华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 o#GZ|9IL
#`Af
第一篇MOS 逻辑集成电路 F ru&-T[
JRti2Mu
MOS晶体管工作原理 m*bTELb
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 O`?qnNmc;
!4.VK-a9V%
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 &`@S_YL r
}?eO.l{
1.3 MOS晶体管的电流方程 k)j6rU
91f{qq=#J{
1.4 MOS瞬态特性 NUO#[7OK+x
ttP|}|O
MOS器件按比例缩小 :@rq+wvP
2.1 按比例缩小理论 SEKR`2Zz,
u0Q 6 +U
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 PF+
F^;C
B~ ?R 6
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 H*.v*ro9_
&0b\E73
2.4 VLSI发展的实际限制 tZXq <k9
;
No i H&
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 K ' ?`'7
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 *KV^ X(/
zQ
xTP d
3.2 CMOS IC 工艺流程 =L\&} kz B
%!\ iII
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 !U7}?i& H
$RA+StF!]
CMOS反相器和CMOS传输门 Dz3~cuVb
4.1 CMOS反相器的直流特性 (VM. ]B<
*b4
W+E
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 /B
53Z[yL
gJ H^f3
4.3 CMOS 反相器的功能 1f+z[ad&^
5yL\@7u`
4.4 CMOS反相器设计 /g>]J 70
n v
?u
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 e +Ikw1y"f
R('\i/fy
4.6 CMOS传输门 _ G$21=
y&A&d-
CMOS静态逻辑电路设计 0O f
6$`
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 v]'\]U^
\Ez&?yb/
5.2 CMOS与非门的分析 )+Yu7=S
G b4p "3
5.3 CMOS或非门的分析 cpm *m"Nk
#h#_ xh'
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 Jsa;pG=3&
dG!) <
5.5 组合逻辑电路的设计 -nZDFC8y$
SAU ` u]E
5.6 类NMOS电路 Eb8~i_B-
~ Zw37C9J
5.7 传输们逻辑电路 KP`Pzx
A>f rf[fAW
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 @zJiR{Je-U
qN^]`M[ BY
动态和时序逻辑电路设计 ey$H2z mo
6.1 动态逻辑电路的特点 Zul@aS
!
s)+] pxV0-
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 `[h&Q0Du6
bduHYs+rq
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 ky'G/ z
(/S6b
6.4 时钟CMOS(C2MOS) vcZ"4% w
S3Fj /2Q8
6.5 无竞争（NORA）动态CMOS电路 39x
4(
6%V#_]
6.6 CMOS触发器 R8Dn
GR
8mC$p6Okd
6.7 时序逻辑电路 Y2|c;1~5$
mj ,Oy
输入、输出缓冲器 (e 32oP"
7.1 输入缓冲器 U%K gLg#
gu1n0N`b
7.2 输入保护电路 F
<O<=Ww
9 1ec^g
7.3 输出缓冲器 +$R%Vbd
fK{Z{)D
7.4 脱片输出驱动级的设计 ,U fB{BW
MNX -D0`g
7.5 三态输出和双向缓冲器 hOe$h,E']
9$^v*!<z
\
MOS存储器 a61?G!]
8.1 DRAM :Ek3]`q#
,-.=]r/s
8.2 SRAM c#pVN](?
TzrU |D?
8.3 ROM和PLD d-"[-+)-
`(L <Q %
MOS IC的版图设计 |bmc 6G[
9.1 VLSI的设计方法 tU s{/Je
8;P_KRaE
9.2 门阵列和标准单元设计方法 nHB`<B
<~Tfi*^+
9.3 版图设计 hN_,Vy
f
wq3 V&@.
SOICMOS简介 4Jj O.H
10.1 SOI CMOS工艺 7033#@_
JOx""R8T5
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 *!+?%e{;b
[u`9R<>c"U
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 h>K%Ox R
d:=:l?
