华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计

华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 >b .^kc  
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"s|]K "  
第一篇MOS 逻辑集成电路 voe7l+Xk  
1=2^90  
MOS晶体管工作原理 >`jU`bR@  
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 .C]cK%OO N  
B%\gkl  
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 1t9.fEmT  
2-0$F Q@ /  
1.3 MOS晶体管的电流方程 9F;S+)H4  
]+H?@*b`  
1.4 MOS瞬态特性 #hw/^AaD-  
3_5XHOdE  
MOS器件按比例缩小 e1q"AOV6  
2.1 按比例缩小理论 B8I4[@m>w\  
zX7q:Pt  
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 La[K!u\B  
RD<75]**{  
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 f*xpE`&  
l+y-Fo@  
2.4 VLSI发展的实际限制 H]#Rg`~n  
qI3NkVA'C  
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 #<CIFV
H  
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 bZipm(e  
w36(p{#vp  
3.2 CMOS IC 工艺流程 'i>xf ^  
K6pR8z*?  
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 CV.+P-  
;8B.;%qkL  
CMOS反相器和CMOS传输门 RB3 zHk%  
4.1 CMOS反相器的直流特性 Q1tpC
T  
rj
H`  
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 W."f8ow  
.
`C V^\  
4.3 CMOS 反相器的功能 Nf?\AK!  
]HvZ$  
4.4 CMOS反相器设计 h{]#ag5`  
%AR^+*Nu  
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 &2.+Igo|G  
LD55n%|0`H  
4.6 CMOS传输门 d(L{!mm  
/)V4k:
#b  
CMOS静态逻辑电路设计 g#W_S?  
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 Jgi Iq  
!dv-8C$U  
5.2 CMOS与非门的分析 C{Blqf3V0  
#@_1f
E  
5.3 CMOS或非门的分析 SFO&=P:U  
d=e{]MG(  
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 /4C`k=>  
yDtOpM8<{  
5.5 组合逻辑电路的设计 u7muaSy  
EUwQIA2c8N  
5.6 类NMOS电路 aIu2>  
R$xY8+}V  
5.7 传输们逻辑电路 %c1FwAC  
K^ 6+Ily  
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 _0]QS4a][c  
eycV@|6u*  
动态和时序逻辑电路设计 t F/nah  
6.1 动态逻辑电路的特点 ,o)4p\nV  
Ej|A ; &E  
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 %O/d4  
AP ;
*iyQ[  
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 kJeu40o N  
 h,hL?imD  
6.4 时钟CMOS(C2MOS) irmwc'n]  
x3;jWg~'  
6.5 无竞争（NORA）动态CMOS电路 m >hovikY*  
xSOoIsL[  
6.6 CMOS触发器 H%~ Q?4  
pVz pN8!  
6.7 时序逻辑电路 #4q
1{)=  
&vkp?UH  
输入、输出缓冲器 [,nfAY  
7.1 输入缓冲器 kc|>Q7~{  
gDj_KKd  
7.2 输入保护电路 1:YAn  
,W8au"  
7.3 输出缓冲器 cb4b,Ri  
=<>pKQ)[  
7.4 脱片输出驱动级的设计 Z]p8IH%~92  
VlV)$z_  
7.5 三态输出和双向缓冲器 -g<cinNSp  
G ;jF9i  
MOS存储器 ]'E}   
8.1 DRAM ,NDxFy;d  
n)Hk8)^8  
8.2 SRAM pB[%:w/@l:  
EuLXtq  
8.3 ROM和PLD `M,Nd'5&|  
jJ*=Ghu-  
MOS IC的版图设计 N]V/83_  
9.1 VLSI的设计方法 B6(h7~0(<  
G~O" /WM  
9.2 门阵列和标准单元设计方法 M,ppCHy/$  
TJE% U0Ln  
9.3 版图设计 u1wg C#  
dRHlx QUn  
SOICMOS简介 8IpxOA#jQ  
10.1 SOI CMOS工艺 +tPx0>p;  
OA!R5sOz"  
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 $R8 >u#K!  
/cM 5  
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 bx;yHIRb  
ip<15 ;Z  
BiCMOS电路 =rtS#u Y  
11.1 MOS和双极型器件性能比较 xG
wTk  
b{zAJ`|#[n  
11.2   BiCMOS工艺和器件结构 C{8i7D  

