华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计

华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计  ;t4YI7E*  
@E=77Jn[px  
第一篇MOS 逻辑集成电路 H_w?+Rig  
, jCE hb  
MOS晶体管工作原理 18>v\Hi<  
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 Bx|h)e9  
A
m#Pa,g  
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 $rPQ%2eF4  
fPG3$<Zr  
1.3 MOS晶体管的电流方程 2g;Id.i>  
'AZ

xR4W  
1.4 MOS瞬态特性 Tb{RQ?Nw'  
;dTxQ_:  
MOS器件按比例缩小 jwhe JG  
2.1 按比例缩小理论 n'!x"O7  
> ".@;  
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 E|W7IgS  
y8dOx=c  
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 9rT"_d#  
#{J+BWP\o  
2.4 VLSI发展的实际限制 AsI.8" 
 
6#HnA"I2n  
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 {8,_[?H  
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 zO0K*s.yK  
Jv!f6*&<  
3.2 CMOS IC 工艺流程 JX`>N(K4\  
LVd tI  
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 A:5P  
TW=N+ye^1(  
CMOS反相器和CMOS传输门 -jVg{f!  
4.1 CMOS反相器的直流特性 $9Gra#  
)M@^Z(W/a  
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 3;R`_#t+  
,q$2D,dz  
4.3 CMOS 反相器的功能 \\3 5} 9  
!$<Kp6  
4.4 CMOS反相器设计 [YJ*zO  
kH= qJ3Z  
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 _S CY e  
 845\u&  
4.6 CMOS传输门 |I3&a=,  
TJuS)AZ C  
CMOS静态逻辑电路设计 S5~(3I )v  
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 ){w!<Lb  
wkT4R\H>  
5.2 CMOS与非门的分析 ^[v>B@p*{  
!"'@c  
5.3 CMOS或非门的分析 l>)+HoD  
id]}10  
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 l s%
'\}  
@9\E  
5.5 组合逻辑电路的设计 w<I
q:3  
>uE<-klv  
5.6 类NMOS电路 &+/$~@OK  
|^#Z!Hp_Y  
5.7 传输们逻辑电路 )7Oj  
;9qwB  
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 Sf t, $  
#?~G\Ux0/  
动态和时序逻辑电路设计 Po.izE!C  
6.1 动态逻辑电路的特点 oM,UQ!x<  
aI \]R:f,  
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 )XYCr<s2"  
&CfzhIi*!  
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 IOl0=+p  
!KHbsOT?9  
6.4 时钟CMOS(C2MOS) b+$-f:m
j  
Dj w#{WR  
6.5 无竞争（NORA）动态CMOS电路 hxGo~<. :  
%i&\X[
 
