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主题 : 华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计
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楼主  发表于: 2008-01-23   

华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计

华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 bqaj ~:}@  
u1d%w OY  
第一篇MOS 逻辑集成电路 sD&V_ &i  
"" _B3'  
MOS晶体管工作原理 e<FMeg7n  
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 xuVc1jJH  
|ZXz&Xor  
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 /FC(d5I  
IS;[oJef  
1.3 MOS晶体管的电流方程 4I|pkdF_  
,WM-%2z^4I  
1.4 MOS瞬态特性 $xF[j9nM  
@ `mke4>_  
MOS器件按比例缩小 Gvvw:]WgF  
2.1 按比例缩小理论 ; qr?[{G  
u`Y~r<?P(  
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 ZPz=\^  
9wO2`e )  
2.3 不能按比例缩小的参数的影响  C ?'s  
|`V=hqe{  
2.4 VLSI发展的实际限制 `R-?+76?  
'#.D`9YI<  
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 "V`DhOG&  
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 Iek ] /=  
e#k)F.TZ:%  
3.2 CMOS IC 工艺流程 ?8U]UM6Tu4  
oL<5hN* D  
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 rls{~ZRl  
up0=Y o@  
CMOS反相器和CMOS传输门 hJz]N$@W  
4.1 CMOS反相器的直流特性 IR;3{o  
+ef>ek  
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 wx!2/I>  
|B64%w>Y  
4.3 CMOS 反相器的功能 {eQijW2Z3  
kmtkh "  
4.4 CMOS反相器设计 :m/qR74+"  
FT J{  
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 HW#@e kh  
z3>4 xn{  
4.6 CMOS传输门 giW9b_  
=ReS lt  
CMOS静态逻辑电路设计 E]r<t#  
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 U%;E:|  
D*sL&Rt][Y  
5.2 CMOS与非门的分析 XJ"xMv  
aMJ2bu  
5.3 CMOS或非门的分析 ~lqNWL^l  
1Y~'U =9  
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 0(&Rm R  
7-\wr^ll3  
5.5 组合逻辑电路的设计 B7o US}M  
zTi 8y<}  
5.6 类NMOS电路 j X*gw6!  
1' dZ?`O  
5.7 传输们逻辑电路 L%-ENk  
^BW8zu@=O  
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 ejbtdU8N<  
Kq+vAp).  
动态和时序逻辑电路设计 U#XW}T=|  
6.1 动态逻辑电路的特点 J{L d)Q,^  
) M(//jX  
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 n,_9Eh#WD  
|It{L0=U  
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 XIl#0-E0X  
-B-HZ_  
6.4 时钟CMOS(C2MOS) M*~XpT3  
mJH4M9WJ]  
6.5 无竞争(NORA)动态CMOS电路 + EKp*Vje  
Gvr>n@n  
6.6 CMOS触发器 yBv4 xKMH  
0TiDQ4}i[  
6.7 时序逻辑电路 [?g} <fa  
`/WOP`'zM  
输入、输出缓冲器 $:onKxVM  
7.1 输入缓冲器 RL/5 o"  
2_Cp}P j  
7.2 输入保护电路 l SuNZY aO  
]xIgP%  
7.3 输出缓冲器 D(e,R9hPU  
blaXAqe  
7.4 脱片输出驱动级的设计 W4h]4X  
?;w\CS^Qu  
7.5 三态输出和双向缓冲器 f&&Ao  
|47 2X&e  
MOS存储器 2%`8  
8.1 DRAM ICTjUQP  
yV&]i-ey  
8.2 SRAM qa6HwlC1  
l[nf"'  
8.3 ROM和PLD (F:|tiV+  
E! ,jTaZz  
MOS IC的版图设计 V@1,((,l  
9.1 VLSI的设计方法 R F;u1vEQ8  
CKU )wJ5t  
9.2 门阵列和标准单元设计方法 |(Xxi  
s:tWEgZk?  