<>SR4  
11.3   BiCMOS逻辑门的设计 mJSK; @w<O  
mx:J>SPA8  
11.4   BiCMOS和CMOS电路性能的比较 #4Dn@Gqh.Y  
B>{|'z?%>  
11.5   BiCMOS电路实例 Pb bXi  
@TdQZZ}G\x  
MOS 逻辑集成电路（续） Y;'VosTD  
nMOS逻辑集成电路 .WBI%ci  
6-1 电阻负载MOS倒相器 _)OA$  
$o/0A
 
6-2 E/E MOS 倒相器 'bZMh9|  
pESB Il  
6-3 自举负载MOS 倒相器 ^2C0oX  
LvSP #$f  
6-4 E/D MOS 倒相器 9`)w@-~~  
Uuwq7oFub  
6-5 静态MOS电路 *p""YEN  
fR+Ov8PCq  
CMOS集成电路 9(Q
U2QY  
7-1 CMOS 倒相器 6(ka"Vu~  
E}xz7u   
7-2 CMOS传输门 [$ hptQv  
uAW*5 `[  
7-3 静态CMOS 电路 >P<k[vF  
7xLo4  
7-4 CMOS 门电路的设计 w/lXZg  
UgF)J  
7-5 CMOS电路中的锁定效应 o|rGy5  
D=i0e8D!+  
动态和准静态MOS电路 9f@#SB_H  
8-1 栅电容的电荷存储效应 ^q4l4)8jX  
b5iIV1g  
8-2 动态MOS倒相器 Gk{ "O%AE  
t-v^-#  
8-3 动态MOS电路 o1fyNzq<  
k7z(Gbzu   
8-4 准静态MOS触发器 "'Q"(S  
]ro1{wm!WU  
8-5 动态和准静态CMOS电路 ~ERRp3Ee?  
Ez7V>FNX  
MOS集成电路的版图设计 -(4E  
9-1 MOS集成电路的工艺设计 EWuiaw.  
beN>5coP%A  
9-2 MOS集成电路版图设计 w*&n(zJF>  
&J5-'{U|0  
9-3 MOS集成电路版图设计举例 Ux%\Y.PPI  
Xa?6#
  
MOS大规模集成电路 \,@Yl.,+  
10-1 LSI电路中的CAD技术 `&|l;zsS  
aIn)' ]  
10-2 HMOS技术
'b=eC  
Z?.p%*>`T=  
10-3 MOS存储器 %U=S6<lbj;  
 H3/Y  
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 Y1U"HqNl*  
0aTEJX$iZ  
10-5 半定制逻辑电路 QC\,  
PtPGi^
 
模拟集成电路 H/^TXqQ8  
模拟集成电路中的特殊元件 LAK-!!0X  
11-1 横向pnp管 xu_XX#9?b  
JT.\f,z&  
11-2 纵向pnp管 .qqb>7|q  
bzj!d|T`  
11-3 超增益晶体管 Il&"=LooZ  
y3@x*_K8  
11-4 隐埋齐纳二极管 A&}nRP9  
X#Dhk6  
11-5 集成电路中的电容器 08K.\3  
cDQw`ORP*g  
11-6 薄膜电阻器 LDi ezi  
eJ=Y6;d$  
模拟集成电路中的基本单元电路 \MFWK#W  
12-1 差分放大器 gGiV1jN_  
,# jOf{L*  
12-2 恒流源电路和有源负载 pRxlvVt  
Nz>E#.++  
12-3 基准源电路 UTK.tg  
sw qky5_K  
12-4 模拟开关 P=SxiXsr$  
*p#YK|  
集成运算放大器 ?/l}(t$H  
13-1 运算放大器的基本概念 ;5oH6{7_Z  
dS;|Kl[Om  
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 [@. jL0>  
{z[HNSyRs  
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 MlC-
Aad(  
_9O }d   
13-4 µA741通用型运算放大器 #;*ai\6>vD  
9 K /  
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 *(SBl}f4l  
z`r4edk3  
模拟集成电 Wn,g!rB^@  
14-1 集成电压 TaHi+  
P2:Q+j:PX  
14-2 D/A转换器 1d@^,7MF-  
f?<M3P  
14-3 A/D转换器 ]MA)='~  
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1MgQd  
14-4 MOS模拟集成电路 wPO@f~[Ji  
qyBK\WqaP  
模拟集成电路的版图设计 fi4/@tV?$L  
15-1 模拟集成电路版图设计特点 J%[N-  
MVL
}[J  
15-2 模拟集成电路中的相容技术 U#1yl6e\I  
a3 _0F@I  
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 0_zSQn9c  
MLIQ 8=  
2004.7.7

真不如有真题呀，