华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 bqaj
~:}@
u1d%w
OY
第一篇MOS 逻辑集成电路 sD&V_
&i
""_B3'
MOS晶体管工作原理 e<FMeg7n
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 xuVc1jJH
|ZXz&Xor
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 /FC(d5I
IS;[oJef
1.3 MOS晶体管的电流方程 4I|pkdF_
,WM-%2z^4I
1.4 MOS瞬态特性 $xF[j9nM
@ `mke4>_
MOS器件按比例缩小 Gvvw:]WgF
2.1 按比例缩小理论 ;qr?[{G
u`Y~r<?P(
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 ZPz=\^
9wO2`e )
2.3 不能按比例缩小的参数的影响
C?'s
|`V=hqe{
2.4 VLSI发展的实际限制 `R -?+76?
'#.D`9YI<
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 "V`DhOG&
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 Iek]/=
e#k)F.TZ:%
3.2 CMOS IC 工艺流程 ?8U]UM6Tu4
oL<5hN*
D
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 rls{~ZRl
up0=Y
o@
CMOS反相器和CMOS传输门 hJz]N$@W
4.1 CMOS反相器的直流特性 IR;3{o
+ ef>ek
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 wx!2/I>
|B64%w>Y
4.3 CMOS 反相器的功能 {eQijW2Z3
kmtkh"
4.4 CMOS反相器设计
:m/qR74+"
FT J{
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 HW#@e kh
z3>4 xn{
4.6 CMOS传输门 giW9b_
=ReS
lt
CMOS静态逻辑电路设计 E]r<t#
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 U%;E: |
D*sL&Rt][Y
5.2 CMOS与非门的分析 XJ" xMv
aMJ2bu
5.3 CMOS或非门的分析 ~lqNWL^l
1Y~'U
=9
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 0(&RmR
7-\wr^ll3
5.5 组合逻辑电路的设计 B7oUS}M
zTi
8 y<}
5.6 类NMOS电路 jX*gw6!
1'dZ?`O
5.7 传输们逻辑电路 L%- ENk
^BW8zu@=O
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 ejbtdU8N<
Kq+vAp).
动态和时序逻辑电路设计 U#XW}T=|
6.1 动态逻辑电路的特点 J{Ld)Q,^
)M(//jX
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 n,_9Eh#WD
|It{L0=U
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 XIl#0-E0X
-B-HZ_
6.4 时钟CMOS(C2MOS) M*~X pT3
mJH4M9WJ]
6.5 无竞争(NORA)动态CMOS电路 + EKp*Vje
Gvr>n@n
6.6 CMOS触发器 yBv4 xKMH
0TiDQ4}i[
6.7 时序逻辑电路 [?g}
<fa
`/WOP`'zM
输入、输出缓冲器 $:onKxVM
7.1 输入缓冲器 RL/5o"
2_Cp}P
j
7.2 输入保护电路 l
SuNZYaO
] xIgP%
7.3 输出缓冲器 D (e,R9hPU
blaXAqe
7.4 脱片输出驱动级的设计 W4h ]4X
?;w\CS^Qu
7.5 三态输出和双向缓冲器 f&&Ao
|47 2X&e
MOS存储器 2%`8
8.1 DRAM ICTjUQP
yV&]i-ey
8.2 SRAM qa6HwlC1
l[nf"'
8.3 ROM和PLD (F:|tiV+
E!
,jTaZz
MOS IC的版图设计 V@1,((,l
9.1 VLSI的设计方法 R F;u1vEQ8
CKU
)wJ5t
9.2 门阵列和标准单元设计方法 |(Xxi
s:tWEgZk?
