华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 Y2o?gug
+_X zmjnDd
第一篇MOS 逻辑集成电路 S}p4iE"n
/x_o!<M
MOS晶体管工作原理 #wL
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 M
`rl!Ci#
s l]_M
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 vnWWneeNr
8!Vl
1.3 MOS晶体管的电流方程 &?mD$Eo
Hemq +]6^
1.4 MOS瞬态特性 ZI= %JU(
=c/wplv*
MOS器件按比例缩小 dZi "$ g
2.1 按比例缩小理论 s2Mb[#:a"
su*'d:L
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 !%"8|)CAr
?OkWe<:4
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 ^$b Y,CE
u(fm@+$^
2.4 VLSI发展的实际限制 0aG ni|
e" St_z(
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 Y;?{
|
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 V5UF3'3;}
|Y ?H A&
3.2 CMOS IC 工艺流程 < 1uZa
F oN|i"*l
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 0*f)=Q'
IZpP[hov
CMOS反相器和CMOS传输门 <
jJ
4.1 CMOS反相器的直流特性 kqFP)!37
@7IIM{
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 KrQ1GepJ
bbE!qk;hEP
4.3 CMOS 反相器的功能 YNQY4\(
? m
DI# ~)
4.4 CMOS反相器设计 ~"nxE
'Gj3:-xqL
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 ]n6# VTz*
OCe!.`
4.6 CMOS传输门 A^USBv+9`
T;r2.Pupn
CMOS静态逻辑电路设计 +S o4r A*9
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 6^] +[q}3
GS$ifv
5.2 CMOS与非门的分析 xi~ ?>f
d; boIP`M;
5.3 CMOS或非门的分析
akp-zn&je
]_ f_w 9]
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 hOjk3
k
, Vc6Gwm
5.5 组合逻辑电路的设计 6 m }Ev95
DhKS
pA
5.6 类NMOS电路 C0T;![/4 A
+}Dw3;W}m
5.7 传输们逻辑电路 fDv2JdiU
,LHn90S
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 #NEE7'&S
]C!gQq2'a
动态和时序逻辑电路设计 q+yQwX{
6.1 动态逻辑电路的特点 D+TD 95t
Ua:}V n&!
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 &GpRI(OB/+
9 P l
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 l!D}3jD
c[0}AG J
6.4 时钟CMOS(C2MOS)
Vr3Zu{&2
pC#E_*49
6.5 无竞争（NORA）动态CMOS电路 .73X3`P25
$o+j
El>
6.6 CMOS触发器 X]ipI$'+C
P\E<9*V
6.7 时序逻辑电路 M H|Og84
yl'u'-Zb6
输入、输出缓冲器 g_;\iqxL
7.1 输入缓冲器 0Um2DjTCG
!Jo _"#5
7.2 输入保护电路 t*p71U4+I
'+@=ILj>
7.3 输出缓冲器 #$.;'#u'so
y\/1/WjBn
7.4 脱片输出驱动级的设计 x`mG <Yt
#NQMy:JHD)
7.5 三态输出和双向缓冲器 5tl< 3g `
4j-Xi
MOS存储器 n'"/KS+_
8.1 DRAM "fb[23g%@k
irZ])a
8.2 SRAM 2_>N/Z4T
Jx :Y-$
8.3 ROM和PLD kBS9tKBWg
xH ]Ct~ md
MOS IC的版图设计 ,Co|-DYf}
9.1 VLSI的设计方法 [DuttFX^x
)705V|v
9.2 门阵列和标准单元设计方法 X;$+,&M"
' B |JAi?
