华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 oMb&a0-7u
g< F7UA
第一篇MOS 逻辑集成电路 R{3?`x!fY
d)R7#HLZ7
MOS晶体管工作原理 S'h{["P~
0
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 !kTI@103Wd
8]`LRzM
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 69/br @j%`
F[ '<;}
1.3 MOS晶体管的电流方程 `y^tCJ2u*
N wIS f
1.4 MOS瞬态特性 nNEIwlj;
![ce=9@t<
MOS器件按比例缩小 \# hp,XV>
2.1 按比例缩小理论 C $<['D?8
Iy V%tOy
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 ? BEO(;'
Ec/-f `8
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 i?+>,r@\p
Z8vR/
2.4 VLSI发展的实际限制 zz7#g U
U9/>}Ni%3G
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 !8Mi+ZV
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 &~
.n}h&
3c|u2P l
3.2 CMOS IC 工艺流程 ~\QN.a
b-"kclK
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 EqjaD/6Y`
\Q~HL_fy|Y
CMOS反相器和CMOS传输门 R/ |2s
4.1 CMOS反相器的直流特性 +ak<yV1=
r/e} DYL&
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 ol #4 AU`
RX cfd-us
4.3 CMOS 反相器的功能 [Q:C\f]
tT` { xM
4.4 CMOS反相器设计 G1?m}{
D)
^dP]3D1
@
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 }n;. E&<[
"NOll:5"(
4.6 CMOS传输门 6EY
W:o
s<b(@L 1
CMOS静态逻辑电路设计 8Hxtm FqG
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 &3~_9+
k>W}9^ cK
5.2 CMOS与非门的分析 F*{1, gb
I;rh(FMV
5.3 CMOS或非门的分析 E!]d?t 3
b
-_p@I+B
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 ^sb+|b
@S#Ls="G
5.5 组合逻辑电路的设计 QKt+Orz
&C&?kS(
5.6 类NMOS电路 G}N
T[
y h{Wuz=T
5.7 传输们逻辑电路 ^Q baMX
-xMM}r
y
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 *R8qnvE\()
2& ZoG%)
动态和时序逻辑电路设计
{ cMf_qQ
6.1 动态逻辑电路的特点 YH-+s
=X u(Js-
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 h$#zuqm
wfY]J0l
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 yr, Oq~e
_^Yav.A=
6.4 时钟CMOS(C2MOS) O9jpt>:kZ
fNNik7
6.5 无竞争（NORA）动态CMOS电路 ~h@<14c{X
\r^*4P,,
6.6 CMOS触发器 [>xGynU0
]YqeI *BX
6.7 时序逻辑电路 xj
O((JC
$
bo
5:c
输入、输出缓冲器 t] PO4GA
7.1 输入缓冲器 I15g G.)
}5{#f`Ca6
7.2 输入保护电路 `|d&ta[{
b{i7FRR>o4
7.3 输出缓冲器 &] e uL:C
'@
C\ ,E
7.4 脱片输出驱动级的设计 3t^r;b
Kl )PF),
7.5 三态输出和双向缓冲器 fsVQZ$h73
.f~x
*@
MOS存储器 '.&z y#
8.1 DRAM {Kh u 'c
n^m6m%J)
8.2 SRAM _O*"_^6
#6 yi
8.3 ROM和PLD a|\ZC\(xI
w tL_c
MOS IC的版图设计 rBUdHd9
9.1 VLSI的设计方法 oztfr<cUH
sG~5O\,E
9.2 门阵列和标准单元设计方法 u teI[Q
K[( h2&
9.3 版图设计 L>qLl_.
u4kg#+H
SOICMOS简介 c>*RQ4vE
10.1 SOI CMOS工艺 Y=#g_(4*
TLk=H Gw
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 Jc:gNQCsP
@p KQ}?
