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主题 : 华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计
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楼主  发表于: 2008-01-23   

华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计

华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 9Pk3}f)a  
x*8f3^ wE  
第一篇MOS 逻辑集成电路 GY]6#>D#7  
'8kjTf#g<l  
MOS晶体管工作原理 cqL7dlhIl  
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 IPi<sE  
ANQa2swM  
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 PJ'lZu8?x  
^@lg5d3F  
1.3 MOS晶体管的电流方程 kJi&9  
. L5*E(<K0  
1.4 MOS瞬态特性 1 lCikS^c  
s/vOxGc  
MOS器件按比例缩小 m2q;^o:J  
2.1 按比例缩小理论 <&s)k  
k .xv+^b9Q  
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 QC5f:BwM  
(<R\  
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 KR+BuL+L  
\P~rg~  
2.4 VLSI发展的实际限制  ]RX tC*  
P[I*%  
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 ?I2k6%a  
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 a;'E}b{`F  
w^rb|mKo  
3.2 CMOS IC 工艺流程 2u*h*/  
^o6)[_L  
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 W^d4/]  
 @6YBK+"  
CMOS反相器和CMOS传输门 $dZ>bXUw:  
4.1 CMOS反相器的直流特性 }]g95xT  
ICl _ eb  
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 *0&4mi8  
eN| HJ=  
4.3 CMOS 反相器的功能 6a%:zgkOpu  
#7~tL23}]  
4.4 CMOS反相器设计 \at-"[.  
jW1YTQ  
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 *qO]v9 j  
B3cf] S%  
4.6 CMOS传输门 t(j_eq}J  
oP=T6PX~l  
CMOS静态逻辑电路设计 z{`6#  
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 $#G6m`V  
q?;*g@t  
5.2 CMOS与非门的分析 rb *C-NutE  
1#> &p%P!  
5.3 CMOS或非门的分析 6^] `-4*W  
cyGN3t9`.  
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 nszpG1U:  
 om".j  
5.5 组合逻辑电路的设计 S_T {L  
Y)Znb;`?a  
5.6 类NMOS电路 w69>tC  
u Q:ut(  
5.7 传输们逻辑电路 X"hOHx5P  
k_*XJ<S!Y  
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 ~@[(N]=q  
5E]UI YAkV  
动态和时序逻辑电路设计 Exep +x-  
6.1 动态逻辑电路的特点 <S\;k@f  
)3]83:lD2  
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 ur/Oc24i1n  
e  Z@Gu  
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 2j8Cv:{Nn%  
eZ!yPdgy|  
6.4 时钟CMOS(C2MOS) _-@Z Ohw&  
9"WRIHt'c  
6.5 无竞争(NORA)动态CMOS电路 I$aXnd6)  
H{j~ihq7  
6.6 CMOS触发器 sT d}cP  
"[awmZ:wo  
6.7 时序逻辑电路 !(W[!%  
R&NpdW N  
输入、输出缓冲器 f zLANya  
7.1 输入缓冲器 i'M^ez)u  
tegOT]|  
7.2 输入保护电路 .>k=A|3G  
ow-+>Y[qZ  
7.3 输出缓冲器 NOF?LV  
|2qR^Hd&5  
7.4 脱片输出驱动级的设计 nped  
0FG5_t"",\  
7.5 三态输出和双向缓冲器 "w;08TX8  
(})]H:W7  
MOS存储器 '!pAnsXfO  
8.1 DRAM 63.( j P1;  
`f%&<,i  
8.2 SRAM F\;2 i:(  
{V.Wk  
8.3 ROM和PLD )i&%cyZw  
,r@xPZPz:e  
MOS IC的版图设计 b([:,T7  
9.1 VLSI的设计方法 /d[Mss  
 uH $oGY  
9.2 门阵列和标准单元设计方法 z|uOJ0uK  
7kdeYr~<1  
9.3 版图设计 a-fv[oB  
S3ErH,XB.  
SOICMOS简介 yGRR8F5>(  
10.1 SOI CMOS工艺 VXiui'/(  
6Ux[,]G K  
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 1bd$XnU  
U4]30B{;H  
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 K6-6{vt  
YDW|-HIF  
BiCMOS电路 l/[pEUYU  
11.1 MOS和双极型器件性能比较 Ha?G=X  
su}&".e^  
11.2   BiCMOS工艺和器件结构 uN8/Q2   
[M`=HhJ4  
11.3   BiCMOS逻辑门的设计 ,}KwP*:Z  
l(#1mY5!q8  
11.4   BiCMOS和CMOS电路性能的比较 u >4ArtF  
d bCNhbN(  
11.5   BiCMOS电路实例 w~]T<^fW~  
zOL;"/R  
MOS 逻辑集成电路(续) *<7l!#  
nMOS逻辑集成电路 Z/gsCYS3F  
6-1 电阻负载MOS倒相器 /p,{?~0mj  
&f"T,4Oh  
6-2 E/E MOS 倒相器 se#@)LtZ  
##v`(#fu  
6-3 自举负载MOS 倒相器 "-P/jk  
Je 31".  
