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主题 : 华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计
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楼主  发表于: 2008-01-23   

华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计

华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 M8g=t[\  
?rv+ydR/q  
第一篇MOS 逻辑集成电路 AE<AEq  
DU[UGJg  
MOS晶体管工作原理 xy|;WB  
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 F<^,j7@  
2&=;$2?}  
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 Mr`u!T&sc  
|Yk23\!  
1.3 MOS晶体管的电流方程 }>p)|Y T"/  
%n-LDn  
1.4 MOS瞬态特性 kmP0gT{Sj  
DE. Pw+5<.  
MOS器件按比例缩小 "+7~C6[s  
2.1 按比例缩小理论 .JH3,L"S^  
0<o#;Z Q]  
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 ); $~/H4  
AWf zMJ;VS  
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 MiRMjQ2  
WM >9sJf  
2.4 VLSI发展的实际限制 r]8B6iV  
K` U\+AE  
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 h~F uuL  
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 E=7" };  
^]Gt<_  
3.2 CMOS IC 工艺流程 i{ %~&!  
W'6*$Ron  
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 ?+dI/jB4X  
)"f>cYF  
CMOS反相器和CMOS传输门 W_kJb  
4.1 CMOS反相器的直流特性 'g ,Oi1|~  
,ZH)[P)5P  
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 I.\u2B/?  
iRPd=)  
4.3 CMOS 反相器的功能  5oORwOP  
N*@bJ*0  
4.4 CMOS反相器设计 )Hw;{5p@  
~6@~fhu  
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 drN^-e  
A0&~U0*(~  
4.6 CMOS传输门 >~XX'}  
UpB7hA  
CMOS静态逻辑电路设计 W.H_G.C%  
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 M0_K%Z(zaR  
'!En,*'IS  
5.2 CMOS与非门的分析 EStHl(DUPq  
\Lh,dZ}d  
5.3 CMOS或非门的分析 MA"iM+Ar  
8/=[mYn`-  
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 !y*V;J  
m#8KCZS  
5.5 组合逻辑电路的设计 1 w\Y ._jK  
c*6o{x}K  
5.6 类NMOS电路 ]4hXK!^Uu  
i?|K+"=D  
5.7 传输们逻辑电路 9E (>mN  
8f29Hj+  
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 a9D 5qj  
Qaagi `  
动态和时序逻辑电路设计 z*x6V0'yt  
6.1 动态逻辑电路的特点 ~ |!q>z  
z<@$$Z=0UF  
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 `D#l(gZ  
FRfMtxvU  
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 o AQ92~b  
XY%8yII6  
6.4 时钟CMOS(C2MOS) -=g`7^qa>  
3V,X=  
6.5 无竞争(NORA)动态CMOS电路 w.0.||C O  
A.<X78!^  
6.6 CMOS触发器  H) (K  
[ BN2c  
6.7 时序逻辑电路 ~oaVH.[e=  
b?bIxCA8  
输入、输出缓冲器 Y,)9{T  
7.1 输入缓冲器 ,lN!XP{M6w  
Sb{S^w\m0  
7.2 输入保护电路 dxASU|Yo9  
<F!:dyl  
7.3 输出缓冲器 jCa{WV:K}  
_abVX#5<  
7.4 脱片输出驱动级的设计 h eh! cDK  
6 a$%  
7.5 三态输出和双向缓冲器 cBm3|@7  
-(1e!5_-@  
MOS存储器 )p!dql K  
8.1 DRAM W C`1;(#G  
(+Uo;)~!YC  
8.2 SRAM E+3~w?1  
tPp }/a%D  
8.3 ROM和PLD '.^JN@  
JLG5`{  
MOS IC的版图设计 Dxu )by  
9.1 VLSI的设计方法 K:9.fTCs*  
XRNL;X%}7  
9.2 门阵列和标准单元设计方法 Sa<R8X' J  
J7E/2Sl  
9.3 版图设计 |]B]0J#_  
NuXU2w~  
SOICMOS简介 w$t2Hd  
10.1 SOI CMOS工艺 v=W%|iZ  
"<.b=mN-  
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 ry U0x  
Dk7"#q@kx  
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 Uz62!)  