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 6jRUkI-!
liUrw7,
BiCMOS电路 =O )dHY}
11.1 MOS和双极型器件性能比较 9 OC!\'
8
'RlPj 0Cg
11.2 BiCMOS工艺和器件结构 54 Baz
i 7fQj,
q
11.3 BiCMOS逻辑门的设计 [7~ !M*o9
s9wc ZO
11.4 BiCMOS和CMOS电路性能的比较 ^/3R/;?
kphv)a4z=
11.5 BiCMOS电路实例 WJ9 = hr
N%A[}Y0;MW
MOS 逻辑集成电路（续） 0wLu*K5$4E
nMOS逻辑集成电路 pN) 9 G O5
6-1 电阻负载MOS倒相器 l!plw,PYC
P8B
v3
6-2 E/E MOS 倒相器 vMiZ:*iaj@
Wb] ha1$
6-3 自举负载MOS 倒相器 ?=
B$-)/
JRkC~fv
6-4 E/D MOS 倒相器 ?q(7avS9
t%e}'?#^
6-5 静态MOS电路 vs/.'yD/C
!_VKJZ uH
CMOS集成电路 _- &\~w
7-1 CMOS 倒相器 r=<Oy1m/
C :/O]slH
7-2 CMOS传输门 )z/+!y
GqXnOmk
7-3 静态CMOS 电路 _uuxTNN0x*
{(@M0?
7-4 CMOS 门电路的设计 84UH&
b'n
2r2qZ#I}
7-5 CMOS电路中的锁定效应 %O`e !p
D9M<> Xz)
动态和准静态MOS电路 5:%xuJD
8-1 栅电容的电荷存储效应 5A,@$yp+
e`%U}_[ d
8-2 动态MOS倒相器 f"zXiUV
cXiNO
ke&
8-3 动态MOS电路 D<5;4
Mb
luYkC@I@a
8-4 准静态MOS触发器 =X[]0.I%
#Hl0>"k
,
8-5 动态和准静态CMOS电路 'M>QA"*48E
>58N P1[k
MOS集成电路的版图设计 .U F ](
9-1 MOS集成电路的工艺设计 'thWo wE
Umx~!YL!
9-2 MOS集成电路版图设计 SJb+ :
L>
h/E+r:2 ]
9-3 MOS集成电路版图设计举例 ~ .99H
fYrC;&n
MOS大规模集成电路 #=mLQSiQ
10-1 LSI电路中的CAD技术 P_S^)Y
o
~NT2QY5!K
10-2 HMOS技术 U$+EUDFi3_
b&[bfM<
10-3 MOS存储器 qxKW% {6o
VfWU-lJ
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 1t&LNIc|^
WWf#in
10-5 半定制逻辑电路 g=*'kj7c3
3@#WY vD
模拟集成电路 M)sM G
C
模拟集成电路中的特殊元件 *AK{G fP_
11-1 横向pnp管 wq K:=
W:5uoO]=<
11-2 纵向pnp管 @" >^ 2
% gBulvg
11-3 超增益晶体管 e_U1}{=t
-|F(qf
11-4 隐埋齐纳二极管 *CtWDUxSdW
CMu/n]?c
11-5 集成电路中的电容器 t`F<lOKj
% YgGw:wZ
11-6 薄膜电阻器 N{b ;kiZq
3m;*gOLk6
模拟集成电路中的基本单元电路 .VD:FFkW
12-1 差分放大器 oU|yBs1
{>EM=ZZfg
12-2 恒流源电路和有源负载 M ~h^~:Lk
O@9<7@h+Nl
12-3 基准源电路 U5[,UrC
T:<mme3v
12-4 模拟开关 ve3-GWT{C
c]Z@L~WW
集成运算放大器 K U;d[Z@g
13-1 运算放大器的基本概念 :o37 V!
XEX-NE"]
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 I_.Jo `lK~
w^EUBRI-
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 rl__3q
A?zxF5rfp
13-4 µA741通用型运算放大器 f.e4 C,
L b=4\ _
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 !
<
O,x I'
(~U1 X4
模拟集成电 nqv#?>Z^OT
14-1 集成电压 vyhxS .[9
^Mc zumG[
14-2 D/A转换器
\LP?,<
<#ZDA/ G(
14-3 A/D转换器 3: B4 ;
{8im{]8_
14-4 MOS模拟集成电路 ~i5t1
>XU93 )CX
模拟集成电路的版图设计 dk@j!-q^
15-1 模拟集成电路版图设计特点 _[p@V_my
hcrx(oJ5
15-2 模拟集成电路中的相容技术 Hphfqdh0`
*#&s+h,^
15-3 µA741运算放大器版图设计分析
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r4wnfy
2004.7.7
