华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 3l3+A+ n
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第一篇MOS 逻辑集成电路 kGd< 5vCs
0A,]$Fzt
MOS晶体管工作原理 t
5'V6nv
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 ,z;ky 5Ct
1Ab>4UhD
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 Tj HwjRa
&VV~%jl;k
1.3 MOS晶体管的电流方程 s3]?8hXd
,WvY$_#xW%
1.4 MOS瞬态特性 :>TEDy~O%
hGbj 0
MOS器件按比例缩小 %{/%mJoX
2.1 按比例缩小理论 *+uHQgn(
X6 6VU
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 rg{ 9UVj
v.:3"<ur}
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 LJOr !rWi
7zHh@ B:]
2.4 VLSI发展的实际限制 Ya;9]k8,
es>W$QKlo
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 K]j0_~3s
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 *;m5'}jsy
Ov UI@,Ef
3.2 CMOS IC 工艺流程 Q}!m x7b0]
+&Hr4@pgW
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 F:D
orE
Kh4$ wwn
CMOS反相器和CMOS传输门 52b*[tZ
4.1 CMOS反相器的直流特性 vTaJqEE
z81esXl
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 f)g7
3=
;U<rc'qE
4.3 CMOS 反相器的功能 QT9n,lX
xGU(n _ Y
4.4 CMOS反相器设计 h.!}3\Y
gqR)IVk> %
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 Ov#=]t5
U,+[5sbo
4.6 CMOS传输门 UG 'bOF4
M\Gdn92pd
CMOS静态逻辑电路设计 R(-<BtM!-
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 Y3h/~bM%
dg Dy5{_
5.2 CMOS与非门的分析 h' $QC )P
16L]=&@
5.3 CMOS或非门的分析 a6:x"Tv
\o\ nr!=k
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 l~D N1z6`
<$N"q
5.5 组合逻辑电路的设计 6G}+gqb X
pDQ}*
5.6 类NMOS电路 &QG6!`fK}3
{V1Pp;A
5.7 传输们逻辑电路 peJKNX.!q
.>wv\i [p
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 OEPa |rb
7 ~ztwL
动态和时序逻辑电路设计 k z"3ZDR
6.1 动态逻辑电路的特点 JbO ~n
)%x
)RYG %
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 ub u?S%`
KluA
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 =`Y.=RL+'n
h;V,n
6.4 时钟CMOS(C2MOS) /U6% %%-D`
v(l eide
6.5 无竞争（NORA）动态CMOS电路 NNG}M(/V
g(O;{Q_
6.6 CMOS触发器 $ 6F)R|
{F N;'Uc
6.7 时序逻辑电路 0)9"M.AIvo
|3K)$.6~
输入、输出缓冲器 ;nmM7T
Z;
7.1 输入缓冲器 w6 2=06`@
XYx 6V
7.2 输入保护电路 e75UMWaeC
.[DthE
F
7.3 输出缓冲器 5FC4@Ms`
j%<}jw[2
7.4 脱片输出驱动级的设计 X E}H 3/2
R7~ Yw*#,
7.5 三态输出和双向缓冲器 {dPgf
g8 ES8S M
MOS存储器 ql5x2n
8.1 DRAM <-UOISyf
,pq{& A
8.2 SRAM k E;O7sN
;]CVb`d
8.3 ROM和PLD ~9D~7UR
v|
z08\a[
MOS IC的版图设计 &[?CTZ
9.1 VLSI的设计方法 |'HLz=5\
S"snB/
9.2 门阵列和标准单元设计方法 Mo|wME# M
}0=< 6\+:`
9.3 版图设计 5 HV)[us
w#G2-?aj
SOICMOS简介 kpfwqHT
10.1 SOI CMOS工艺 0? Yz]+ {C
FQeYx-7
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 H!IDV }dn
wpPn}[a
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 #j@OLvXh
{^q)^<#JT
BiCMOS电路 X=p"5hhfn
11.1 MOS和双极型器件性能比较 pe04#zQK
BQgoVnQo_c
11.2 BiCMOS工艺和器件结构 aSaAC7sFk
?;7b*Z
11.3 BiCMOS逻辑门的设计 OOy}]uYF`
}HZ {(?
