半导体曾经考过的题目: +I~`Ob
1) 已知杂质浓度秋费米能级 *UL++/f
2) 已知si的晶格常数求其密度 / bm2v;
3) 缺陷的分类方式 _yx~t
4) 载流子自由时间,自由程 \e)>]C}h
5) 突变异质结耗尽层宽度于什么有关 Y7*8 A,
6) 耗尽层宽度最大电场(要熟记一些基本的常数值,例如施敏的书上的附录E) =n@"lY u[
7) 费米能级意义,导出导带电子浓度 yV"k:_O{
8) 画出MOS能级图,反型时电荷,电场,电势分布 eR1SPS1+
9) 金属,半导体,绝缘体能带结构,电子填充分布 1`6kc9f.
10) 费米能级位置计算 4Fu:ov
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11) 你所知道的红外器件,工作原理,改进之处(07秋博试题) +"mS<
12) 求电子漂移速度,扩散系数,电场作用下的τ时间内的运动距离(一般有条件的) 8-#_xsZ^;
13) 测量缺陷能级的方法 $G\WW@*GE
固体物理考过的题目 /$[9-G?
1) d导体,绝缘体,半导体的结构,能带以及其本质性质 8NF93tqD6
2) 为什么能带结构用两条直线表示?指的是什么状态?物质的结合类型有哪些?简要说明器性质和特点。 @ra^0
3) 半金属的能带结构? bm>N~DC
4) 什么叫半导体的本证吸收?推导长波极限和Eg的关系,已知HgCdTe的Eg=0.1eV,求长波极限,此长波极限对应的频率属于电磁波谱中的什么频段? lIhP\:;S&
5) 什么叫自由载流子的光吸收?为什么说其为一个二级过程? W(4Mvd
6) 什么叫异质结?其有什么重要性质及其应用? k2 _i;v
7) 简述当代固体物理学的分支及其发展概况? V><,.p8
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以上尽是一小部分,固体物理大部分考半导体物理知识,半导体物理主要考器件知识。 NZb}n`:
固体物理可以黄昆的前七章,和上海出的前言部分以及刘恩科的半导体物理学 B}(r>8?dm
半导体物理:看施敏的半导体器件物理与工艺就够了 Vb @lK~