6.6 CMOS触发器 :Y)G-:S+  
Rtai?  
6.7 时序逻辑电路 x8&~  
l{. XhB  
输入、输出缓冲器 >P2QL>P  
7.1 输入缓冲器 dVBr-+  
QW&@>i  
7.2 输入保护电路 J#G\7'?{  
JwUz4  
7.3 输出缓冲器 !3o]mBH8  
B|rf[EI>  
7.4 脱片输出驱动级的设计 /fxv^C82yv  
@oFuX.  
7.5 三态输出和双向缓冲器 wQX%*GbL2  
<:~'s]`zf  
MOS存储器 G3t\2E9S  
8.1 DRAM ra{HlB{  
{^Q1b.=  
8.2 SRAM BEii:05  
Fh^Ax3P(  
8.3 ROM和PLD )H<F([Jri  
A<cnIUW  
MOS IC的版图设计 X6o iOs  
9.1 VLSI的设计方法 efm#:>H  
Ga$EM  
9.2 门阵列和标准单元设计方法 3HB(rTw  
| PzXN+DW  
9.3 版图设计 hgF4PdO1e  
F0+@FS0  
SOICMOS简介 i>AKXJ+  
10.1 SOI CMOS工艺 8Sg:HU\  
*Duxabo?  
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 #Pq.^ ^  
Tg#%5~IX  
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 W$?Bsz)  
e{`Dv
fY21  
BiCMOS电路 #6qLu  
11.1 MOS和双极型器件性能比较 %z AN@  
;p2a .P  
11.2   BiCMOS工艺和器件结构 ~JxAo\2i  
B}2JK9  
11.3   BiCMOS逻辑门的设计 &io*pmUm6  
@1G`d53N  
11.4   BiCMOS和CMOS电路性能的比较 EXTQ:HSES  
%^66(n)  
11.5   BiCMOS电路实例 p+d?k"WN?  
P*sb@y>}O  
MOS 逻辑集成电路（续） \
l9S5%L9  
nMOS逻辑集成电路 MbeO(Q  
6-1 电阻负载MOS倒相器 +b6kU{  
5$p7y:  
6-2 E/E MOS 倒相器 V61.UEN  
S ej\Gt  
6-3 自举负载MOS 倒相器 /J0ctJ2k  
tc
U4$%H/  
6-4 E/D MOS 倒相器 9a0ibN6m  
;NeN2|I]  
6-5 静态MOS电路 7Z RLSq'S  
8st~ O  
CMOS集成电路 KF4}cM=.5  
7-1 CMOS 倒相器 t=$Hv  
rq>OmMQ67  
7-2 CMOS传输门 KQ(7%W  
SH${\BKup  
7-3 静态CMOS 电路 t)/:VImY  
L 2:N@TP  
7-4 CMOS 门电路的设计 *yx n*B_xZ  
G*lkVQ6?  
7-5 CMOS电路中的锁定效应 NN;'QiE  
2gnmk TyF  
动态和准静态MOS电路 ,S7g=(27(  
8-1 栅电容的电荷存储效应 YZH&KG Y  
'6&a8&:  
8-2 动态MOS倒相器 ^E3i]Oem  
PRE\2lLY  
8-3 动态MOS电路 [C"[#7  
^Gs=U[**  
8-4 准静态MOS触发器 ~HH6=qjU)  
<(U:v  
8-5 动态和准静态CMOS电路 sjISVJ?  
bez_|fY{T  
MOS集成电路的版图设计 ]7ZY |fP2  
9-1 MOS集成电路的工艺设计 A!&hjV`  
Fl'+ C   
9-2 MOS集成电路版图设计 P}Ud7Vil;l  
jg_##Oha  
9-3 MOS集成电路版图设计举例 $stBB  
C/{tvY /o  
MOS大规模集成电路 M! e$h?vB  
10-1 LSI电路中的CAD技术 ;ESuj '*t  
j5yxdjx9  
10-2 HMOS技术 H[a1n' "<:  
|rDv!m  
10-3 MOS存储器 B .-1wZl  
Nd"4*l;
 
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 ;P{HePs=)  
7Q>*]  
10-5 半定制逻辑电路 smM*HDK  
^mu?V-4  
模拟集成电路 ]ctlK'.  
模拟集成电路中的特殊元件 n2JwZ?  
11-1 横向pnp管 0m|$ vb  
$1h,<$5H  
11-2 纵向pnp管 x-:a5Kz!  
<_S>-;by  
11-3 超增益晶体管 &uh|!lD  
gg>O:np8  
11-4 隐埋齐纳二极管 T9@W,0#  
\;z*j|;B  
11-5 集成电路中的电容器 NArql  
;TAf[[P  
11-6 薄膜电阻器 Vf67gux  
Jl-Lz03YG  
模拟集成电路中的基本单元电路 U*. Wx0QM  
12-1 差分放大器 d]JiJgfa%  
3|=9aM^x^  
12-2 恒流源电路和有源负载 nM+(  
Pg]&^d&$  
12-3 基准源电路 2]Nc@wX`p  
c~B[<.Qj  
12-4 模拟开关 nu1s
 
}uJH!@j  
集成运算放大器 RT2%)5s  
13-1 运算放大器的基本概念
n+db#qAj5  
B|Y6;4?  
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 481SDG[b  
+Ar=89  
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 ]] R*sd*  
-6(u09mb_  
13-4 µA741通用型运算放大器 (nWi9(}J  
E2M|b  
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 v(+9&  
g5gq{KlU  
模拟集成电 yQA6w%  
14-1 集成电压 |!VSed#FSn  
Sm6hyZFy  
14-2 D/A转换器 :J|t! `  
H1`}3}"  
14-3 A/D转换器 o1x IGP<  
T%   
14-4 MOS模拟集成电路 0_d,sC?V  
C -Q]f
 
模拟集成电路的版图设计 ][b_l(r$?  
15-1 模拟集成电路版图设计特点 \ /(;LHWQ  
OR4ZjogzY  
15-2 模拟集成电路中的相容技术 1bW[RK;GE  
r;gtfX*  
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 #/u%sX`#y  
RcQo1  
2004.7.7

真不如有真题呀，