BiCMOS电路 E- rXYNfy
11.1 MOS和双极型器件性能比较 zXg/.z]
zf^F.wW
11.2 BiCMOS工艺和器件结构 %D}]Z=gp
c95{X y
11.3 BiCMOS逻辑门的设计 B\Y !5$
Nh|QYxOP
11.4 BiCMOS和CMOS电路性能的比较 {!vz 6 QDS
Xa32p_|5~
11.5 BiCMOS电路实例 %j?<v@y
T Jp0^&Q
MOS 逻辑集成电路（续） nxh9'"th
nMOS逻辑集成电路 tvG/oe .1'
6-1 电阻负载MOS倒相器 6~v| pA jY
j8gi/07 l
6-2 E/E MOS 倒相器 /.a
DQ>
bbU{ />yW
6-3 自举负载MOS 倒相器 W:16
qbK
!]k $a
6-4 E/D MOS 倒相器 {?9s~{Dl
4!dN^;Cb
6-5 静态MOS电路 B[0XzV]Z
glppb$oB\
CMOS集成电路 K}U}h>N
7-1 CMOS 倒相器 8y{<M"v+/
NwdA@"YQ|
7-2 CMOS传输门 J$?*qZ(oO
XK>/i}y
7-3 静态CMOS 电路 }X3SjNd q
QpPJ99B|
7-4 CMOS 门电路的设计 , ]'?Gd
y3K9r f
7-5 CMOS电路中的锁定效应 +BRmqJ3
#U NTD4
动态和准静态MOS电路 D/Y .'
P:j
8-1 栅电容的电荷存储效应 (Ia} ]q
4
l$(#NB<
8-2 动态MOS倒相器 |Y!#`
']+ -u{+#
8-3 动态MOS电路 por[p\ M.
pCNihZ~
8-4 准静态MOS触发器 }x HoitOD
m[C-/f^u|
8-5 动态和准静态CMOS电路
tqE LF
2@o _7w98
MOS集成电路的版图设计 #{GUu ',?&
9-1 MOS集成电路的工艺设计 d(w
$! $"h
-L6 rXQV@j
9-2 MOS集成电路版图设计 |$":7)e H!
pK#Ze/!
9-3 MOS集成电路版图设计举例 zqqpB
wk#
:*e0Z2=
MOS大规模集成电路 k'wF+ >
10-1 LSI电路中的CAD技术 _tL*sA>[~)
zGu(y@o
10-2 HMOS技术 n6[bF "v
*J?QXsg
10-3 MOS存储器 $g
_h9L
nbw&+d cJ8
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 :N%cIxrqP
^DVr>u
10-5 半定制逻辑电路 9'Y~! vY
Q$W0>bU P
模拟集成电路 X_|8CD-@6
模拟集成电路中的特殊元件 FgNO# %
11-1 横向pnp管 *4
r
1g+0
6J6MR<5'
11-2 纵向pnp管 RP7e)?5$s
O:RPH{D
11-3 超增益晶体管 i=reJ(y-
$uawQf+S
11-4 隐埋齐纳二极管 ]OM|Oo
S 3:Pjz}t
11-5 集成电路中的电容器 - f z
|
#,q w~l]
11-6 薄膜电阻器 ?BQZ\SXU
#wNksh/J^
模拟集成电路中的基本单元电路 2JYyvJ>
12-1 差分放大器 p< '#f,o
q 0.+ F4
12-2 恒流源电路和有源负载 z6B/H2
7tfMD(Q]e/
12-3 基准源电路 y d`xmc)
qWHH%
L;
12-4 模拟开关 *|Q'?ty(x
?zQ\u{]=
集成运算放大器 ^vYH"2
13-1 运算放大器的基本概念 _jR%o1Y}
& kHp}\
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 he wX)
tjBs>w
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 ANc)igo
G`8g I)$u
13-4 µA741通用型运算放大器 tlV>
84DneSpHsp
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 }BK
Ez[G(
Uy5IvG;O+
模拟集成电 \-0@9E<D
14-1 集成电压 =\B{)z7@6D
Sav]Kxq {
14-2 D/A转换器 P(_D%0xKm
OKNA36cU'
14-3 A/D转换器
7cr@;%#
g D3s,<>o
14-4 MOS模拟集成电路 F^ 7qLvh
/1F%w8Iqh
模拟集成电路的版图设计 7 *^-3Tt83
15-1 模拟集成电路版图设计特点 q&Y'zyHLP
l~;H~h!h/
15-2 模拟集成电路中的相容技术 9W:oo:dK F
+D[|L1{xb
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 Yz= (z j
QG*=N {% 5
2004.7.7
