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主题 : 华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计
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楼主  发表于: 2008-01-23   

华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计

华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 #]\Uk,mhZB  
 on4HKeO  
第一篇MOS 逻辑集成电路 z<MsKD0Q  
'+@=ILj>  
MOS晶体管工作原理  eb ?x9h  
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 ]=\].% >  
C"y(5U)d  
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 8'[~2/  
i}cRi&2[  
1.3 MOS晶体管的电流方程 wi!?BCseq  
A[B<~  
1.4 MOS瞬态特性 lqy Qf$t  
v_yw@  
MOS器件按比例缩小 &j;wCvE4+  
2.1 按比例缩小理论 2_>N/Z4T  
91/Q9xY  
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 \<bx [,?  
&w\{TZ{  
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 9p]QM)M  
Usvl}{L[  
2.4 VLSI发展的实际限制  -uS!\  
YqscZ(L:y  
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 9i:L&d N  
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 j;zM{qu_  
GblA9F7  
3.2 CMOS IC 工艺流程 KR} ?H#%  
Q3'llOx  
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 Z{*\S0^ST  
XPc^Tq  
CMOS反相器和CMOS传输门 PI {bmZ  
4.1 CMOS反相器的直流特性 ./Xz}<($8  
L;z?a Z7n  
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 +|3@=.V  
FaAC&F@u  
4.3 CMOS 反相器的功能 -_g0C^:<,  
b`Zx!^  
4.4 CMOS反相器设计 38B2|x  
vO^m;['  
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 yX>K/68  
[(i  
4.6 CMOS传输门 w{8xpAqm  
/8'NG6"H`  
CMOS静态逻辑电路设计 ;?Tbnn Wn  
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 n` _{9R  
RMV/&85?y  
5.2 CMOS与非门的分析 ;+R&}[9,A)  
g/d<Zfq<{  
5.3 CMOS或非门的分析 EU 6oQ  
/KaZH R.  
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 =j_4S<  
rBzuKQK}J  
5.5 组合逻辑电路的设计 NN{?z!  
"S]0  
5.6 类NMOS电路 4"(Bu/24  
F {e@W([  
5.7 传输们逻辑电路 u@) U"FZ  
 Mx?d  
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 B"w?;EeV.  
jRlYU`?  
动态和时序逻辑电路设计 p` dU2gV  
6.1 动态逻辑电路的特点 s\(k<Ks  
gs[uD5oo<  
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 7F7 {)L  
,-LwtePJ0  
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 M/'sl;  
NNR`!Pty  
6.4 时钟CMOS(C2MOS) ZQsJL\x[UK  
&{hL&BLr  
6.5 无竞争(NORA)动态CMOS电路 d"mkL-  
9&2O 9Nz6  
6.6 CMOS触发器 bo>*fNqAIy  
On:il$MU  
6.7 时序逻辑电路 xrz,\eTb  
b5I I/Y  
输入、输出缓冲器 AT 3cc  
7.1 输入缓冲器 ~$cV: O7  
<c-=3}=U\  
7.2 输入保护电路 ZY={8T@  
wu!59pL  
7.3 输出缓冲器 :{v#'U/^  
F#Ryu~,"  
7.4 脱片输出驱动级的设计 (0r3/t?DQ  
-#[a7',Z;  
7.5 三态输出和双向缓冲器 6Q@j  
}O5i/#.lR  
MOS存储器 -H@:*  
8.1 DRAM (!aNq(   
Oh`69 k  
8.2 SRAM ]L $\ #  
A]0 St@  
8.3 ROM和PLD AaOu L,l  
M61xPq8y5  
MOS IC的版图设计 $E~`\o%Ev  
9.1 VLSI的设计方法 L|:`^M+^w  
=E4LRKn  
9.2 门阵列和标准单元设计方法 Y|f[bw  
KIf dafRL  
9.3 版图设计 kk@f L  
,t?B+$E  
SOICMOS简介 rC%*$g $  
10.1 SOI CMOS工艺 HGs $*  
6+|do+0Icg  
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 3g,`.I_  
M*, -zGr  
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 Vpz\.]  
_[c0)2h  
BiCMOS电路 6:[dj*KGmT  
11.1 MOS和双极型器件性能比较 }<v@01  
9@(PWz=`?  