9.3 版图设计 @@f"%2ZR[
-abt:or
SOICMOS简介 t5Sy V:fP
10.1 SOI CMOS工艺 R*, MfV
{ qk1_yP
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 =nHUs1rKn
q]
)K,)
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 -OV&Md:~
2Ah#<k-gC;
BiCMOS电路 l$KA)xbI
11.1 MOS和双极型器件性能比较 X0HZH?V+
70d 1ReQ
11.2 BiCMOS工艺和器件结构 ^^sE:
lf|FWqqV
11.3 BiCMOS逻辑门的设计 'ms-*c &
b=C*W,Q_#
11.4 BiCMOS和CMOS电路性能的比较 , >a&"V^k
gjyYCjF
11.5 BiCMOS电路实例 mY| ) KJ
>NV @ R&
MOS 逻辑集成电路（续） fUWG*o9
nMOS逻辑集成电路
z _$% -6
6-1 电阻负载MOS倒相器 5Pc;5
o0C
v4TQX<0s
6-2 E/E MOS 倒相器 u {cW:
a=_g*OK}D
6-3 自举负载MOS 倒相器 Wtd/=gmiI
:`#d:.@]o@
6-4 E/D MOS 倒相器 /{ J4:N'B>
n F]W,@u"h
6-5 静态MOS电路 yPBZc h %-
bH nT6Icom
CMOS集成电路 q9K)Xk$LF
7-1 CMOS 倒相器 k
.;
j
~vhE |f
7-2 CMOS传输门 _.Nbt(mz
^Z+?h &%%
7-3 静态CMOS 电路 H|<[YYk
K7B/s9/xs
7-4 CMOS 门电路的设计 fw~Bza\e
#Vt%@*
i
7-5 CMOS电路中的锁定效应 NNR`!Pty
ZQsJL\x[UK
动态和准静态MOS电路 &{hL&BLr
8-1 栅电容的电荷存储效应 d"mkL -
9&2O 9Nz6
8-2 动态MOS倒相器 lv<*
7BCp
65P0,b6"OT
8-3 动态MOS电路 xrz,\eTb
ZF8 yw(z
8-4 准静态MOS触发器 n
ATuD
\ZFGw&yN
8-5 动态和准静态CMOS电路 <z&/L/bl"
qJs<#MQ2
MOS集成电路的版图设计 3
3x {CY15
9-1 MOS集成电路的工艺设计 X/!o\yyT
(zYt NLoFx
9-2 MOS集成电路版图设计 mHTXni<!
[wOn|)&
&
9-3 MOS集成电路版图设计举例 !u[9a;Sa#
/ }X1W
MOS大规模集成电路 'Cfl*iNb
10-1 LSI电路中的CAD技术 X1|njJGO1
Lc,Pom
10-2 HMOS技术 w~A{(-
dx
py!|\00}
10-3 MOS存储器 )h 4 f\0
Q7\ w+ANf0
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 ;>yxNGV`
}Yzco 52
10-5 半定制逻辑电路 nI-w}NQ
n8
i] z
模拟集成电路 gMmaK0uhS
模拟集成电路中的特殊元件 x b~yM%*c
11-1 横向pnp管 8@Q$'TT6}
[)M%cyQ
11-2 纵向pnp管 DDP/DD;n}r
n u[ML
11-3 超增益晶体管 XB^' K2
q
4:o#K#
11-4 隐埋齐纳二极管 8, 4"uuI
VU(v3^1"
11-5 集成电路中的电容器 5y [Oj^
ThajH K|U
11-6 薄膜电阻器 % K lrSo
C=L>zOZ
模拟集成电路中的基本单元电路 JV^=v@Z3
12-1 差分放大器 5h=} j
k W Ml
12-2 恒流源电路和有源负载 x_N'TjS^{
. \ULbN3Z
12-3 基准源电路 |^"1{7)
*e Tq VG.
12-4 模拟开关 Ha0M)
0Anv
T= y}y
集成运算放大器 Q^9_' t}X
13-1 运算放大器的基本概念 D[[|")Fn
FF`T \&u
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 Y1W1=Uc uk
M>xK+q?O
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 Mlg0WrJ|2
Y|F9}hj(
13-4 µA741通用型运算放大器 <SA zxo:I
[\98$BN
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 (&Kk7< #`
B?gOHG*vd>
模拟集成电 >^?u
.gM3
14-1 集成电压 wtLO!=B
Ytp(aE:
14-2 D/A转换器 d
`=MgHz
@|Cz-J;
D
14-3 A/D转换器
P+
3G~S r
}1L4 "}L.
14-4 MOS模拟集成电路 *k7+/bU~~
@muRxi
模拟集成电路的版图设计
wv>^0\o
15-1 模拟集成电路版图设计特点 Y!aSs3c
RtkEGxw*^
15-2 模拟集成电路中的相容技术 :DK {Vg6
kf\PioD8
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 Hs;4lSyUO
IEL%!RFG
2004.7.7
