华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 9Pk3}f)a
x*8f3^ wE
第一篇MOS 逻辑集成电路 GY]6#>D#7
'8kjTf#g<l
MOS晶体管工作原理 cqL7dlhIl
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 IPi<sE
ANQa2swM
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 PJ'lZu8?x
^@lg5d3F
1.3 MOS晶体管的电流方程 kJi&9
.
L5*E(<K0
1.4 MOS瞬态特性 1 lCikS^c
s/vOxGc
MOS器件按比例缩小 m2q;^o:J
2.1 按比例缩小理论 <&s)k
k
.xv+^b9Q
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 QC5f:BwM
(<R\
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 KR+BuL+L
\P~rg~
2.4 VLSI发展的实际限制 ]RXtC*
P[I*%
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 ?I2k6%a
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 a;'E}b{`F
w^rb|mKo
3.2 CMOS IC 工艺流程 2u*h*/
^o6)[_L
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 W^d4/]
@6YBK+"
CMOS反相器和CMOS传输门 $dZ>bXUw:
4.1 CMOS反相器的直流特性 }]g95xT
ICl
_ eb
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 *0&4mi8
eN|HJ=
4.3 CMOS 反相器的功能 6a%:zgkOpu
#7~tL23}]
4.4 CMOS反相器设计 \at-"[.
jW1YTQ
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 *qO]v9 j
B3cf] S%
4.6 CMOS传输门 t(j_eq}J
oP=T6PX~l
CMOS静态逻辑电路设计 z{`6#
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 $#G6m`V
q?;*g@t
5.2 CMOS与非门的分析 rb *C-NutE
1#>&p%P!
5.3 CMOS或非门的分析 6^]`-4*W
cyGN3t9`.
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 nszpG1U:
om".j
5.5 组合逻辑电路的设计 S_T {L
Y)Znb;`?a
5.6 类NMOS电路 w69>tC
uQ:ut(
5.7 传输们逻辑电路 X"hOHx5P
k_*XJ <S!Y
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 ~@[(N]=q
5E]UI YAkV
动态和时序逻辑电路设计 Exep
+x-
6.1 动态逻辑电路的特点 <S\;k@f
)3]83:lD2
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 ur/Oc24i1n
e
Z@Gu
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 2j8Cv:{Nn%
eZ!yPdgy|
6.4 时钟CMOS(C2MOS) _-@Z
Ohw&
9"WRI Ht'c
6.5 无竞争(NORA)动态CMOS电路 I$aXnd6)
H{j~ihq7
6.6 CMOS触发器 sT
d}cP
"[awmZ:wo
6.7 时序逻辑电路 !(W[!%
R&NpdW N
输入、输出缓冲器 fzLANya
7.1 输入缓冲器 i'M^ez)u
tegOT]|
7.2 输入保护电路 .>k=A|3G
ow-+>Y[qZ
7.3 输出缓冲器 NOF?LV
|2qR^Hd&5
7.4 脱片输出驱动级的设计 nped
0FG5_t"",\
7.5 三态输出和双向缓冲器 "w;08TX8
(})]H:W7
MOS存储器 '!pAnsXfO
8.1 DRAM 63.( j P1;
`f%&<,i
8.2 SRAM F\;2i:(
{V.Wk
8.3 ROM和PLD )i&%cyZw
,r@xPZPz:e
MOS IC的版图设计 b([:,T7
9.1 VLSI的设计方法 /d[Mss
uH$oGY
9.2 门阵列和标准单元设计方法 z|uOJ0uK
7kdeYr~<1
9.3 版图设计 a-fv[oB
S3ErH,XB.
SOICMOS简介 yGRR8F5>(
10.1 SOI CMOS工艺 VXiui'/(
6Ux[,]GK
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 1bd$XnU
U4]30B{;H
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 K6-6{vt
YDW|-HIF
BiCMOS电路 l/[pEUYU
11.1 MOS和双极型器件性能比较 Ha?G=X
su}&".e^
11.2 BiCMOS工艺和器件结构 uN8/Q2
[M`=HhJ4
11.3 BiCMOS逻辑门的设计 ,}KwP*:Z
l(#1mY5!q8
11.4 BiCMOS和CMOS电路性能的比较 u
>4ArtF
dbCNhbN(
11.5 BiCMOS电路实例 w~]T<^fW~
zOL;"/R
MOS 逻辑集成电路(续) *<7l!#
nMOS逻辑集成电路 Z/gsCYS3F
6-1 电阻负载MOS倒相器 /p,{?~0mj
&f"T,4Oh
6-2 E/E MOS 倒相器 se#@)LtZ
##v`(#fu
6-3 自举负载MOS 倒相器 "-P/jk
Je 31".
