华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 i`hr'}x
6+s 10?
第一篇MOS 逻辑集成电路
iE8
_>k&M7OU4
MOS晶体管工作原理 d%wy@ h
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 < RaM@E
pd Fa]
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 tW)K pX
6 J
B"qd
1.3 MOS晶体管的电流方程 8uq`^l%KkZ
.4&pi
1.4 MOS瞬态特性 (<ZpT%2
(.Th?p%> 7
MOS器件按比例缩小 G3w kqd
2.1 按比例缩小理论 q@(M
D3OE
aB*'DDlx"r
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 99G'`NO
6 1
8k-
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 z?I"[M
9m+ejT K{U
2.4 VLSI发展的实际限制 d"0=.sA
CAT{)*xc
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 6a!b20IZh
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 \Aq$h:<
E3"j7y[S
3.2 CMOS IC 工艺流程 xMr=t
U1C
8W"X
dv{
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 #
H)\ ts
T jrz_o)
CMOS反相器和CMOS传输门 Xf%vfAf
4.1 CMOS反相器的直流特性 9~5LKg7Ac
F" | ;
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 jb83Y>
qF3s&WI
4.3 CMOS 反相器的功能 TR&7AiqB
%$6?em_
4.4 CMOS反相器设计 ZU68\c L
7:'5q]9
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 :2*0Jh3_
P/,ezVb
=
4.6 CMOS传输门 $[U:D k}
cMoBYk
CMOS静态逻辑电路设计 XYze*8xUb
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 qS/
'Kyp_
Wiqk C#N
5.2 CMOS与非门的分析 ZfU &X{
0
} |21YED
5.3 CMOS或非门的分析 ow4|GLU^;
=l4F/?u]f@
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 ^%t
{:\
Exz(t'
5.5 组合逻辑电路的设计 H 8A =]Gq
1[]V @P ^
5.6 类NMOS电路 LM*m> n*
9Id gib&
5.7 传输们逻辑电路 5 J
7XVe>
'e*:eBoyb
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 l:(?|1_
2>vn'sXdj
动态和时序逻辑电路设计 6)1xjE#
6.1 动态逻辑电路的特点 uz@ lz +
IF kU8EK&B
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 =`t%p1
) %bY2
pk
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 xz){RkVzP
mU;\,96#
6.4 时钟CMOS(C2MOS) 2l} 3L
Eo Ow
u-{
6.5 无竞争（NORA）动态CMOS电路 V&>mD"~MP
x<>I n"QV
6.6 CMOS触发器 Om bvp;
cxxrvP-
6.7 时序逻辑电路 !;B^\
8{
d~w}{LR[1
输入、输出缓冲器 =
Cp}iM
7.1 输入缓冲器 \"Aw
AT Q
YCu9dBeVS
7.2 输入保护电路 ?OdJ t
r8vF I6J
7.3 输出缓冲器 wIK&EGQ
X-J<gI(Y
7.4 脱片输出驱动级的设计 psAdYEGk!
^?gs<-)B
7.5 三态输出和双向缓冲器 1}jwv_0lL
aDE)Nf}
MOS存储器 , XmyC7y<
8.1 DRAM 5:~BGK&{ Y
?o.Q
8.2 SRAM Av
i8 &@ya
y
w>T 1
8.3 ROM和PLD R{A$hnhW6
9UeK}Rl^n
MOS IC的版图设计 "jEf$ ]
9.1 VLSI的设计方法 e$y VV#
FT.;}!"l
9.2 门阵列和标准单元设计方法 cQldBc
PK|"+I0
9.3 版图设计 _ya _Jf*
J,j!
SOICMOS简介 -% Z?rn2
10.1 SOI CMOS工艺 kZ3w 2=x3v
o$_,2$>mn
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 #Jqa_$\.
