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主题 : 华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计
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楼主  发表于: 2008-01-23   

华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计

华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 K  v>#  
qaSv]k.  
第一篇MOS 逻辑集成电路 LF,c-Cv!jL  
F U v)<rK  
MOS晶体管工作原理 K/LaA4  
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 V@s/]|rf,  
/ )<7$  
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 w\Eve:  
*q 9$SDm  
1.3 MOS晶体管的电流方程 l[j0(T  
7&U+f:-w  
1.4 MOS瞬态特性 9(Xch2tpO!  
|P?B AWYeQ  
MOS器件按比例缩小 I)4|?tb ?  
2.1 按比例缩小理论 M]:B: ;  
sN/Xofh  
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 T//+&Sk[  
.c K  
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 n7<-lQRaxZ  
o~N-x*   
2.4 VLSI发展的实际限制 24k}~"We  
t-{OP?cE1  
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 Ho {?m^  
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 VH*(>^Of F  
'n`$c{N<tM  
3.2 CMOS IC 工艺流程 j>=".^J  
\shoLp   
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 lw lW.C  
g5]DA.&(  
CMOS反相器和CMOS传输门 438> )=  
4.1 CMOS反相器的直流特性 M#IR=|P]  
g4932_tC  
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 N1+]3kt ~  
_dY}86{  
4.3 CMOS 反相器的功能 0;`PHNBq  
.h } D%Qa  
4.4 CMOS反相器设计 x@x@0k` A2  
}e6:&`a xD  
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 ucO]&'hu:  
nP /$uj  
4.6 CMOS传输门 ;#Nci%<J\  
&wvv5Vd  
CMOS静态逻辑电路设计 &}?e:PEy  
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 a_x6 v*  
m]vr|:{6/  
5.2 CMOS与非门的分析 G 3x1w/L  
hWJc A.A  
5.3 CMOS或非门的分析 sJvn#cS  
>TJ$Z3  
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 yLX\pkAt4  
M?`06jQD.  
5.5 组合逻辑电路的设计 Plv+mb  
cPYQ<Y=  
5.6 类NMOS电路 r~t7Z+PXF  
CSs6Vm!=  
5.7 传输们逻辑电路 _XtY /7n  
XQPJ(.G  
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 %Z|*!A+wN5  
l@ K<p  
动态和时序逻辑电路设计 8a {gEZT,  
6.1 动态逻辑电路的特点 \~>#<@h  
`x3c},'@k  
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 FS0SGBo  
Nt?B(.G  
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 8?!Vr1x  
inPGWG K]  
6.4 时钟CMOS(C2MOS) ~yV0SpL  
n@f@-d$m\<  
6.5 无竞争(NORA)动态CMOS电路 li?Gb1  
n&^Rs )%v  
6.6 CMOS触发器 FqySnrJQ  
&%<G2x$  
6.7 时序逻辑电路 hO8B]4=&*  
]v#Q\Q8>  
输入、输出缓冲器 9ZwhC s O  
7.1 输入缓冲器 a[!':-R`s  
G7u7x?E:B`  
7.2 输入保护电路 3JwmLGj}  
y9 "!ys  
7.3 输出缓冲器 mYZH]oo  
Ty>`r n  
7.4 脱片输出驱动级的设计 9E+^FZe  
1cPi>?R:  
7.5 三态输出和双向缓冲器 T ^uBMDYe  
vg<_U&N=-r  
MOS存储器 s`TfNwDvU  
8.1 DRAM mR@iGl\\  
!9-dS=:Y  
8.2 SRAM Upf1*$p  
Yk }zN_v  
8.3 ROM和PLD uu HWN|  
Q16RDQ*  
MOS IC的版图设计 zg]9~i8  
9.1 VLSI的设计方法 ).LJY<A  
bBGLf)fsTG  
9.2 门阵列和标准单元设计方法 {jbOcx$t  
iYFM@ta  
9.3 版图设计 8I JFQDGA9  
T<!T mG  
SOICMOS简介 Dzb@H$BQ7  
10.1 SOI CMOS工艺 (Ys 0|I3  
23 3jT@Z  
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 Nq-qks.&  
I~EJctOG  
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 x-cg df  
<.#i3!  
