华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 Dh68=F0
ahN8IV=+Gm
第一篇MOS 逻辑集成电路 6R#igLm
!2.eJ)G
MOS晶体管工作原理 PJ<9T3Fa
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 AO(zl*4
g6OPYUPg
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 Jpn= ^f[rm
xg'xuz$U
1.3 MOS晶体管的电流方程 A(n3<(O/{Z
DyUS^iz~o
1.4 MOS瞬态特性 MG^YT%f
y&wo"';
MOS器件按比例缩小 Q5Epq
sKyC
2.1 按比例缩小理论 5?f!hB|6
1So`]N4
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 &_\;p-1:
@qB>qD~WsD
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 V \/Qik{h
#@E:|^$1y
2.4 VLSI发展的实际限制 u>*qDr*d
`
^;J<l
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 `w)yR>lqh
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 n|B<rx?v
p!\GJ a",
3.2 CMOS IC 工艺流程 i\x@s>@x}
n"@){:{4?
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 f6{.Uq%SGp
wZ=@0al
CMOS反相器和CMOS传输门 A.~wgJDO
4.1 CMOS反相器的直流特性 {e0(M*u
#8y"1I=i&
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 d<w]>T5VW
Q
/t_%vb
4.3 CMOS 反相器的功能 ;s8\F]K
SH O&:2
4.4 CMOS反相器设计 m[BpV.s
t$?#@8Yk
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 { _Y'%Ggh
^AERGB\36
4.6 CMOS传输门 OjrZ6
+-|}<mq
CMOS静态逻辑电路设计 n(CM)(ozU
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 XJk~bgO*
z0F55<i
5.2 CMOS与非门的分析 8G3.bi'q
;vn0b"Fi3
5.3 CMOS或非门的分析 uO1^nK
r>.l^U9hJ
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 .')^4\
d@zxgn7o
5.5 组合逻辑电路的设计 r$ I k*R
Pon0(:#1
5.6 类NMOS电路 yh).1Q-D
%Z8pPH~T
5.7 传输们逻辑电路 muKu@nshL
&v Q5+
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 CZ%KC$l.5
vG=Pi'4XXo
动态和时序逻辑电路设计 .k#O[^~]
6.1 动态逻辑电路的特点 Yq:/dpA_
Oi{J}2U
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 ?9?o8!
@]42.oP
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 O"_QDl<ya
A{\DzUV9,
6.4 时钟CMOS(C2MOS) 4`7~~:W!M5
Ki%)LQAg
6.5 无竞争(NORA)动态CMOS电路 T8x /&g''
9<"F3
F0|
6.6 CMOS触发器 nFro#qx
Z+4Mo*#
6.7 时序逻辑电路 >!c Ff$2'
kHQn'r6
输入、输出缓冲器 .dvs&+I
7.1 输入缓冲器 er>{#8 P
"g(q)u >
7.2 输入保护电路 V=+p8nE0
|@?='E?h
7.3 输出缓冲器 v~p?YYOm<
O_5;?$[m
7.4 脱片输出驱动级的设计 DnN+W
qc.9GC
7.5 三态输出和双向缓冲器 NCm=l
MJKPpQ(,
MOS存储器 6S(`Bw8h
8.1 DRAM M2.*]AL
~\%H0.P6
8.2 SRAM 48!F!v,j)x
J.0&gP V
8.3 ROM和PLD >q&e.-qL
UG6\OgkL+
MOS IC的版图设计 ZV07;`I
9.1 VLSI的设计方法 S:c
lyx
0BOL0<Wq
9.2 门阵列和标准单元设计方法 LBcqFvj{&
#4Cf-$J
9.3 版图设计 ?X7nM)
uHT
m
SOICMOS简介 fY|vq
amA;
10.1 SOI CMOS工艺 Q2!RFtXV
ASNo6dP7
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 t9_&n.z
X d&oERJj
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 "(:8$Fb
mQtOx
BiCMOS电路 B{1yMJA
11.1 MOS和双极型器件性能比较 5WtI.7r
1_LGlu~&
11.2 BiCMOS工艺和器件结构
_%aT3C}k
hud'@O"R+
11.3 BiCMOS逻辑门的设计 "+BuFhSLf
"04:1J`
11.4 BiCMOS和CMOS电路性能的比较 `h1>rP
=Flr05}m
11.5 BiCMOS电路实例 H"|oI|~
c5{3
MOS 逻辑集成电路(续) zc>LwX}<
nMOS逻辑集成电路 (DTkK5/%
6-1 电阻负载MOS倒相器 LeMo")dk\
[xPO'@Y
6-2 E/E MOS 倒相器 0a)LZp|
it=ir9
6-3 自举负载MOS 倒相器 diF2:80o
*&W1|Qkg_
6-4 E/D MOS 倒相器 B{Lcx ~
6x!
