华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 \
ya@9OA
C f d* Q
第一篇MOS 逻辑集成电路 ku]?"{Xx
ug ;Xoh5w
MOS晶体管工作原理 `t)9u^[<(
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 C5TV}Bq\
Z/?{{}H+
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 E JuTv%Y8
X"_
^^d-
1.3 MOS晶体管的电流方程 {en'8kS
Is }kCf
1.4 MOS瞬态特性 >&S}u\/
8Ala31
MOS器件按比例缩小 y<Xu65
2.1 按比例缩小理论 ]2)A/fOW
0<~~0US
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 6V JudNA
7G-?^
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 ] T]{VB
|H_WY
#
2.4 VLSI发展的实际限制 H#;*kc
a4
L PJ7V` !k
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 mi Q*enZi
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 *{fs{gFw9
I]e+5 E0
3.2 CMOS IC 工艺流程 -~ ~h1
%wOkp`1-
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 TMPk)N1Ka
Y 2ANt w@
CMOS反相器和CMOS传输门 /^nIOAeE
4.1 CMOS反相器的直流特性 >rEZ$h
OriYt
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 # lvt4a"P"
A[;
deHg=
4.3 CMOS 反相器的功能 pz
['o
>;c);|'}q
4.4 CMOS反相器设计 >{Hg+/
0!dNW,NfJ
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 k"i3$^v8
z&d.YO_W
4.6 CMOS传输门 aHW34e@ebL
!X-\;3kC0
CMOS静态逻辑电路设计 'A:Y&w"r
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 ^{Mq
J\S7H
J Ah!#S(
5.2 CMOS与非门的分析 iXn XZ|M
I&La0g _E
5.3 CMOS或非门的分析 3i!a\N4 K
%BkE %ZcZ
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 'D5J5+.z
6 J,h }S
5.5 组合逻辑电路的设计 ?tjEXg>ny
J 2VPO
n
5.6 类NMOS电路 h76j|1gI
N zQvciJ@"
5.7 传输们逻辑电路 m6e(Xk,)
u9S*2'
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 UDi(7c0.
1sj7]G]`k
动态和时序逻辑电路设计 $GRw k>N
6.1 动态逻辑电路的特点 a[~[l k=7
Vp]7n!g4l
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 Q*#Lr4cm{
?`?Tg&W
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 ! I
?C8)
ivo><"Y(r
6.4 时钟CMOS(C2MOS) Zz E( S
jV*10kM<
6.5 无竞争（NORA）动态CMOS电路 y{mt *VA4
<Y"RsW9
6.6 CMOS触发器 wGL MLbj5
(
9%?ik
6.7 时序逻辑电路 8wkhbD|;
W'vek uM
输入、输出缓冲器 p4z4[=-:
7.1 输入缓冲器 _\+]/rY9o
KU
$,{Sn6@
7.2 输入保护电路 QO;Dyef7b
x] wi&
7.3 输出缓冲器 FA,n>
%l&oRBC
7.4 脱片输出驱动级的设计 O lyW/hd
F?2UHcs
7.5 三态输出和双向缓冲器 > .NLmzUX
<1 I4JPh>x
MOS存储器 m@kLZimD
8.1 DRAM eoww N>-2C
/A0_#g:2*#
8.2 SRAM 4$V DJ
++b[>};
8.3 ROM和PLD =!SV;^-q
Ld.9. d]
MOS IC的版图设计 ShC$ue?Q
9.1 VLSI的设计方法 W6>t!1oO+
I; JV-jDM
9.2 门阵列和标准单元设计方法 7Q|<6210
=M-=94
9.3 版图设计 yH" i5L9
2R,}
j@
SOICMOS简介 ~ 3M4F^
10.1 SOI CMOS工艺 3 orZ BT
