华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 I<(.i!-x
2]aZe4H.
第一篇MOS 逻辑集成电路 H@2"ove-uC
% 3c|
MOS晶体管工作原理 nc JFB,4
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 n]C%(v!u3
1'v !9
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 m$E^u[
QTj ftcu
1.3 MOS晶体管的电流方程 Ns!3-
Y
$]H=
1.4 MOS瞬态特性 }EedHS
f*T)*R_
MOS器件按比例缩小 @ "{' j
2.1 按比例缩小理论 Q%n{*p y
\n*7# aX/
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 ,bVS. A'o
fZ6 fV=HEF
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 :(l $^
M
?bt `fzX{l
2.4 VLSI发展的实际限制 <K
,%
y(]
P!FE h'.
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 '6o`^u>
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 CP]S-o}yd
&}nBenYp
3.2 CMOS IC 工艺流程 q[) q|R|
+^4BO`
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 $"sq4@N
2& .
n
CMOS反相器和CMOS传输门 #*Yi4Cn<
4.1 CMOS反相器的直流特性 :Su #x
I
Me gE--h
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 /ojO>Y[<
&c!j`86y*
4.3 CMOS 反相器的功能 s&dO/}3uR]
VqK%^
4.4 CMOS反相器设计 PPoI>J
M5GY>3P$c
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较
<+AI t
bJQ5- *F
4.6 CMOS传输门 eyeN rk*2o
< /;Q8;0
CMOS静态逻辑电路设计 E?3 0J3 S
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点
4%g 6_KB
_0'm4?"
5.2 CMOS与非门的分析 q>_vE{UB
=?/N5O(
5.3 CMOS或非门的分析 L5"8G,I
<^lJr82
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 j/)"QiS*?
k
? 3S
5.5 组合逻辑电路的设计 WnD^F>
Y,k(#=wg
5.6 类NMOS电路 u~s
Sk
ipG5l
5.7 传输们逻辑电路 P!
kw;x
kTnOmA w
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 CY34X2F
A0G)imsW:_
动态和时序逻辑电路设计 6}ce1|mkg/
6.1 动态逻辑电路的特点 IUOxGJ|rO
h }< 0 /
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 ]b 3/E s+
s[3
e
=N
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 ^NXcLEaP*<
~@{w\%(AK]
6.4 时钟CMOS(C2MOS) [+;qWfs B
J , V
6.5 无竞争（NORA）动态CMOS电路 W+_ R hJ
CdY8 #+"
6.6 CMOS触发器 F8H'^3`b`U
%m9CdWb=w
6.7 时序逻辑电路 g& k58{e
'l~6ErBSg
输入、输出缓冲器 #/|75
4]]
7.1 输入缓冲器 n|Pr/ddL
&-M
]xo ^
7.2 输入保护电路 QdQ d(4/1
'Gjq/L/x
7.3 输出缓冲器 n"6;\
v !H:^!z
7.4 脱片输出驱动级的设计 ,vV ]"f
IS BV%^la|
7.5 三态输出和双向缓冲器 Rs*v m
@b2`R3}9R
MOS存储器 JS2n Xs1
8.1 DRAM k;I &.H
3$VxRz)
8.2 SRAM HRB[GP+
/4$4h;_8
8.3 ROM和PLD |%1?3Mpn
{fV}gR2
MOS IC的版图设计 v Mla'5|l
9.1 VLSI的设计方法 1zftrX~v!X
Q6
? z_0
9.2 门阵列和标准单元设计方法 kS :\Oz\
G^ wtE90
9.3 版图设计 9b ;A 1gu
rR,2UZR
SOICMOS简介 6P
n8f
10.1 SOI CMOS工艺 vyI%3+N@
pFsc}R/0/8
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 .>pgU{C
`!
)US:.7A[.