q
6-5 静态MOS电路 -O[9{`i]
kL%o9=R1
CMOS集成电路 74%Uojl"
7-1 CMOS 倒相器 %>:d5"&Lbs
k#/%#rQM
7-2 CMOS传输门 0bR})}a+Yg
(t-JGye>
7-3 静态CMOS 电路 #^<Rx{
x^6sjfAW
7-4 CMOS 门电路的设计 =tfS@o/n
a(eU
dGJ
7-5 CMOS电路中的锁定效应 tje
e/ V8lo
动态和准静态MOS电路 k&\ 6SK/
8-1 栅电容的电荷存储效应 :jljM(\
=Ev*Q[
8-2 动态MOS倒相器 KdkZ-.
Y,C3E>}Dq
8-3 动态MOS电路 k/}E(_e
Q:!.YSB
8-4 准静态MOS触发器 iMr/i?`i
?W4IAbT\G
8-5 动态和准静态CMOS电路 `SO"F,
gdyP,zMD7
MOS集成电路的版图设计 'Ijjk`d&c
9-1 MOS集成电路的工艺设计 c_^-`7
g
6tg0=_c
9-2 MOS集成电路版图设计 `?R~iLIAq
:3Hr:~
9-3 MOS集成电路版图设计举例 F82_#|kpS
/`V:;
MOS大规模集成电路 5%n
10-1 LSI电路中的CAD技术 5>'1[e45
i''[u
10-2 HMOS技术 5w+X
GY%48}7
10-3 MOS存储器 ?`%)3gx|
[EETx-
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 "##Ylq( "
jI(}CT`g
10-5 半定制逻辑电路 )q48cQ
7Bhi72&6
模拟集成电路 )0I;+9:D=
模拟集成电路中的特殊元件 E|jbbCZy2
11-1 横向pnp管 ta-kqt!'
/M;A)z
11-2 纵向pnp管 gUoTOA,
U0/X!@F-
11-3 超增益晶体管 l`s_#3
lxpi
11-4 隐埋齐纳二极管 eVZ/3o
\i-HECc"U
11-5 集成电路中的电容器 6jiz$x
B|-E3v:f4
11-6 薄膜电阻器 Ub8|x]ix
4{d!}R
模拟集成电路中的基本单元电路 u[_~ !y
12-1 差分放大器 _[8BAm
!'()QtvC<
12-2 恒流源电路和有源负载 q1Vh]d
8lo /BGxS>
12-3 基准源电路 C~.7m-YW
).0h4oHSj
12-4 模拟开关 =X?jId{
oW*e6"<R7
集成运算放大器 +j._NRXRH
13-1 运算放大器的基本概念 }%B^Vl%ZZ
F^Yt\V~T
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 _
13M
FTx
&] QN?
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 jrGVC2*rD
f)p c$~B
13-4 µA741通用型运算放大器 &<Bx1\ ~V
9 |Cu2
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 v7+f@Z:N*
=6Dz<Lq
模拟集成电 Y]ML-smN
14-1 集成电压 &[*F!=%8
|kL^k{=zV
14-2 D/A转换器 +@wa?"
9IgozYj
14-3 A/D转换器 ;Ub;AqY
6$qn'K$
14-4 MOS模拟集成电路 )K2,h5zU
Qo>VN`v
模拟集成电路的版图设计 :jB
8Q$s
15-1 模拟集成电路版图设计特点 yk1syN_
K4]c
15-2 模拟集成电路中的相容技术 lg_X|yhL
5I,5da
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 e;:~@cB,c
)jbYWR*&
2004.7.7