6-4 E/D MOS 倒相器 [3kl^TE  
NZ+7p{&AN  
6-5 静态MOS电路 bJwc1AJgH  
L:pUvcAc?  
CMOS集成电路 =DC 3a3 &%  
7-1 CMOS 倒相器 kutJd{68  
modC6d%  
7-2 CMOS传输门 e^8BV;+c  
_4v"")Xe  
7-3 静态CMOS 电路 M$H`^Pv  
2T?TM! \Q  
7-4 CMOS 门电路的设计 Yz\ N&0"  
$ser+Jt=  
7-5 CMOS电路中的锁定效应 A? r^V2+j  
b]i>Bv  
动态和准静态MOS电路 q/x/N5HU  
8-1 栅电容的电荷存储效应 R5ZIC4p  
#x)8f3I  
8-2 动态MOS倒相器 W-m"@<Z  
iD714+N(  
8-3 动态MOS电路 wDKELQ(y H  
AG>\aV"b  
8-4 准静态MOS触发器 V^sc1ak1Q  
i/*,N&^  
8-5 动态和准静态CMOS电路 PJK9704 6  
\z:<DsQ&  
MOS集成电路的版图设计 w.^yP7:  
9-1 MOS集成电路的工艺设计 ,H{={aln  
)4m_A p\  
9-2 MOS集成电路版图设计  :,~K]G  
yWY|]Pp  
9-3 MOS集成电路版图设计举例 8R?I`M_b  
$>r5>6  
MOS大规模集成电路 g "*;nHI D  
10-1 LSI电路中的CAD技术 z_n \5.  
%*K;np-q{  
10-2 HMOS技术 6$RpV'xz  
0T9. M(  
10-3 MOS存储器 GTA f   
o;J;k_[MX  
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 ^l(^z fsZ  
t$I |E  
10-5 半定制逻辑电路 YgimJsm  
d.r Y-k  
模拟集成电路 IU9, (E  
模拟集成电路中的特殊元件 yU_9a[$V  
11-1 横向pnp管 A3q*$.[  
u"FjwF?  
11-2 纵向pnp管 lT,+bU  
.NnGVxc5*  
11-3 超增益晶体管 ChE_unw  
 hY=I5[*  
11-4 隐埋齐纳二极管 (h,Ws-O  
u-.L^!k  
11-5 集成电路中的电容器 hQ';{5IKvC  
^ 73=7PZ  
11-6 薄膜电阻器 i!,HB|wQ  
@O/,a7Tt  
模拟集成电路中的基本单元电路 2C1+_IL   
12-1 差分放大器 \ja `c)x  
Z %EQt  
12-2 恒流源电路和有源负载 it,w^VU_]  
rBfg*r`)  
12-3 基准源电路 K v?;cu !  
asz?p\k:bC  
12-4 模拟开关 7cw]v"iv  
;rHz;]si  
集成运算放大器 #T"64%dX  
13-1 运算放大器的基本概念 [Vp\$;\nT  
=l,#iYJP8  
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 N^J*!]|  
E}$V2ha0zu  
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 =]b9X7}  
`bqzg  
13-4 µA741通用型运算放大器 , ` o+ ?  
3;Hd2 ;G  
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 #r}uin*jD  
SRWg[H  
模拟集成电 Z4@y?f v7s  
14-1 集成电压 ZNL5({lv  
>76 |:Nq  
14-2 D/A转换器 5hz_P+Q  
fIkT" ?  
14-3 A/D转换器 4J8Dh;a`  
#(dhBEXPW;  
14-4 MOS模拟集成电路 f{_)rsqf  
7d9Z/J@>  
模拟集成电路的版图设计 ]_ #SAhOR)  
15-1 模拟集成电路版图设计特点 Z s73 ad  
7@a\ *|K6  
15-2 模拟集成电路中的相容技术 )_Iz>)  
5rN7':(H!%  
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 r=\P!`{5  
JWWInuH  
2004.7.7
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沙发  发表于: 2010-01-01   
真不如有真题呀,
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