9.3 版图设计 4!?4Tc!X
b}hQU~,E
SOICMOS简介 = mhg@N4
10.1 SOI CMOS工艺 *kJa$3*r
,%y!F3m
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 =]<X6!0mR
W:2]d
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 a]I~.$G
AJP-7PPD
BiCMOS电路 5ai$W`6
11.1 MOS和双极型器件性能比较 ^j?"0|
X(
C=O?A
11.2 BiCMOS工艺和器件结构 JS&;7Z$KX
#}UI
11.3 BiCMOS逻辑门的设计 :~,V+2e
b|Eo\l2
11.4 BiCMOS和CMOS电路性能的比较 t0T#Xb
*
a VT
11.5 BiCMOS电路实例 1EliR uJ
O+~@S~
MOS 逻辑集成电路(续) o~VZ%B
nMOS逻辑集成电路 Ja%isIdh
6-1 电阻负载MOS倒相器 B)qcu'>iy
?"p.Gy)
6-2 E/E MOS 倒相器 biHZyUJ
nTz(
{q
6-3 自举负载MOS 倒相器 HB}iT1.`
NF_[q(k'
6-4 E/D MOS 倒相器 !LpFK0rw
er>@- F7w
6-5 静态MOS电路 MAgox
q~;V
U{3Pk0rZ
CMOS集成电路 eXtlqU$
7-1 CMOS 倒相器 [}"m4+
(gUxS.zU
7-2 CMOS传输门 G5$YXNV
PtOYlZTe?
7-3 静态CMOS 电路 ~*RBMHs
j.2
9nJ
7-4 CMOS 门电路的设计 Bvz&
p)(
\Jr7Hy1;
7-5 CMOS电路中的锁定效应 dijHi
uBo~PiJ2"
动态和准静态MOS电路 t~
z;G%a
8-1 栅电容的电荷存储效应 TiSV`V q
-VZ?
c
8-2 动态MOS倒相器 3xpygx9
S| l%JM^
8-3 动态MOS电路 #80r?,q
lBOxB/`
8-4 准静态MOS触发器 DMd&9EsRG
8|IlJiJ~v
8-5 动态和准静态CMOS电路 ~|=G3(I[
F ss@/-
MOS集成电路的版图设计 QZ_8r#2x
9-1 MOS集成电路的工艺设计 S(hT3MAW
*!yY7 ~#
9-2 MOS集成电路版图设计 :X#'ELo|
2M?L++
i
9-3 MOS集成电路版图设计举例 _t\)W(E&
(Z at|R.F
MOS大规模集成电路 )W3kBDD
10-1 LSI电路中的CAD技术 uE,j$d
k3r<']S^
10-2 HMOS技术 *^.OqbO[U
{$)pkhJ
10-3 MOS存储器 AR5)Uws
#i[V{J8.p
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 ?
-
`8w
_3
w!m4
10-5 半定制逻辑电路 &8QkGUbS<
9c=`Q5
模拟集成电路 km9@*@)
模拟集成电路中的特殊元件 E JJW
11-1 横向pnp管 ny[\yj4F
t-$Hti7Lk
11-2 纵向pnp管 qre(3,VE5
84M*)cKR~
11-3 超增益晶体管 R'p-
4
3"iJ/Hc}9
11-4 隐埋齐纳二极管 hwd{^
$h8,QP
y
11-5 集成电路中的电容器 o9AwW
x @uowx_&m
11-6 薄膜电阻器 S]}W+BF3
`NARJ9M
模拟集成电路中的基本单元电路 oq9gG)F
12-1 差分放大器 X16r$~Pb
yU< "tg E
12-2 恒流源电路和有源负载 uw9w{3]0f
[,|;rt\o>
12-3 基准源电路 XT~]pOE;D
.[>UkM0
12-4 模拟开关 T
s
1
W)fh}|.5
集成运算放大器 ]:F?k#c
13-1 运算放大器的基本概念 u^]Z{K_B
$%0A#&DVh
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 &U0Y#11Cx
ps@{1Rn1
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 E _j=v
\
XCQPVSh
13-4 µA741通用型运算放大器 N2e]S8-
uT2w2A;
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 b
{hdEb
`beU2N
模拟集成电 rz]M}!>k
14-1 集成电压 Nkg^;-CV0
%8~g#Z
14-2 D/A转换器 YKG}4{T
px=r~8M9}
14-3 A/D转换器 7/GL@H
=X}s^KbI{
14-4 MOS模拟集成电路 fT
sRDxa5<MD
模拟集成电路的版图设计 -Vhxnh S
15-1 模拟集成电路版图设计特点 `CF.-Vl3J#
W+ D{4:
15-2 模拟集成电路中的相容技术 l fJ
lXD
56T{ JTo
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 LGPPyKNx
(|U|>@
2004.7.7