6-4 E/D MOS 倒相器 [3kl^TE
NZ+7p{&AN
6-5 静态MOS电路 bJwc1AJgH
L:pUvcAc?
CMOS集成电路 =DC3a3
&%
7-1 CMOS 倒相器 kutJd{68
modC6d%
7-2 CMOS传输门 e^8BV;+c
_4v"")Xe
7-3 静态CMOS 电路 M$H `^Pv
2T?TM! \Q
7-4 CMOS 门电路的设计 Yz\
N&0"
$ser+Jt=
7-5 CMOS电路中的锁定效应 A?r^V2+j
b]i>Bv
动态和准静态MOS电路 q/x/N5HU
8-1 栅电容的电荷存储效应 R5ZIC4p
#x)8f3I
8-2 动态MOS倒相器 W-m"@<Z
iD714+N(
8-3 动态MOS电路 wDKELQ(yH
AG>\aV"b
8-4 准静态MOS触发器 V^sc1ak1Q
i/*,N&^
8-5 动态和准静态CMOS电路 PJK9704 6
\z:<DsQ&
MOS集成电路的版图设计
w.^yP7:
9-1 MOS集成电路的工艺设计 ,H{={aln
)4m_Ap\
9-2 MOS集成电路版图设计 :,~K]G
yWY|]Pp
9-3 MOS集成电路版图设计举例 8R?I`M_b
$>r5>6
MOS大规模集成电路 g "*;nHI D
10-1 LSI电路中的CAD技术 z_n\5.
%*K;np-q{
10-2 HMOS技术 6$RpV'xz
0T9.M(
10-3 MOS存储器 GTA
f
o;J;k_[MX
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 ^l(^z fsZ
t$I
|E
10-5 半定制逻辑电路 YgimJsm
d.r Y-k
模拟集成电路 IU9,
(E
模拟集成电路中的特殊元件 yU_9a[$V
11-1 横向pnp管 A3q*$.[
u"Fjw F?
11-2 纵向pnp管 lT,+bU
.NnGVxc5*
11-3 超增益晶体管 ChE_unw
hY=I5[*
11-4 隐埋齐纳二极管 (h,Ws-O
u-.L^!k
11-5 集成电路中的电容器 hQ';{5IKvC
^
73=7PZ
11-6 薄膜电阻器 i!,HB|wQ
@O/,a7Tt
模拟集成电路中的基本单元电路 2C1+_IL
12-1 差分放大器 \ja `c)x
Z %EQt
12-2 恒流源电路和有源负载 it,w^VU_]
rBfg*r`)
12-3 基准源电路 K
v?;cu
!
asz?p\k:bC
12-4 模拟开关 7cw]v"iv
;rHz;]si
集成运算放大器
#T"64%dX
13-1 运算放大器的基本概念 [Vp\$;\nT
=l,#iYJP8
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 N^J*!]|
E}$V2ha0zu
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 =]b9X7}
`bqzg
13-4 µA741通用型运算放大器 ,`
o+ ?
3;Hd2 ;G
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 #r}uin*jD
SRWg[H
模拟集成电 Z4@y?fv7s
14-1 集成电压 ZNL5({lv
>76 |:Nq
14-2 D/A转换器 5hz_P+Q
fIkT"
?
14-3 A/D转换器 4 J8Dh;a`
#(dhBEXPW;
14-4 MOS模拟集成电路 f{_)rsqf
7d9Z/J@>
模拟集成电路的版图设计 ]_#SAhOR)
15-1 模拟集成电路版图设计特点 Zs73
ad
7@a\
* |K6
15-2 模拟集成电路中的相容技术 )_Iz>)
5rN7':(H!%
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 r=\P!`{5
JWWInuH
2004.7.7