华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 =v~$&@
dt(Lp_&v
第一篇MOS 逻辑集成电路 e)]DFP[n
r+}<]?aT>-
MOS晶体管工作原理 gBo~NLrf
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 }Z% j=c"d
Z4tc3e
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 .,gVquqMY
vXibg
1.3 MOS晶体管的电流方程 WmZ,c_
XC\'8hL:
1.4 MOS瞬态特性 LH>h]OTQF
yb'v*B]
MOS器件按比例缩小 <u2iXH5w
2.1 按比例缩小理论 A9M/n^61
bk4G+wGw
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响
@{x+ln1r
jx8hh}C
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 W
vWZzlw
fh@/fd
2.4 VLSI发展的实际限制
Ox+}JB
[
pOIfKd
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 .;NoKO7)
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 zK&J2P`
=lS@nRH
3.2 CMOS IC 工艺流程 $ 7uxReFZR
Z n]e2
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 kF7`R4Sz
Dlo4Wy
CMOS反相器和CMOS传输门 _tVrLb7`s
4.1 CMOS反相器的直流特性 }#9 |au`
q|.K&@_'K
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 r2>y
!Q?
vKNxL^x
4.3 CMOS 反相器的功能 \}NZ]l
`jH 0FJQ
4.4 CMOS反相器设计 ?[S{kMb2
g;<_GL
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 Ov8{ny
j=TGe
4.6 CMOS传输门 /A/k13 J
E9n7P'8
CMOS静态逻辑电路设计 Xu&4
|$wB+
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 7(bE;(4
KoO\<_@";
5.2 CMOS与非门的分析 z3p#`
E|
=~rIKN
5.3 CMOS或非门的分析
p(Bn!
Z
)dz
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 OQZ\/~o 5
<y5f[HjLy
5.5 组合逻辑电路的设计 YC0FXN V
~",,&>#[K
5.6 类NMOS电路 zMQ|j_l9E
rnCu=n
5.7 传输们逻辑电路 SgocHpyg
$N1UEvC%Q
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 SH5G
d>qxaX;
动态和时序逻辑电路设计 x9!vtrM\Zr
6.1 动态逻辑电路的特点 d^.fB+)A3
" |l-NUe
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 5=--+8[ bV
.5x+FHu7
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 v/yt C/WH"
JH0L^p
6.4 时钟CMOS(C2MOS) ^J=l] l
`?ijKZ}y5
6.5 无竞争(NORA)动态CMOS电路 Qm X(s
/)` kYD6
6.6 CMOS触发器 a jCx"J
P]G`Y>#$r
6.7 时序逻辑电路 {~"6/L
uE6;;Ir#mF
输入、输出缓冲器 kG7q4jFwP
7.1 输入缓冲器 -B-nTS`
x`vIY-DS
7.2 输入保护电路
ui:
;_lEu" -
7.3 输出缓冲器 }'KVi=qnHb
,rp-`E5ap
7.4 脱片输出驱动级的设计 [~ sXjaL8
'V5^D<1P
7.5 三态输出和双向缓冲器 .
f V-puE
^ )Lh5
MOS存储器 zOpl
#%"