9.3 版图设计 4!?4Tc!X  
b}hQU~,E  
SOICMOS简介 = mhg@N4  
10.1 SOI CMOS工艺 *kJa$3*r  
,%y!F3m  
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 =]<X6!0mR  
W:2]d  
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 a]I~.$G   
AJP-7PPD  
BiCMOS电路 5ai$W`6  
11.1 MOS和双极型器件性能比较 ^j?"0|  
X( C=O?A  
11.2   BiCMOS工艺和器件结构 JS&;7Z$KX  
#}UI  
11.3   BiCMOS逻辑门的设计 :~,V+2e  
 b|Eo\l2  
11.4   BiCMOS和CMOS电路性能的比较 t0 T#Xb  
* a VT  
11.5   BiCMOS电路实例 1EliR uJ  
O+~@ S~  
MOS 逻辑集成电路(续) o~VZ%B  
nMOS逻辑集成电路 Ja%isIdh  
6-1 电阻负载MOS倒相器 B)qcu'>iy  
?"p.Gy)  
6-2 E/E MOS 倒相器 biH ZyUJ  
nTz( {q  
6-3 自举负载MOS 倒相器 HB}iT1.`  
NF_[q(k'  
6-4 E/D MOS 倒相器 !LpFK0rw  
er>@- F7w  
6-5 静态MOS电路 MAgox q~;V  
U{3Pk0rZ  
CMOS集成电路 eXtlqU$  
7-1 CMOS 倒相器 [} "m4+  
(gUxS.zU  
7-2 CMOS传输门 G5$YXNV  
PtOYlZTe?  
7-3 静态CMOS 电路 ~*RBMHs  
j.2 9nJ  
7-4 CMOS 门电路的设计 Bvz& p)(  
\Jr7Hy1;  
7-5 CMOS电路中的锁定效应 dijHi  
uBo~PiJ2"  
动态和准静态MOS电路 t~ z;G%a  
8-1 栅电容的电荷存储效应 TiSV`V q  
-VZ? c  
8-2 动态MOS倒相器 3xpygx9  
S| l%JM^  
8-3 动态MOS电路 #80r?,q  
lBO x B/`  
8-4 准静态MOS触发器 DMd&9EsRG  
8|IlJiJ~v  
8-5 动态和准静态CMOS电路 ~|=G3( I[  
F ss@/-  
MOS集成电路的版图设计 QZ_8r#2x  
9-1 MOS集成电路的工艺设计 S(hT3MAW  
*!yY7 ~#  
9-2 MOS集成电路版图设计 :X#'E Lo|  
2M?L++ i  
9-3 MOS集成电路版图设计举例 _t\)W(E&  
(Z at|R.F  
MOS大规模集成电路 )W3kBDD  
10-1 LSI电路中的CAD技术 uE,j$d  
k3r<']S^  
10-2 HMOS技术 *^.OqbO[U  
{$)pkhJ  
10-3 MOS存储器 AR5)Uw s  
#i[V {J8.p  
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 ? - `8w _3  
w!m4  
10-5 半定制逻辑电路 &8QkGUbS<  
9c=`Q5  
模拟集成电路 km9@*@)  
模拟集成电路中的特殊元件 EJJW  
11-1 横向pnp管 ny[\yj4F  
t-$Hti7Lk  
11-2 纵向pnp管 qre(3,VE5  
84M*)cKR~  
11-3 超增益晶体管 R'p- 4  
3"iJ/Hc}9  
11-4 隐埋齐纳二极管 hwd{^  
$h8,QP y  
11-5 集成电路中的电容器 o9AwW  
x @uowx_&m  
11-6 薄膜电阻器 S]}W+BF3  
`NARJ9M   
模拟集成电路中的基本单元电路 oq9gG)F  
12-1 差分放大器 X16r$~Pb  
yU< "tgE  
12-2 恒流源电路和有源负载 uw9w{3]0f  
[,|;rt\o>  
12-3 基准源电路 XT~]pOE;D  
.[>UkM0  
12-4 模拟开关  T s 1  
W)fh}|.5  
集成运算放大器 ]:F?k#c  
13-1 运算放大器的基本概念 u^]Z{K_B  
$%0A#&DVh  
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 &U0Y#11Cx  
ps@{1Rn1  
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 E_j=v \  
XCQPVSh  
13-4 µA741通用型运算放大器 N2e]S8-  
uT 2w2A;  
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 b {hdEb  
` beU2N  
模拟集成电 rz]M}!>k  
14-1 集成电压 Nkg^;-CV0  
%8~g#Z  
14-2 D/A转换器 YKG}4{T  
px=r~8M9}  
14-3 A/D转换器 7/GL@H  
=X}s^KbI{  
14-4 MOS模拟集成电路 fT  
sRDxa5<MD  
模拟集成电路的版图设计 -VhxnhS  
15-1 模拟集成电路版图设计特点 `CF.-Vl3J#  
W+D{4:  
15-2 模拟集成电路中的相容技术 l fJ lXD  
56T{JTo  
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 LGPPyK Nx  
(|U|>@  
2004.7.7
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沙发  发表于: 2010-01-01   
真不如有真题呀,
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