11.2   BiCMOS工艺和器件结构 JN-y)L/>  
FEz-+X<q2  
11.3   BiCMOS逻辑门的设计 P6-s0]-g  
8B K(4?gC  
11.4   BiCMOS和CMOS电路性能的比较 pYZmz  
yy^q2P  
11.5   BiCMOS电路实例 ooj,/IEQ  
@]%IK(|  
MOS 逻辑集成电路(续) #uG%j  
nMOS逻辑集成电路 x:NY\._  
6-1 电阻负载MOS倒相器 mP~QWx![N  
~S"+S/z/k  
6-2 E/E MOS 倒相器 2 /\r)$ 2i  
~F|+o}a `  
6-3 自举负载MOS 倒相器 ~*&H$6NJS  
w7.V6S$Ga  
6-4 E/D MOS 倒相器 +ZaSM~   
9iIhte.  
6-5 静态MOS电路 vAF "n  
gZ3u=uME  
CMOS集成电路 Ct<udO  
7-1 CMOS 倒相器 FF`T\&u  
Olt?~}  
7-2 CMOS传输门 .nf#c.DI  
Eak$u>Fd8c  
7-3 静态CMOS 电路 T\6dm/5  
 j|DsG,  
7-4 CMOS 门电路的设计 KI iO  
oQ/E}Zk@  
7-5 CMOS电路中的锁定效应 "yy5F>0Wt  
ntX3Nt_n  
动态和准静态MOS电路 k<nZ+! M  
8-1 栅电容的电荷存储效应 )5Q~I,dP  
$u6"*|  
8-2 动态MOS倒相器 [B*x-R[FI  
vFzRg5lH  
8-3 动态MOS电路 1APe=tJ  
b4%??"&<Y  
8-4 准静态MOS触发器 1Z/(G1  
u OmtyX  
8-5 动态和准静态CMOS电路 Jc&{`s^Nu  
P-9)38`5  
MOS集成电路的版图设计 q5J5>  
9-1 MOS集成电路的工艺设计 ,a{P4Bq  
8rAg \H3E  
9-2 MOS集成电路版图设计 > ym,{EHK  
kf\PioD8  
9-3 MOS集成电路版图设计举例 R^8o^z['6u  
n$A9_cHF7  
MOS大规模集成电路 {K~'K+TPu  
10-1 LSI电路中的CAD技术 R"/GQ`^AqA  
v|)4ocFK  
10-2 HMOS技术 nK1Slg#U  
9d0@wq.  
10-3 MOS存储器 gs^Xf;g vI  
nI?[rCM  
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 ^2:p|:Bz!l  
]#i igPZ7  
10-5 半定制逻辑电路 RN1y^`  
"@^k)d$  
模拟集成电路 f=+m IZ  
模拟集成电路中的特殊元件 ydEoC$?0  
11-1 横向pnp管 >>4qJ%bL  
M5 LfRBO  
11-2 纵向pnp管 KWbI'}_z  
w0 M>[ 4  
11-3 超增益晶体管 a K[&V't~  
P_^ +A  
11-4 隐埋齐纳二极管 "`/h#np  
\k7"=yx  
11-5 集成电路中的电容器 djl*H  
u= *FI  
11-6 薄膜电阻器 *g"Nq+i@  
+yG~T  
模拟集成电路中的基本单元电路 /obfw^  
12-1 差分放大器 JJ-( Sl  
d UE,U=  
12-2 恒流源电路和有源负载 *uRBzO}  
dw>C@c#"  
12-3 基准源电路 4/~E4"8  
x M/+L:_<  
12-4 模拟开关 caR<Kb:;*  
IxN9&xa  
集成运算放大器 h]&GLb&<?  
13-1 运算放大器的基本概念 .&iawz  
?/E~/;+7=  
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 yf.~XUk^  
nIf1sH>  
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 CT <7mi!  
e`_ LEv  
13-4 µA741通用型运算放大器 ij`w} V  
9Q^r O26+  
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 qbN =4  
,Ks8*;#r  
模拟集成电 l~q\3UKlt  
14-1 集成电压 .k%72ez  
)T2Caqs2  
14-2 D/A转换器 /)>3Nq4Zx  
SYJD?&C;  
14-3 A/D转换器 VQt0  4?  
[ = q1T3  
14-4 MOS模拟集成电路 FIhk@TKa  
&-6Gc;f8  
模拟集成电路的版图设计 CNyIQ}NJ  
15-1 模拟集成电路版图设计特点 zrgk]n;Pq  
)F>#*P  
15-2 模拟集成电路中的相容技术 bl;1i@Z*M  
'@KEi%-^>  
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 } 9Eg=%0v  
UKvWJnz  
2004.7.7
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沙发  发表于: 2010-01-01   
真不如有真题呀,
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