8.1 DRAM 6.Nu[-?
[y73
xF
8.2 SRAM {Tp0#fi
y#AwuC K
8.3 ROM和PLD FBM 73D@`
bc"E=
z
MOS IC的版图设计 .-;K$'YG
9.1 VLSI的设计方法 s7CoUd2
)*I=>v.Jq
9.2 门阵列和标准单元设计方法 6rEt!v #K[
_=1SR\
9.3 版图设计 \fphM6([RK
J<Wz
3}w6
SOICMOS简介 W>Y8 u8
10.1 SOI CMOS工艺 6y,M+{
ObIi$uJX
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 dhN[\Z%
^lT$D8
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 .*>LD
v.)'be*u
BiCMOS电路 K6kPNi
11.1 MOS和双极型器件性能比较 $EbxV"b+
hi
>Ii2T
11.2 BiCMOS工艺和器件结构 H*3f8A&@s
^ 3LM
%B
11.3 BiCMOS逻辑门的设计 Tk9*@kqv
k0?4vA
11.4 BiCMOS和CMOS电路性能的比较 rd\mFz-SB
N~ljU;wo-9
11.5 BiCMOS电路实例 TH/!z,(>
sMli! u
MOS 逻辑集成电路(续) =/J4(#Xb
nMOS逻辑集成电路 +DM+@F
6-1 电阻负载MOS倒相器 &by,uVb=|{
7|T<dfQk
6-2 E/E MOS 倒相器 US'X9=b_
O{&5 /xBA
6-3 自举负载MOS 倒相器 o(>!T=f
A$A7F=x
6-4 E/D MOS 倒相器 N7%Jy?-+
JGf6*D"O
6-5 静态MOS电路 jt
tlzCDn
N2;T\xx,
CMOS集成电路 ]1%H.pF
7-1 CMOS 倒相器 eGvHU ;@
Xca Y'k#
7-2 CMOS传输门 d7^:z%Eb|
~MyP4x/
7-3 静态CMOS 电路 s>~!r.GC
k$}XZ,Q
7-4 CMOS 门电路的设计 O~9
%!LAu
.Q?cNSWU
7-5 CMOS电路中的锁定效应 6=90 wu3
;:cU /{W
动态和准静态MOS电路 %S$`cp
8-1 栅电容的电荷存储效应 +uKlg#wqc
R7e`Wn
8-2 动态MOS倒相器 9Q^>.^~^
sBu=@8R]y
8-3 动态MOS电路 qU
x!-DMY
~!,'z
8-4 准静态MOS触发器 Z5[ t/
)1lR;fD
8-5 动态和准静态CMOS电路 "Hg.pDNZ
Yj/S(4(h?
MOS集成电路的版图设计 engql;
9-1 MOS集成电路的工艺设计 ^g~Asz5]
,/m<= `*N|
9-2 MOS集成电路版图设计 g*b%
Y@TZ
Reb
9-3 MOS集成电路版图设计举例 Zdl Z,vK^.
m!|u{<,R
MOS大规模集成电路 N/8qd_:8
10-1 LSI电路中的CAD技术 HpSgGhL'J&
ZJ 8~f
10-2 HMOS技术 yps7MM-r
hp%|n
:.G
10-3 MOS存储器 Dvo.yn|kB
8P
Dt 7
\
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 vE>J@g2#
s)_7*DY
10-5 半定制逻辑电路 :7e2O!zH_
H"WkyvqXb
模拟集成电路 ,6}HAC $
模拟集成电路中的特殊元件 d@b"tb}R
11-1 横向pnp管 AJiEyAC!)5
&0It"17Ej
11-2 纵向pnp管 b
guhx3s
,1Suq\
L
11-3 超增益晶体管 Pc nr
[ j?n}D@L
11-4 隐埋齐纳二极管 fk5!/>X
% rRYT8
11-5 集成电路中的电容器 .YYiUA-i9n
,LSF@1|Fx
11-6 薄膜电阻器 2rB$&>}T
-=&r}/&
模拟集成电路中的基本单元电路 WQ\' z?P
12-1 差分放大器 Tt`|26/
HN7(-ml=B
12-2 恒流源电路和有源负载 %DqF_4U 9
.6z#o{n
12-3 基准源电路 O/e5LA
z\pT nteO
12-4 模拟开关 }W#Gf.$6C
*Y?rls `
集成运算放大器 ctTg-J2.
13-1 运算放大器的基本概念 ~%qHJ4C
R56:}<Y,
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 ?_%*{]mt(
.5 p"o-:D
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 k:Da+w_'1
@.yp IE\
13-4 µA741通用型运算放大器 "9!ln
EA7 8&
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 XpJT
/&4
E
y1mlW
模拟集成电 -8-
14-1 集成电压 JfxD-9U^>u
]OL
O~2j
14-2 D/A转换器 !o+#T==p
dZFf/BXU
14-3 A/D转换器 NTASrh
fW~r%u
.y
14-4 MOS模拟集成电路 z|^:1ov,
2 DJs'"8
模拟集成电路的版图设计 u27K
0}
15-1 模拟集成电路版图设计特点 w6zB uW
nsIx5UA_n
15-2 模拟集成电路中的相容技术 =+%QfuK
% 3d59O
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 1v)ur\>R
w[}5qAI5*f
2004.7.7