BiCMOS电路 zK?[6n89f  
11.1 MOS和双极型器件性能比较  zoA]7pG-  
aR+vY1d"  
11.2   BiCMOS工艺和器件结构 j&u{a[Y/}  
(zte'F4  
11.3   BiCMOS逻辑门的设计 |G } qY5_  
624l5}@:  
11.4   BiCMOS和CMOS电路性能的比较 #Mrof9  
!np-Jmi  
11.5   BiCMOS电路实例 l'm!e'7_  
J.35Ad1hM  
MOS 逻辑集成电路(续) $zKf>[K  
nMOS逻辑集成电路 *7FtEk/l  
6-1 电阻负载MOS倒相器 /c6:B5G  
Onz@A"  
6-2 E/E MOS 倒相器 V9bn  
M*<Ee]u  
6-3 自举负载MOS 倒相器 `r+zNJ@q  
?)X 0l  
6-4 E/D MOS 倒相器 NU"Ld +gw  
9#cPEbb~  
6-5 静态MOS电路 0w<vc} {t  
fAYp\ k  
CMOS集成电路 L.X"wIs^  
7-1 CMOS 倒相器 \I"n~h^_  
2D;2QdO  
7-2 CMOS传输门 1)Z4 (_  
ZB+~0[C  
7-3 静态CMOS 电路 GBSuTu8  
]Ub"NLYV  
7-4 CMOS 门电路的设计 YUjKOPN  
"* 8>` 6E  
7-5 CMOS电路中的锁定效应 F,}7rhY(U^  
T0|hp7 WM  
动态和准静态MOS电路 [[s^rC<d  
8-1 栅电容的电荷存储效应 <P@ "VwUX  
{c}n."`  
8-2 动态MOS倒相器 hm, H3pN  
y3@m1>]09  
8-3 动态MOS电路 _J&IL!S2  
%6Y\4Fe  
8-4 准静态MOS触发器 O[+\` 63F=  
wd*V,ZN7  
8-5 动态和准静态CMOS电路 >)t-Zh:n  
8}aSSL]  
MOS集成电路的版图设计 }6To(*  
9-1 MOS集成电路的工艺设计 V~7Oa2'#B  
KBI36=UV  
9-2 MOS集成电路版图设计 ZdJQ9y  
iw^"?:'%  
9-3 MOS集成电路版图设计举例 J\?d+}hynX  
LG vPy  
MOS大规模集成电路 Wb#ON|.2  
10-1 LSI电路中的CAD技术 ]]hsLOM]  
TOsHb+Uv  
10-2 HMOS技术 >mMmc!u>G  
$aY:Z_s  
10-3 MOS存储器 G(hzW%P  
 z:d+RMA  
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 l8 XY  
2 W Wr./q  
10-5 半定制逻辑电路 i%otvDn1  
w/wU~~  
模拟集成电路 }4_c~)9Q  
模拟集成电路中的特殊元件 :Oc&{z?q  
11-1 横向pnp管 8]&lUMaqVZ  
k(wJ6pc  
11-2 纵向pnp管 u\@ L|rh  
0hX@ta[Up  
11-3 超增益晶体管 .GuZV'  
C<hb{$@  
11-4 隐埋齐纳二极管 4.'KT;[_1/  
F>rf cW2  
11-5 集成电路中的电容器 }9>X M  
hionR)R4  
11-6 薄膜电阻器 )4bZ;'B5  
2O)2#N  
模拟集成电路中的基本单元电路 2s8(r8AI  
12-1 差分放大器 &Qq4xn+J  
My\  
12-2 恒流源电路和有源负载 o!M*cyq  
-~ ycr[}x  
12-3 基准源电路 YK|Y^TU^  
js8\"  
12-4 模拟开关 |A@Gch fd  
'BwM{c-O"  
集成运算放大器 G.c@4Wz+  
13-1 运算放大器的基本概念 6Bfu89  
7<VfE`Q3  
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 6'N!)b^-  
xj!_]XJ^w  
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 6">jf #pE  
RU'DUf  
13-4 µA741通用型运算放大器 '((Ll  
^y"$k  
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 _"`U.!3*  
{1 94u %'  
模拟集成电 '2%/h4jY  
14-1 集成电压 "@I"0OA  
B1A5b=6G<  
14-2 D/A转换器 -ijQT B  
_r|$H_#  
14-3 A/D转换器 3rZ"T  
^9UF Pij"  
14-4 MOS模拟集成电路 |8"~o u:.  
SS;QPWRZ  
模拟集成电路的版图设计 w%k)J{\  
15-1 模拟集成电路版图设计特点 Ga%]$4u  
3HA$k[%7P  
15-2 模拟集成电路中的相容技术 h tn2`  
7 v<$l  
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 |Tz4xTK  
LxVd7r VY6  
2004.7.7
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沙发  发表于: 2010-01-01   
真不如有真题呀,
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