中国科学院物理研究所05、06招收博士研究生入学考试固体物理试题 zAZ+'9LB
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中国科学院物理研究所 pef)c,U$
2005年招收博士研究生入学考试试题 <73dXTZ0
考试科目:固体物理 YcmLc)a7
第一部分 [Zpx
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1.写出七大晶系,并指出每一晶系包含哪几种布拉伐格子(Bravais lattice) p9(|p Z
2.怎样用能带论来理解导体、绝缘体、及半导体之间的区别? DH>>u
3.简单推导布洛赫(Bloch)定理。 k$ORV U
4.对于一个二维正方格子,晶体常数为a, ^E#i5d+'N
*在其倒空间画图标出第一、第二、和第三布里渊区; it#,5#Y:
*画出第一布里渊区中各不相同能量处的等能面曲线; [wO|P{8\"
*画出其态密度随能量变化的示意图。 YaT6vSz
5.晶体中原子间共有多少种结合方式?简述它们各自的特点。 |c)hyw?[Y
6.推导低温极限下的热容量表达式(表示为温度、德拜温度、气体常数和必要的数字常数的函数) 7;i [
第二部分 WSKubn?7B
1.简述晶体中主要缺陷类型(至少答三种)。 %`# HGji)
2.在一维周期场近自由电子模型近似下,格点间距为a,请画出能带E(k)示意图,并说明能隙与哪些物理量有关。 E5+-N
3.简述大块磁体为什么会分成许多畴?为什么磁畴的分裂不会无限进行下去? _no;B_m~
4.简述固体中的两种常见的光吸收过程和各自对应的跃迁。 e*!0|#-
5.写出相率的表达式及其各参数的意义。 I;g>r8N-Bu
6.简述朗道能级的由来。哪一些物理现象与此有关? N+9W2n
7.简述半导体的导电机理。分析其电导率的温度关系。 5{Oq* |
8.简述超导体的两个主要特征 Ds<~JfVl
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中国科学院物理研究所 %ZR<z$
2006年招收博士研究生入学考试试题 >oGs
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考试科目:固体物理 Gv+$7{
1.填空题 +.2OZ3(
①.NaCl 石墨 铜 钠 其中一个的点群与其它不同是 7@NV|Idtd
②.在低温,金刚石比热与温度的关系是 qGXY
③.高压晶体体积变小,能带宽度会 r?$V;Z
④.石墨中原子之间通过 键结合成固体。 6.'j\
2.推导bloch定理;写出理想情况下表面态的波函数的表达式,并说明各项的特点。 6BdK)s
3.推导出一维双原子的色散关系。 @j`gxM_-O
4.在紧束缚近似条件下,求解周期势场中的波函数和能量本征值。 p&$O}AX|
5.某面心立方晶体,其点阵常数为a Z'!i"Jzq|{
①画出晶胞,(1,1,1),(2,2,0),(1,1,3)晶面; r T"3^,,
②计算三面的面间距; A:4?Jd>
③ 说明为什么(1,0,0)晶面衍射强度为零。 9q ]n&5
6. 重费米系统、接触电势、安德森转变。 ;W?mQUo:P8
7.为什么金属电子自由程是有限的但又远远大于原子间距? {X EX0|TZ
8.硅本征载流子浓度为9.65×109cm-3,导带有效密度为2.86×1019cm-3,若掺入每立方厘米1016的As原子,计算载流子浓度。 ^r@,(r6w
9.磁畴 H#/Hs#
10.原激发 qx1+'
11.对理想金属可以认为其介电常数虚部为零。请以Al为例,给出理想金属对的反射率R随频率的变化(公式、频率值、示意图) <
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12.分析说明小角晶界的角度和位错的间距的关系,写出表达式。
1}Th@Vq
13.试通过数据说明,为什么处理硅、锗等半导体的可见光吸收时,采用垂直跃迁的近似是合理的。 "DC L
Z
14.试根据超导B=0,推导出超导临界温度和外加磁场的定性关系。 5q;c=oRUj
15.论述固体内部的位错类型,并且画出示意图。