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主题 : 华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计
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楼主  发表于: 2008-01-23   

华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计

华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 =v~$&@  
dt(Lp_&v  
第一篇MOS 逻辑集成电路 e)]DFP[ n  
r+}<]?aT>-  
MOS晶体管工作原理 gBo~NLrf  
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 }Z% j=c"d  
Z4tc3e  
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 .,gVquqMY  
vXibg  
1.3 MOS晶体管的电流方程 WmZ,c_  
XC\'8hL:  
1.4 MOS瞬态特性 LH>h]OTQF  
yb'v*B ]  
MOS器件按比例缩小 <u2iXH5w  
2.1 按比例缩小理论 A9M/n^61  
bk4G+wGw  
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 @{x+ln1r  
jx8hh}C  
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 W vWZzlw  
fh@/fd  
2.4 VLSI发展的实际限制 Ox+}JB [  
pOIfKd  
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 .;NoKO7)  
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 zK&J2P`  
=lS@nRH  
3.2 CMOS IC 工艺流程 $ 7uxReFZR  
Z n]e2  
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 kF7`R4Sz  
Dlo4Wy  
CMOS反相器和CMOS传输门 _tVrLb7`s  
4.1 CMOS反相器的直流特性 }#9 |au`  
q|.K& @_'K  
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 r2>y !Q?  
vKNxL^x  
4.3 CMOS 反相器的功能 \}NZ] l  
`jH0FJQ  
4.4 CMOS反相器设计 ?[S{kMb2  
g;<_GL  
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 Ov8{ny  
j=TG&#e  
4.6 CMOS传输门 /A/k13 J  
E 9n7P'8  
CMOS静态逻辑电路设计 Xu&4 |$wB+  
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 7(bE;(4  
KoO\<_@";  
5.2 CMOS与非门的分析 z3p #`  
E| =~rIKN  
5.3 CMOS或非门的分析  p(Bn!  
Z  )dz  
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 OQZ\/~o 5  
<y5f[HjLy  
5.5 组合逻辑电路的设计 YC0FXNV  
~",,&>#[K  
5.6 类NMOS电路 zMQ|j_ l9E  
rnC u=n  
5.7 传输们逻辑电路 SgocHpyg  
$N1UEvC%Q  
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 S  H5G  
d>qxaX;  
动态和时序逻辑电路设计 x9!vtrM\Zr  
6.1 动态逻辑电路的特点 d^.fB+)A3  
"|l-NUe  
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 5=--+8[ bV  
.5x+FHu7  
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 v/yt C/WH"  
JH0L^p   
6.4 时钟CMOS(C2MOS) ^J=l]  l  
`?ijKZ}y5  
6.5 无竞争(NORA)动态CMOS电路 Qm X(s  
/)` kYD6  
6.6 CMOS触发器 a jCx"J  
P]G`Y>#$r  
6.7 时序逻辑电路 {~"6/L  
uE6;;Ir#mF  
输入、输出缓冲器 kG7q4jFwP  
7.1 输入缓冲器 -B-nTS`  
x`vIY-DS  
7.2 输入保护电路  ui:  
;_lEu" -  
7.3 输出缓冲器 }'KVi=qnHb  
,rp-`E5ap  
7.4 脱片输出驱动级的设计 [~ sXjaL8  
'V5^D<1P  
7.5 三态输出和双向缓冲器 . f V-puE  
^ )Lh5   
MOS存储器 zOpl #%"  