L' )(Zn1  
BiCMOS电路 4<O[d   
11.1 MOS和双极型器件性能比较 FEP\5d>  
Dljq  
11.2   BiCMOS工艺和器件结构 >MhkNy  
@r .K>+1  
11.3   BiCMOS逻辑门的设计 g xLA1]>{  
O=+C Kx@  
11.4   BiCMOS和CMOS电路性能的比较 _R8-Hj E  
vR`KRI`{  
11.5   BiCMOS电路实例 _mO\Nw0  
<Z0Tz6/j,  
MOS 逻辑集成电路(续) Cf10 ud   
nMOS逻辑集成电路 *.K}`89T  
6-1 电阻负载MOS倒相器 N .Ssz Zh  
0_Y;r{3m"  
6-2 E/E MOS 倒相器 hxtu^E/  
,v^it+Jc'  
6-3 自举负载MOS 倒相器 M`5^v0,C  
TRQva8d?  
6-4 E/D MOS 倒相器 `@:^(sMo  
`9F'mT#o/  
6-5 静态MOS电路 V1Fdt+#  
=izB :  
CMOS集成电路 LS \4y&J40  
7-1 CMOS 倒相器 IYrO; GQ  
_H;ObTiB  
7-2 CMOS传输门 9x:c"S*  
&-&6ARb7o  
7-3 静态CMOS 电路 ]6(NeS+  
|w:\fK[  
7-4 CMOS 门电路的设计 D!y Cnq=8  
<vPIC G)  
7-5 CMOS电路中的锁定效应 vk$]$6l2  
he!e~5<@y  
动态和准静态MOS电路 8S)k]$wf%  
8-1 栅电容的电荷存储效应 x0 j$]$  
Qn6&M  
8-2 动态MOS倒相器 {o;J'yjre1  
~s !+9\Fi  
8-3 动态MOS电路 J%%nv5y  
5Rc 5/m  
8-4 准静态MOS触发器 7$/ O{GBJ  
p>!`JU`{?  
8-5 动态和准静态CMOS电路 &%FpNU9  
)<!y_;$A  
MOS集成电路的版图设计 `L0}^ |`9  
9-1 MOS集成电路的工艺设计 ( vgoG5  
.( 75.^b2)  
9-2 MOS集成电路版图设计 L0Xb^vx}m  
nI dvff  
9-3 MOS集成电路版图设计举例 :Oy9`vv  
vJK0>":G  
MOS大规模集成电路 F~&bgl[YZ  
10-1 LSI电路中的CAD技术 ~6E `6;`  
3~"G27,  
10-2 HMOS技术 YJF!_ kg.  
P!1y@R>Ln  
10-3 MOS存储器 ^!?W!k!:V  
vz/.*u  
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 e")s1`  
xyBWV]Y  
10-5 半定制逻辑电路 'IKV%$k  
[3}m |W<  
模拟集成电路 4f'1g1@$  
模拟集成电路中的特殊元件 k0Rd:DxO  
11-1 横向pnp管 _e7 Y R+  
`ZC_F! E  
11-2 纵向pnp管 T}M!A|   
vYcea  
11-3 超增益晶体管 ,l1A]Wx  
<My4 )3  
11-4 隐埋齐纳二极管 .SAOE'Foo  
ViKN| W >T  
11-5 集成电路中的电容器 E g$ I  
"**Tw'  
11-6 薄膜电阻器 !?#B*JGFS  
U9[QdC  
模拟集成电路中的基本单元电路 5%Hw,h   
12-1 差分放大器 Utd`T+AF*  
!Z]#1"A8  
12-2 恒流源电路和有源负载 # 3UrGom  
+#ufW%ZG  
12-3 基准源电路 (JenTL`%u  
R2,Z`I  
12-4 模拟开关 N hG?@N  
{8p<iY- %  
集成运算放大器 s3<gq x-&r  
13-1 运算放大器的基本概念 ,58XLu  
:O)\+s-  
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 @-zL"%%dw'  
l5P!9P  
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 Y2$wL9">  
<<WqL?8W  
13-4 µA741通用型运算放大器 ERTjY%A  
)?y ${T   
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 FT8<a }o  
'Hf+Y/`  
模拟集成电 G'#Uzwo  
14-1 集成电压 9u?[{h.`B  
\gCh'3  
14-2 D/A转换器 1L;3e@G  
v]h^0WU  
14-3 A/D转换器 V*6o|#  
p!/!ZIo  
14-4 MOS模拟集成电路 )Szn,  
>BWe"{;  
模拟集成电路的版图设计 L_`D  
15-1 模拟集成电路版图设计特点 `a6AES'w$  
4|/}~ 9/  
15-2 模拟集成电路中的相容技术 N(J'h $E  
]!>tP,<`'  
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 7u`:e,'  
~F " w  
2004.7.7
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沙发  发表于: 2010-01-01   
真不如有真题呀,
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