X[ Ufq^fyA
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 1A'eH:$
g|uyQhsg
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 'A5T$JV.r4
9NwUX h(:(
BiCMOS电路 `PAQv+EYz
11.1 MOS和双极型器件性能比较 Q(-&}cY
5QK%BiDlr
11.2 BiCMOS工艺和器件结构 M rgj*|
(<>? ?(V M
11.3 BiCMOS逻辑门的设计
t* Ct*
EGgw#JAi#t
11.4 BiCMOS和CMOS电路性能的比较 kCEuzd=$V
V~*> /2+
11.5 BiCMOS电路实例 P P$2s]{
vC>2% Zgf-
MOS 逻辑集成电路（续） DgcS@ N
nMOS逻辑集成电路 b?OA |JqX
6-1 电阻负载MOS倒相器 ?=4oxPe
!H U$V9C
6-2 E/E MOS 倒相器 bv h#Q_
er24}G8
6-3 自举负载MOS 倒相器 |Q)mBvvN
xltN-<n7
6-4 E/D MOS 倒相器 -h7ssf'u[
*w0|`[P+h
6-5 静态MOS电路 ;
UgwV/d
VD& wO 'U
CMOS集成电路 OKm,iIp
]
7-1 CMOS 倒相器 Uf+y$n -
]Xa]a}[uE
7-2 CMOS传输门 :'%|LB
c0
l HM}
E$5
7-3 静态CMOS 电路 Z< >gx m<
N KgEs
7-4 CMOS 门电路的设计 Tv7W)?3h
2~hdJ /
7-5 CMOS电路中的锁定效应 Zs/-/C|
PTe$dPB
动态和准静态MOS电路 'fK=;
mM
8-1 栅电容的电荷存储效应 gYN;F u-9Z
V C VqU
Cc
8-2 动态MOS倒相器 lwt,w<E$
G3|23G.~)(
8-3 动态MOS电路 Tx&H 1
)M I w/
8-4 准静态MOS触发器 ha|2u(4
r)>'cjx/
8-5 动态和准静态CMOS电路 * Ib DA
:| k!hG
MOS集成电路的版图设计 .T8^>z1/\F
9-1 MOS集成电路的工艺设计 `2U,#nZ 4
chD7 ^&5]
9-2 MOS集成电路版图设计 BeRs;^r+
_3wJ;cn.
9-3 MOS集成电路版图设计举例 M.5F| 7
*vBhd2HO
MOS大规模集成电路 J%ws-A?6rN
10-1 LSI电路中的CAD技术 JYjc^m
Vt zSM%=
10-2 HMOS技术 n3J,`1*ct
PNLlJlYlP
10-3 MOS存储器 nq7)0F%e
/:A239=+ ?
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 ^+~$eg&js
uJ=&++ [
10-5 半定制逻辑电路 .Z QXY%g
UBM
8l
模拟集成电路 RToX[R;1E
模拟集成电路中的特殊元件 z}5'TV=^
11-1 横向pnp管 Ca"i<[8
tvzO)&)$
11-2 纵向pnp管 h*P0; V`UX
?\Y7]_]/
11-3 超增益晶体管 *qMj o P,
>>J !|
11-4 隐埋齐纳二极管 3joMtRB>;
)Knsy
11-5 集成电路中的电容器 n!b*GXb\
"J
>,
Hr9
11-6 薄膜电阻器 Z.>?Dt
@iz S_I,
模拟集成电路中的基本单元电路 n |,}
12-1 差分放大器 f'X z4;
78b9Sdi&
12-2 恒流源电路和有源负载 d<;XQ.Wo7
ER$~kFE2yP
12-3 基准源电路 J _| >rfW
VKrKA71Z~
12-4 模拟开关 u
q
y~hY
uo
BPi[nK
集成运算放大器 Xg"Mjmr
13-1 运算放大器的基本概念 1hp@.Fv
q%^gG0 3.
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 U(qM( E
{la ^useg[
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 Un[#zh<4
/L[: C=u
13-4 µA741通用型运算放大器 ` }Hnj*
kQBVx8Uq]
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 tbk9N( R
.g&BA15<F6
模拟集成电 ,
9 M \`6
14-1 集成电压 !8s:3]
G6Fg<g9:
14-2 D/A转换器 ;j_#,Da9<
x[oYN9O
14-3 A/D转换器 j+ys&pDczm
uc"u@ _M
14-4 MOS模拟集成电路 &]c9}Ic
hg>YOf&RG
模拟集成电路的版图设计 J/*[wj
15-1 模拟集成电路版图设计特点 ~gD tj&F
6u7HO-aa
15-2 模拟集成电路中的相容技术 .lnD ]Q
Zj0&/S
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 *Ee # x!O
d$Xvax,C
2004.7.7