'vU x4s
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 %wuD4PRK
.#ASo!O5q
BiCMOS电路 +>wBGVvS
11.1 MOS和双极型器件性能比较 (5(TbyWwD
wc#E:GJcK
11.2 BiCMOS工艺和器件结构 2[qlEtvQ
d~U }IM j
11.3 BiCMOS逻辑门的设计 bI"_hvcFp
*c6o#[l
11.4 BiCMOS和CMOS电路性能的比较 ~'<ca<Go|
3.?kxac
11.5 BiCMOS电路实例 U4*Q
;A#
O>H'o k
MOS 逻辑集成电路（续） 96 F S-`
nMOS逻辑集成电路 x<es1A'u6
6-1 电阻负载MOS倒相器 - .EH?{i
E 'O[E =
6-2 E/E MOS 倒相器 d1r IU6
m<X[s
6-3 自举负载MOS 倒相器 m=hUHA,p4
;mAlF>6]\
6-4 E/D MOS 倒相器 Dxlpo!
? #
:_f5(N*{5o
6-5 静态MOS电路 (L3Etan4RE
_sGmkJi]
CMOS集成电路 e(~9JP9
7-1 CMOS 倒相器 v{[:7]b_=
'C2 X9/!,
7-2 CMOS传输门 Ap<kK0#h
Ok V*,n
7-3 静态CMOS 电路 j*' +f~ A
\Qv o
L
7-4 CMOS 门电路的设计 ;[-TsX:
: yi?<
7-5 CMOS电路中的锁定效应 ``?79 MJ5
Z)^1~!w0
动态和准静态MOS电路 u$38"&cmA
8-1 栅电容的电荷存储效应 Pb`Uxv
pv[Gg^
8-2 动态MOS倒相器 Q_r}cL/A
(xdC'@&
8-3 动态MOS电路 |W#(+m
yt
@7l]I
8-4 准静态MOS触发器 1p5n}|
>'1 [Bh
8-5 动态和准静态CMOS电路 .C*mDi)wZ
e~U]yg5X-
MOS集成电路的版图设计 M
'#a.z%
9-1 MOS集成电路的工艺设计 xWnOOE$i
#PkZi(k
hv
9-2 MOS集成电路版图设计 7,lnfCm H
y '[VZ$^i
9-3 MOS集成电路版图设计举例 }6_*i!68"U
2{Y~jYt{h
MOS大规模集成电路 ![i)_XO
10-1 LSI电路中的CAD技术 vc0LV'lmg
;
I;&O5Y
10-2 HMOS技术
=(]Z%Q-V
8c\\-{
10-3 MOS存储器 xG(xG%J
D3B]
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 ;_=N
YG.
1Q/= s, {u
10-5 半定制逻辑电路 Y b=77(Q V
H76iBJ66
模拟集成电路 r7,}
"Pl
模拟集成电路中的特殊元件 .* )e24`
11-1 横向pnp管 )b Wopc
5a-x$Qb9
11-2 纵向pnp管 yQ)&u+r
kH5D%`Kw
11-3 超增益晶体管 :r>^^tGT!
_ 6SAU8M,
11-4 隐埋齐纳二极管 Xhq7)/jp
P6&%`$
11-5 集成电路中的电容器 #R >x]Nt}
S,j. ?u*!
11-6 薄膜电阻器 au04F]-|j8
ae2Q^yLA
模拟集成电路中的基本单元电路 o{6q>Jm
12-1 差分放大器 N+ak{3
gW,hI>
12-2 恒流源电路和有源负载 R 8cOb*D
X@"G1j >/
12-3 基准源电路 a}uYv :
8L, =E ap
12-4 模拟开关 jQ,Vs=*H
V" Z8-u
集成运算放大器 LQHL4jRXU
13-1 运算放大器的基本概念 Z6rhInIY
tEL9hZzI
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 w`;HwK$ ,
A*eVz]i,k&
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 #]x3(}3W
X%+l gm+
13-4 µA741通用型运算放大器 ~W [I
$'%GB $.
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 p_h/hTi
v ! 8=B21
模拟集成电 8 ECX[fw
14-1 集成电压 ly -(F2
9H/>M4R T
14-2 D/A转换器 V2ih/mh
a$ "nNm D?
14-3 A/D转换器 @^< odmM
O|V0WiY<
14-4 MOS模拟集成电路 uYMn VE"
4LKpEl.=
模拟集成电路的版图设计 $
]s^M=8
15-1 模拟集成电路版图设计特点 >U vP/rp
0+e=s0s.
15-2 模拟集成电路中的相容技术 J5G<Y*q
E.h
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 b^VRpv
8f9wUPr
2004.7.7
