 SOI CMOS工艺 r zM Fof
:DdBn.
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 yn/?=
?0
'yPCZ`5H(
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 9Fy\t{ks
+Lm3vj_ N
BiCMOS电路 h4CTTe)
11.1 MOS和双极型器件性能比较 V~(EVF{h
r } /yi
11.2 BiCMOS工艺和器件结构 2;r]g T~
E rop9T1
11.3 BiCMOS逻辑门的设计 ?EI'^xg
p?+lAbe6H
11.4 BiCMOS和CMOS电路性能的比较 0a"ig H}
kOs(?=
11.5 BiCMOS电路实例 :s'o~
<eB<^ &nd
MOS 逻辑集成电路（续） QS3U)ZO$@
nMOS逻辑集成电路 fCgBH~w,9
6-1 电阻负载MOS倒相器 Ua):y) A
G 9DJa_]X
6-2 E/E MOS 倒相器 Ho 3dsh )
)O,wRd>5
6-3 自举负载MOS 倒相器 P DRnW
Lltc 4Mzw
6-4 E/D MOS 倒相器 gRBSt
M&hU
bf& }8I$
6-5 静态MOS电路 p6`Pp"J_tr
3pvYi<<D'
CMOS集成电路 9]"S:{KSCn
7-1 CMOS 倒相器 l^ .K'Q1~a
&~RR&MdZ2
7-2 CMOS传输门 bF*NWm$Lf
Ng\/)^
7-3 静态CMOS 电路 fX_#S|DlSG
:z]}ZZ
7-4 CMOS 门电路的设计
3P1&;
!lAD
q|$
7-5 CMOS电路中的锁定效应 #O
"
P''X_1oMC
动态和准静态MOS电路 ~4Pc_%&i
8-1 栅电容的电荷存储效应 :p' VbQZ{
9qKzS<"h
8-2 动态MOS倒相器 } ^i b
+iy 7e6P
8-3 动态MOS电路 &rp!%]+xAM
2#3^skj
8-4 准静态MOS触发器 LOr|k8tL%
R [LsE^
8-5 动态和准静态CMOS电路 sc W'AJJq
ZsZcQj6G,
MOS集成电路的版图设计 6-B 9n a
9-1 MOS集成电路的工艺设计 @wp4 |G
_tAQ=e BO
9-2 MOS集成电路版图设计 P}V=*g
ub
Y
G
9-3 MOS集成电路版图设计举例 ;gMgj$mI
!"Q}R p
MOS大规模集成电路 w%dL 8k
10-1 LSI电路中的CAD技术 /
RT%0!
a{SBC y
10-2 HMOS技术 2 -Xdoxw
-h#mn2U~3r
10-3 MOS存储器 <YFY{VC(
1 5{Y9!
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 }CDk
9 Xk
AW,OH SXh6
10-5 半定制逻辑电路 w!SkWS b,~
F7MzCZvu
模拟集成电路
npp[@*~
模拟集成电路中的特殊元件 R}:KE&tq
11-1 横向pnp管 BVw Wj-,
~ D[?$`x:
11-2 纵向pnp管 @}s$]i$|-
x; \wY'
11-3 超增益晶体管 Ucdj4[/,h
9\; |x
11-4 隐埋齐纳二极管 WO</Mw
=~KsS }`1,
11-5 集成电路中的电容器 BZv+H=b
w}R~ C
11-6 薄膜电阻器 "
=]
-%B
sJ
z@7.
模拟集成电路中的基本单元电路 5S{7En~zUE
12-1 差分放大器 D]s]"QQ8
U`|0 jJ
12-2 恒流源电路和有源负载 Q&'}BeUbm
7OCwG~_^
12-3 基准源电路 _c$9eAe
SLfFqc+n0
12-4 模拟开关
qFQ 8
X[gn+6WB%
集成运算放大器 eM7Bc4V
13-1 运算放大器的基本概念 YC_5YY (k
:!a 2]- D}
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 3bZIYF2@
P + " Y
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 ph> 7?3;t
SUKxkc(
13-4 µA741通用型运算放大器 D?yG+%&9
Rm1A>1a :
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 54-#QIx|
:0)3K7Q
模拟集成电 |tR
OL 9b
14-1 集成电压 `@[c 8j7
7@lS.w\#-
14-2 D/A转换器 Ghl'nqPlm
"<_ 0A f]
14-3 A/D转换器 kF;D BN
Uw,2}yR
14-4 MOS模拟集成电路 5zFR7/p{
-/{ 4Jf Wf
模拟集成电路的版图设计 K7Rpr. p
15-1 模拟集成电路版图设计特点 Yt|6
X:l
)o-Q!<*1
15-2 模拟集成电路中的相容技术 Xc"&0v%;#
PP:(EN1
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 1+-_s
H$G0`LP0/a
2004.7.7
