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主题 : 华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计
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楼主  发表于: 2008-01-23   

华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计

华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 Dh68=F0  
ahN8IV=+Gm  
第一篇MOS 逻辑集成电路 6R#igLm  
!2.eJ)G  
MOS晶体管工作原理 PJ<9T3Fa  
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 AO(z l*4  
g6OPYUPg  
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 Jpn= ^f[rm  
xg'xuz$U  
1.3 MOS晶体管的电流方程 A(n3<(O/{Z  
DyUS^iz~o  
1.4 MOS瞬态特性 MG^YT%f  
 y&wo"';  
MOS器件按比例缩小 Q5Epq sKyC  
2.1 按比例缩小理论 5? f!hB|6  
1So`]N4  
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 &_\;p-1:  
@qB>qD~WsD  
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 V \/Qik{h  
#@E:|^$1y  
2.4 VLSI发展的实际限制 u>*qDr* d  
` ^;J<l  
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 `w)yR>lqh  
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 n|B<rx?v  
p!\ GJ a",  
3.2 CMOS IC 工艺流程 i\x@s>@x}  
n"@){:{4?  
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 f6{.Uq%SGp  
wZ=@0al  
CMOS反相器和CMOS传输门 A.~wgJDO  
4.1 CMOS反相器的直流特性 {e0(M*u  
#8y"1I=i&  
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 d<w]>T5VW  
Q /t_% vb  
4.3 CMOS 反相器的功能 ;s8\F]K  
SH O&:2  
4.4 CMOS反相器设计 m[BpV.s  
t$?#@8Yk  
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 { _Y'%Ggh  
^AERGB\36  
4.6 CMOS传输门 OjrZ6  
+-|}<mq  
CMOS静态逻辑电路设计 n(C M)(ozU  
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 XJk~bgO*  
z 0F55<i  
5.2 CMOS与非门的分析 8G3.bi'q   
;vn0b"Fi3  
5.3 CMOS或非门的分析 uO1^nK  
r> .l^U9hJ  
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 .')^4\  
d@zxgn7o  
5.5 组合逻辑电路的设计 r$Ik* R  
Pon0(:#1  
5.6 类NMOS电路 yh).1Q-D  
%Z8pPH~T  
5.7 传输们逻辑电路 muKu@nshL  
&vQ5+  
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 CZ%KC$l.5  
vG=Pi'4XXo  
动态和时序逻辑电路设计 .k#O[^~]  
6.1 动态逻辑电路的特点 Yq:/dpA_  
Oi{J} 2U  
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 ?9?o8!  
@ ]42.oP  
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 O"_QDl<ya  
A{\DzUV9,  
6.4 时钟CMOS(C2MOS) 4`7~~:W!M5  
Ki%)LQAg  
6.5 无竞争(NORA)动态CMOS电路 T8x/&g''  
9<"F3 F0|  
6.6 CMOS触发器 nFro#qx  
Z+4Mo*#  
6.7 时序逻辑电路 >!c Ff$2'  
kHQn' r6  
输入、输出缓冲器 .dvs&+I  
7.1 输入缓冲器 er>{#8 P  
"g(q)u >  
7.2 输入保护电路 V=+p8nE0  
|@?='E?h  
7.3 输出缓冲器 v~p?YYOm<  
O_5;?$[m  
7.4 脱片输出驱动级的设计 DnN+W  
qc.9GC  
7.5 三态输出和双向缓冲器 NCm=l  
MJK PpQ(,  
MOS存储器 6S(`Bw8h  
8.1 DRAM M2.*]AL  
~\%H0.P6  
8.2 SRAM 48!F!v,j)x  
J.0&gP V  
8.3 ROM和PLD >q&e.-qL  
UG6\OgkL+  
MOS IC的版图设计 ZV07;`I  
9.1 VLSI的设计方法 S:c lyx  
0BOL0<Wq  
9.2 门阵列和标准单元设计方法 LBcqFvj{&  
#4Cf-$J  
9.3 版图设计 ?X7nM)  