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 wGsRS[
Ad$n4Z e
BiCMOS电路 pS[KBQ"F
11.1 MOS和双极型器件性能比较 %ZP+zh n}
`^9(Ot $
11.2 BiCMOS工艺和器件结构 {HOy_Fiih
vuQ%dDxI
11.3 BiCMOS逻辑门的设计 \5)h tL1F
Yw; D:Y(
11.4 BiCMOS和CMOS电路性能的比较 _-~`03 `!
q2r UbU_A(
11.5 BiCMOS电路实例 !T,AdNa8
C0*@0~8$9
MOS 逻辑集成电路（续） fV:4 #j
nMOS逻辑集成电路 HO)/dZN U
6-1 电阻负载MOS倒相器 A"5z6A4WB
b 6(p
6-2 E/E MOS 倒相器 LPYbHo3fq
X>YsQrK(ig
6-3 自举负载MOS 倒相器 $_H
`
V
dS
v
6-4 E/D MOS 倒相器 -u!FOD/
A5'NG
t
6-5 静态MOS电路 c#IYFTz
!\8 ;d8
CMOS集成电路 I\~ G|B
7-1 CMOS 倒相器 Eodn/
vDl- "!G1
7-2 CMOS传输门 mGU O6>g
|tR
OL 9b
7-3 静态CMOS 电路 `@[c 8j7
7@lS.w\#-
7-4 CMOS 门电路的设计 :c9U>1`g&
KDl_?9E5
7-5 CMOS电路中的锁定效应 =[\s8XH,
r:&` $8$
动态和准静态MOS电路
;z M*bWh9
8-1 栅电容的电荷存储效应 ]?x:
Qm'yo
jdE 5~a+
8-2 动态MOS倒相器 9 % l%
[.RO'>2z
8-3 动态MOS电路 SS`qJZ|w
b@3 _L4~
8-4 准静态MOS触发器 \AL
f$88>@
OpM(j&
8-5 动态和准静态CMOS电路 ,rJXy_
VJ ^dY;
MOS集成电路的版图设计 p!k7C&]E
9-1 MOS集成电路的工艺设计 \U |ZR
l;
y7]DO
9-2 MOS集成电路版图设计 E0 `Lg
c
>^XBa*4;Y
9-3 MOS集成电路版图设计举例 `tjH<
nqwAQhzy(
MOS大规模集成电路 c@v {`d
10-1 LSI电路中的CAD技术 hs tbz
u,}{I}x_
10-2 HMOS技术 J'N!Omz
]4;PR("aU
10-3 MOS存储器 kcb.Wz~=
R +&jD;U{
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 x\Z'2?u}
]p_@@QTC
10-5 半定制逻辑电路 +3KEzo1=)
0e z(A
模拟集成电路 rj 6#1kt
模拟集成电路中的特殊元件 <{~ 6}6o
11-1 横向pnp管 rXA*NeA3 v
qhT@;W/X
11-2 纵向pnp管 L[=a/|)TBV
x' .:&z
11-3 超增益晶体管 2(/g}
3E 3HL7
11-4 隐埋齐纳二极管 ;]_o4e6\p
d> {nQF;c
11-5 集成电路中的电容器 wC5ee:u C%
V{< xf f
11-6 薄膜电阻器 sP ls
zC[
.l@xsJn
模拟集成电路中的基本单元电路 n 5{Xj: }
12-1 差分放大器 Y +Fljr*
. |/~op4;
12-2 恒流源电路和有源负载 1AU#%wIEP
4._( |
12-3 基准源电路 [ :zO}r:
+Z85HY{
12-4 模拟开关 9]e V?yoA8
;X?mmv'
集成运算放大器 IKi5 v~bE
13-1 运算放大器的基本概念 8cA~R-
W8]lBh5~:
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 {c
(!;U
s&NX@
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 =KR
NvW
HQB(
*
13-4 µA741通用型运算放大器 qM.bF&&Go
v{A
KEX*
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 i@4~.iZ8
E <c9# I=
模拟集成电 "U\4:k`:
14-1 集成电压 AhNq/?Q Q~
4fKC 6UR
14-2 D/A转换器 RoyPrO [3
CjiVnWSz<
14-3 A/D转换器 =dFv/F/RW
Kh MSL
14-4 MOS模拟集成电路 Yc'kvj)_M
APO>y
模拟集成电路的版图设计 %%4t~XC#
15-1 模拟集成电路版图设计特点 nG;8:f `
w.0qp)}
15-2 模拟集成电路中的相容技术 /jRRf"B
Oj^,m .R
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 /IM# .v
L\#<JxY$p
2004.7.7
