华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计

华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 +=P@HfVfiq  
@q8an  
第一篇MOS 逻辑集成电路 j9y3hQ+q  
BWUq%o,@g  
MOS晶体管工作原理 0 bS A_  
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 6*XM7'n  
8cVzFFQP  
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 [}o~PN:sT(  
6yIvaY$KR  
1.3 MOS晶体管的电流方程 cFZCf8:zB  
/c-nE3+rn  
1.4 MOS瞬态特性 _ PWj(});  
TKI$hc3|L  
MOS器件按比例缩小 8^yJ
qAXK  
2.1 按比例缩小理论 qfL-r,XS`F  
pyB~M9Bp/  
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 d'HOpJE  
_sMs}?^  
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 _p}xZD\?,  
Dpqt;8"2L  
2.4 VLSI发展的实际限制 Dy9\O77>  
:nGM
tF  
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 jNl/!l7B  
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 DJ;g|b  
Fi;VDK(V9  
3.2 CMOS IC 工艺流程 ?&c:q3_-Z  
<+]f`c*Z  
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 X>l*v\F9  
Nw<P bklz  
CMOS反相器和CMOS传输门 hU {-a`  
4.1 CMOS反相器的直流特性 %
%}A|,  
T{ Zwm!s  
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 ]n v( aM?d  
5vOCCW  
4.3 CMOS 反相器的功能 }KB[B   
9O98Q6-s  
4.4 CMOS反相器设计 2C "=!'  
sa#.l% #  
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 pB01J<@m  
E_:QSy5G  
4.6 CMOS传输门 u<Xog$esu  
W|UtY`1  
CMOS静态逻辑电路设计 fE;Q:# Z.  
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 *|RS*ABte  
bXdY\&fE  
5.2 CMOS与非门的分析 3LK%1+)4  
8j
nz}aBd  
5.3 CMOS或非门的分析 JLm @Ag  
8Qrpa o  
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 A WJWtUa  
7_)|I? =0d  
5.5 组合逻辑电路的设计 .[j%sGdKl  
aG27%(@  
5.6 类NMOS电路 oY3>UZ5\
  
sdr.u  
5.7 传输们逻辑电路 5Pke8K  
8LrK94  
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列
|B[eJq  
\ P/W8{  
动态和时序逻辑电路设计 g(m_yXIx  
6.1 动态逻辑电路的特点 km 5E)_]  
.Q\\dESn"  
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 8wFn}lw&  
! D1zXXq  
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 YoSQN
/Z  
&]NZvqdj.]  
6.4 时钟CMOS(C2MOS) A3yi?y{[*  
rc{o?U'^-  
6.5 无竞争（NORA）动态CMOS电路 )f*Iomp]@  
<GfVMD  
6.6 CMOS触发器 J/kH%_ >Ir  
pVG>A&4  
6.7 时序逻辑电路 T$c +m\j6  
U[fSQ`&D  
输入、输出缓冲器 v Ln> 4SK  
7.1 输入缓冲器 JlIS0hnv  
>\bPZf)tJ)  
7.2 输入保护电路 T`Hw49  
!-(J-45  
7.3 输出缓冲器 kI+b <$:D  
3B#!2|  
7.4 脱片输出驱动级的设计 #313 (PWH  
SLh~_ 5  
7.5 三态输出和双向缓冲器 vKkf2 7  
&kx\W)  
MOS存储器 7}07Pit  
8.1 DRAM Y6;@/[_  
9|a)sb7/  
8.2 SRAM qKs7WBRJy  
K#)bjxz  
8.3 ROM和PLD jl@K!=q  
*NjMb{[ZQ  
MOS IC的版图设计 
Is kSX  
9.1 VLSI的设计方法 my=~"bw4  
x`3.Wu\  
9.2 门阵列和标准单元设计方法 4ioNA/E  
f>4+,@G  
9.3 版图设计
3H <`Z4;  
J\GKqt;5@  
SOICMOS简介 !g/_w  
10.1 SOI CMOS工艺 '%$-]~  
:n`0)g[(  
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 KK .cDAR  
wE v*1y4  
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 '[xut1{  
]q37 Hj  
BiCMOS电路 =mAGD*NK u  
11.1 MOS和双极型器件性能比较 @Zh8 QI+  
81cv:|"  
11.2   BiCMOS工艺和器件结构 eb(m8vLR  
&a~L_`\'  
11.3   BiCMOS逻辑门的设计 Je@p5(f  
Mj,2\ijNM  
11.4   BiCMOS和CMOS电路性能的比较 n9wj[t1/  
&<#/&Pq/i  
11.5   BiCMOS电路实例 IcO9V<Q|  
VQ
/ <09e  
MOS 逻辑集成电路（续） 
aB7d(  
nMOS逻辑集成电路 }NR`
81  
6-1 电阻负载MOS倒相器 moZ)|y  
R,fMZHAG  
6-2 E/E MOS 倒相器 e=YO.HT  
 zd.1  
6-3 自举负载MOS 倒相器 /0X0#+kn  
B6^w{eXN  
6-4 E/D MOS 倒相器 8Q#t\$RY  
*#3voJjV(  
6-5 静态MOS电路 Cj`pw2.  
".Tf<F  
CMOS集成电路 VGkW3Nt0  
7-1 CMOS 倒相器 l; "ub^AH  