8.1 DRAM 6.Nu[-?  
[y73 xF   
8.2 SRAM {Tp0#fi  
y#AwuC K  
8.3 ROM和PLD FBM 73D@`  
bc"E= z  
MOS IC的版图设计 .-;K$'YG  
9.1 VLSI的设计方法 s7C oUd2  
)*I=>v.Jq  
9.2 门阵列和标准单元设计方法 6rEt!v #K[  
_=1SR\  
9.3 版图设计 \fphM6([RK  
J<Wz 3}w6  
SOICMOS简介 W>Y8 u8  
10.1 SOI CMOS工艺 6y,M+{  
ObIi$uJX  
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 dhN[\Z%  
^lT$D8  
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 . *>LD  
v.)'b e*u  
BiCMOS电路  K6kPNi  
11.1 MOS和双极型器件性能比较 $EbxV"b+  
hi >Ii2T  
11.2   BiCMOS工艺和器件结构 H*3f8A&@s  
^ 3LM %B  
11.3   BiCMOS逻辑门的设计 Tk9*@kqv  
k0?4vA  
11.4   BiCMOS和CMOS电路性能的比较 rd\mFz-SB  
N~ljU;wo-9  
11.5   BiCMOS电路实例 TH/!z,( >  
sMli!u  
MOS 逻辑集成电路(续) =/J4(#Xb  
nMOS逻辑集成电路 +DM+@F  
6-1 电阻负载MOS倒相器 &by,uVb=|{  
7|T<dfQk  
6-2 E/E MOS 倒相器 US'X9=b_  
O{&5/xBA  
6-3 自举负载MOS 倒相器 o(>!T=f  
A$A7 F=x  
6-4 E/D MOS 倒相器 N7%Jy?-+  
JGf6*D"O  
6-5 静态MOS电路 jt tlzCDn  
N2;T\xx,  
CMOS集成电路 ]1%H.pF  
7-1 CMOS 倒相器 eGvHU ;@  
XcaY'k#  
7-2 CMOS传输门 d7^:z%Eb|  
 ~MyP4x/  
7-3 静态CMOS 电路 s>~!r.GC  
k$}XZ,Q  
7-4 CMOS 门电路的设计 O~9 %!LAu  
.Q?cNSWU  
7-5 CMOS电路中的锁定效应 6=90 wu3  
;:cU/{W  
动态和准静态MOS电路 %S$`cp  
8-1 栅电容的电荷存储效应 +uKlg#wqc  
R7e`Wn  
8-2 动态MOS倒相器 9Q^>.^~^  
sBu=@8R]y  
8-3 动态MOS电路 qU x!-DMY  
~!,'z  
8-4 准静态MOS触发器 Z5[ t/  
)1lR;fD  
8-5 动态和准静态CMOS电路 "Hg.pDNZ  
Yj/S(4(h?  
MOS集成电路的版图设计 engql;  
9-1 MOS集成电路的工艺设计 ^g~Asz5]  
,/m<=`*N|  
9-2 MOS集成电路版图设计 g*b%  
Y@TZ Reb  
9-3 MOS集成电路版图设计举例 ZdlZ,vK^.  
m!|u{<,R  
MOS大规模集成电路 N/8qd_:8  
10-1 LSI电路中的CAD技术 HpSgGhL'J&  
ZJ 8~f  
10-2 HMOS技术 yps7MM-r  
hp%|n :.G  
10-3 MOS存储器 Dvo.yn|kB  
8P Dt 7 \  
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 vE>J@g2#  
s)_7*DY  
10-5 半定制逻辑电路 :7e2O!zH_  
H"WkyvqXb  
模拟集成电路 ,6}HAC $  
模拟集成电路中的特殊元件 d@b"tb}R  
11-1 横向pnp管 AJiEyAC!)5  
&0It"17Ej  
11-2 纵向pnp管 b guhx3s  
,1Suq\ L  
11-3 超增益晶体管 P cnr  
[j?n}D@L  
11-4 隐埋齐纳二极管 fk5!/>X  
% rRYT8  
11-5 集成电路中的电容器 .YYiUA-i9n  
,LSF@1|Fx  
11-6 薄膜电阻器 2rB$&>}T  
-=&r}/&  
模拟集成电路中的基本单元电路 WQ\'z?P  
12-1 差分放大器 Tt `|26/  
HN7(-ml=B  
12-2 恒流源电路和有源负载 %DqF_4U9  
.6z#o{n  
12-3 基准源电路 O/e5LA  
z\pT nteO  
12-4 模拟开关 }W#Gf.$6C  
*Y?rls`  
集成运算放大器 ctTg-J2.  
13-1 运算放大器的基本概念 ~%qHJ4C  
R56:}<Y,  
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 ?_%*{]mt(  
.5p"o-:D  
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 k:Da+w_'1  
@.yp IE\  
13-4 µA741通用型运算放大器  "9!ln  
EA7 8&  
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 XpJT /&4  
E y1mlW  
模拟集成电 -8-  
14-1 集成电压 JfxD-9U^>u  
]OL O~2j  
14-2 D/A转换器 !o+#T==p  
dZFf /BXU  
14-3 A/D转换器 NTASrh  
fW~r%u .y  
14-4 MOS模拟集成电路 z|^:1ov,  
2 DJs '"8  
模拟集成电路的版图设计 u27K 0}  
15-1 模拟集成电路版图设计特点 w6zB uW  
nsIx5UA_n  
15-2 模拟集成电路中的相容技术 =+% QfuK  
% 3d59O  
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 1v)ur\>R  
w[}5qAI5*f  
2004.7.7
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沙发  发表于: 2010-01-01   
真不如有真题呀,
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