 uHT m  
SOICMOS简介 fY|vq amA;  
10.1 SOI CMOS工艺 Q2!RFtXV  
ASNo6dP 7  
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 t 9_&n.z  
Xd&oERJj  
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 "(:8 $Fb  
mQtOx  
BiCMOS电路 B{1yMJA  
11.1 MOS和双极型器件性能比较 5WtI.7r  
1_LGlu~&  
11.2   BiCMOS工艺和器件结构 _%aT3C}k  
hud'@O"R+  
11.3   BiCMOS逻辑门的设计 "+BuFhSLf  
"04:1J`  
11.4   BiCMOS和CMOS电路性能的比较 ` h1>rP  
=Flr05}m  
11.5   BiCMOS电路实例 H"|oI|~  
c5{3  
MOS 逻辑集成电路(续) zc>LwX}<  
nMOS逻辑集成电路 (DTkK5/%  
6-1 电阻负载MOS倒相器 LeMo")dk\  
[xPO'@Y  
6-2 E/E MOS 倒相器 0a)LZp|  
it=ir9  
6-3 自举负载MOS 倒相器 diF2:80o  
*&W1|Qkg_  
6-4 E/D MOS 倒相器 B{Lcx~  
6x! q  
6-5 静态MOS电路 -O[9{`i]  
kL%o9=R1  
CMOS集成电路 74%Uojl"  
7-1 CMOS 倒相器 %>:d5"&Lbs  
k #/%#rQM  
7-2 CMOS传输门 0bR})}a+Yg  
(t-JGye>  
7-3 静态CMOS 电路 #^< Rx{  
x^6sjfAW  
7-4 CMOS 门电路的设计 =tfS@o/n  
a(eU dGJ  
7-5 CMOS电路中的锁定效应 tje   
e/V8lo  
动态和准静态MOS电路 k&\ 6SK/  
8-1 栅电容的电荷存储效应 :jljM(\  
=Ev* Q[  
8-2 动态MOS倒相器 KdkZ-.  
Y,C3E>}Dq  
8-3 动态MOS电路  k/}E(_e  
Q:!.YSB  
8-4 准静态MOS触发器 iMr/i?`i  
?W4IAbT\G  
8-5 动态和准静态CMOS电路 ` SO"F,  
gdyP,zMD7  
MOS集成电路的版图设计 'Ijjk`d&c  
9-1 MOS集成电路的工艺设计 c_^-`7 g  
6tg0=_c  
9-2 MOS集成电路版图设计 `?R~iLIAq  
:3Hr: ~  
9-3 MOS集成电路版图设计举例 F82_#|kpS  
/`V:;  
MOS大规模集成电路 5%n  
10-1 LSI电路中的CAD技术 5>'1[e45  
i''[ u  
10-2 HMOS技术 5w+X   
GY%48}7  
10-3 MOS存储器 ?`%)3gx|  
[EETx-  
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 "##Ylq("  
jI(}CT`g  
10-5 半定制逻辑电路 )q48cQ  
7Bhi72&6  
模拟集成电路 )0I;+9:D=  
模拟集成电路中的特殊元件 E|jbbCZy2  
11-1 横向pnp管 ta-kqt!'  
/M;A)z  
11-2 纵向pnp管 gUoTOA,  
U0/X!@F-  
11-3 超增益晶体管 l`s_ #3  
lxpi   
11-4 隐埋齐纳二极管 eVZ/3o  
\i-HECc"U  
11-5 集成电路中的电容器 6jiz$x  
B|-E3v:f 4  
11-6 薄膜电阻器 Ub8|x]ix  
4{d!}R  
模拟集成电路中的基本单元电路 u[_~ !y  
12-1 差分放大器 _[8BAm  
!'()QtvC<  
12-2 恒流源电路和有源负载 q1Vh]d  
8lo /BGxS>  
12-3 基准源电路 C~.7m-YW  
).0h4oHSj  
12-4 模拟开关 = X?jId{  
oW*e6"<R7  
集成运算放大器 + j._NRXRH  
13-1 运算放大器的基本概念 }%B^Vl%ZZ  
F^Yt\V~T  
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 _ 13M  
FTx &] QN?  
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 jrGVC2*rD  
f)p c$~B  
13-4 µA741通用型运算放大器 &<Bx1\ ~V  
9|Cu2  
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 v7+f@Z:N*  
=6Dz<Lq  
模拟集成电 Y]ML-smN  
14-1 集成电压 &[*F!=%8  
|kL^k{=zV  
14-2 D/A转换器 +@wa?"  
9IgozYj  
14-3 A/D转换器 ;Ub;AqY  
6$qn'K$  
14-4 MOS模拟集成电路 )K2,h5zU  
Qo>V N`v  
模拟集成电路的版图设计 :jB 8Q$s  
15-1 模拟集成电路版图设计特点 yk1syN_  
K4]c   
15-2 模拟集成电路中的相容技术 lg_X|yhL  
5I ,5da  
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 e;:~@cB,c  
)jbYWR *&  
2004.7.7
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沙发  发表于: 2010-01-01   
真不如有真题呀,
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