11.4 BiCMOS和CMOS电路性能的比较 y62%26 [
8<PKKDgbfd
11.5 BiCMOS电路实例 g@nk.aRw
H/cTJ9 zz
MOS 逻辑集成电路（续） |
'hLa
nMOS逻辑集成电路 CJ w$j`k
6-1 电阻负载MOS倒相器 RtF8A5ys
]rX9MA6
6-2 E/E MOS 倒相器 rFd@mO
K; kM_%9u
6-3 自举负载MOS 倒相器 |XcH]7Ai"
w7Dt1axB
6-4 E/D MOS 倒相器 d /j@_3'
79ZxqvB\
6-5 静态MOS电路 pieT'mA
W);W.:F
CMOS集成电路 *Tn zkNN_,
7-1 CMOS 倒相器 G=$}5; t
fi=?n{e'
7-2 CMOS传输门 %, ? vyY
xXOw: A'
7-3 静态CMOS 电路 jH0Bo;
8eX8IR! K9
7-4 CMOS 门电路的设计 _t.FL@3e
#]zhZW4
7-5 CMOS电路中的锁定效应 B)a@fmp"a
_;G=G5r
动态和准静态MOS电路 5;
f\0<-
8-1 栅电容的电荷存储效应 ;Q90Y&{L=$
*gSO&O=
8-2 动态MOS倒相器 gb_X?j%p7
UPO^V:.R4
8-3 动态MOS电路 5B|,S1b
u\5g3BH
8-4 准静态MOS触发器 ?#ihJt,
)k~1,
8-5 动态和准静态CMOS电路 @LC~*_y
`,m7xJZ?y
MOS集成电路的版图设计 Mi D
9-1 MOS集成电路的工艺设计 9fCO7AE0#
O\JD, w
9-2 MOS集成电路版图设计 w`-$-4i
qZ?{-V w
9-3 MOS集成电路版图设计举例 oek #^:pF
2$)mC9
MOS大规模集成电路 g
z`*|h
10-1 LSI电路中的CAD技术 # nbn K
8 >d q =0:
10-2 HMOS技术 '2xcce#
8E
9{
Gf
10-3 MOS存储器 F 7V6-V{_
v*Xk WH5
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 # A vEH=:
+i4P,Lp
10-5 半定制逻辑电路 )Oo2<:"
Seg#s
.
模拟集成电路 _r[r8M B
模拟集成电路中的特殊元件 A{M+vsL
11-1 横向pnp管 =kF? _K N
!^]q0x
11-2 纵向pnp管 f!EOYowW
v10mDr
11-3 超增益晶体管
U(P :J e
s9G)Bd 8
11-4 隐埋齐纳二极管 +*: }p
c,.0d
11-5 集成电路中的电容器 xl|ghjn
L%k67>
11-6 薄膜电阻器 "2%y~jrDN
x<Iy<v7-
模拟集成电路中的基本单元电路 9} .,2JE
12-1 差分放大器 Z 4\tY^NI
u/;_?zI
12-2 恒流源电路和有源负载 >,kL p|gA
f_~}X
#._
12-3 基准源电路 D 8gQR Q
v*smI7aH
12-4 模拟开关 %
N7gT*B:
sN" p5p
集成运算放大器 h\ /^Aa0
13-1 运算放大器的基本概念 0BT; "B1
rf )PAdj|~
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 H]Y#pL u|
7E;>E9 '
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 ) )fDOJ
*Ro8W-+
13-4 µA741通用型运算放大器 .L~f Fn
s/
_e;N'DZ
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 mipi]*ZfXE
Q~x*bMb.
模拟集成电 %j~9O~-
14-1 集成电压 b$;HI7)/K
>&*6Fqd
14-2 D/A转换器 7yo|ie@S
Q,O kO?uY
14-3 A/D转换器 pI'8>_o
'=KuJ0`nE9
14-4 MOS模拟集成电路 /E=h{|
c2tEz&=G
模拟集成电路的版图设计 Q3 K;kS
15-1 模拟集成电路版图设计特点 pP?<[ql[w
i n[n A a
15-2 模拟集成电路中的相容技术 % <8K^|w
jrDz7AfA
15-3 µA741运算放大器版图设计分析
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2004.7.7