uKaf{=*  
7-2 CMOS传输门 =k[(rvU3  
n-L]YrDPK[  
7-3 静态CMOS 电路 HCfS)`  
?w c3+?\J  
7-4 CMOS 门电路的设计 sPZV>Q:zY  
nvm1.}=Cnd  
7-5 CMOS电路中的锁定效应 /zDSlj<c  
A`+(VzZgJ  
动态和准静态MOS电路 PaU@T!v  
8-1 栅电容的电荷存储效应 |
hZ|+7  
FRs|!\S=  
8-2 动态MOS倒相器 oj
,Vi-TZ  
\&l*e  
8-3 动态MOS电路 & y 2GQJE  
bUZ& }(/  
8-4 准静态MOS触发器 ={wjeRp  
4Tbi%vF{  
8-5 动态和准静态CMOS电路 SWe!9Y$  
q]wn:%rX  
MOS集成电路的版图设计 ;]8p:ME  
9-1 MOS集成电路的工艺设计 "pKGUM  
k[^}ld[  
9-2 MOS集成电路版图设计 JOL Z2  
5p(t")
  
9-3 MOS集成电路版图设计举例 ttJ:[ R'  
ix_$Ok  
MOS大规模集成电路 7\|NYT4  
10-1 LSI电路中的CAD技术 1v8:,!C  
G~mB=]  
10-2 HMOS技术 83O^e&Bt  
XDv7#Tv_wv  
10-3 MOS存储器 /F  
ysw6hVb  
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 `HZHVV$~  
"e!$=;5  
10-5 半定制逻辑电路 p~{%f#V  
1:~m)"?I_^  
模拟集成电路  TVEF+t  
模拟集成电路中的特殊元件 JKu6+V jO  
11-1 横向pnp管 e]y=]}A3{  
?@uK
s4  
11-2 纵向pnp管 ,`B>}
  
=S7C
(;=4  
11-3 超增益晶体管 8~L.6c5U  
R~mMGz  
11-4 隐埋齐纳二极管 07WIa@Q  
~.y4 ,-  
11-5 集成电路中的电容器 CIs1*:Q9  
\crb&EgID  
11-6 薄膜电阻器 ."@a1_F|  
)<&CnK  
模拟集成电路中的基本单元电路 \iTPJcb5  
12-1 差分放大器 vkauX:M  
5O;oo@A:[  
12-2 恒流源电路和有源负载 4O,a`:d1$6  
,i((;/O6  
12-3 基准源电路 0$dNrq  
^=M(K''  
12-4 模拟开关 g&(~MD2{  
-t
dO
N  
集成运算放大器 ^ cd5Zl  
13-1 运算放大器的基本概念
IXk'?9  
?g1.-'  
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 &=t(N
I$  
d:WhP_rK9  
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 ;;J98G|1  
\}Kp=8@nE  
13-4 µA741通用型运算放大器 Vt2=rD4oJk  
&WV 9%fI  
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 e
<wj5:M|  
uWT&`m_(2  
模拟集成电 1s\hJATfz  
14-1 集成电压 C+IE<=%F  
@+vTGjHA  
14-2 D/A转换器 %*; 8m'  
)Ea_:
C'  
14-3 A/D转换器 &_^<B7aC'k  
8"rX;5 vP  
14-4 MOS模拟集成电路 'GoeVq  
q%&7J<  
模拟集成电路的版图设计 [|Pe'?zkf  
15-1 模拟集成电路版图设计特点 <plR<iI.  
p&M'DMj+  
15-2 模拟集成电路中的相容技术 #9"_|d=l  
$q+`GXc-  
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 bj^ m<}   
UL"3skV   
2004.7.7

真不如有真题呀，