上海技术物理所部分试题

半导体曾经考过的题目： "E}38  
1）    已知杂质浓度秋费米能级 Gfy9?sa  
2）    已知si的晶格常数求其密度 $3je+=ER  
3）    缺陷的分类方式 )2mvW1M=7;  
4）    载流子自由时间，自由程 +[Zcz4\9  
5）    突变异质结耗尽层宽度于什么有关 v"J7VF2  
6）    耗尽层宽度最大电场（要熟记一些基本的常数值，例如施敏的书上的附录E） `;\~$^sj}  
7）    费米能级意义，导出导带电子浓度 QDpzIjJj  
8）    画出MOS能级图，反型时电荷，电场，电势分布 UTph(U#  
9）    金属，半导体，绝缘体能带结构，电子填充分布 3~6,fTMz{  
10）    费米能级位置计算 P[<EFjE  
11）    你所知道的红外器件，工作原理，改进之处（07秋博试题）  O)?  
12）    求电子漂移速度，扩散系数，电场作用下的τ时间内的运动距离（一般有条件的） >P[BwL]  
13）    测量缺陷能级的方法 6 ~d\+aV  
固体物理考过的题目 c!HmZ]/  
1)    d导体，绝缘体，半导体的结构，能带以及其本质性质 Z|IFT1K  
2)    为什么能带结构用两条直线表示？指的是什么状态？物质的结合类型有哪些？简要说明器性质和特点。 /{HK0fd  
3)    半金属的能带结构？ z1`z k0  
4)    什么叫半导体的本证吸收？推导长波极限和Eg的关系，已知HgCdTe的Eg=0.1eV,求长波极限，此长波极限对应的频率属于电磁波谱中的什么频段？ 19#A7  
5)    什么叫自由载流子的光吸收？为什么说其为一个二级过程? '
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6)    什么叫异质结？其有什么重要性质及其应用？ 9d1 Gu"  
7)    简述当代固体物理学的分支及其发展概况？ CY i{WV(:  
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以上尽是一小部分，固体物理大部分考半导体物理知识，半导体物理主要考器件知识。 o; Ns-=  
固体物理可以黄昆的前七章，和上海出的前言部分以及刘恩科的半导体物理学 
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半导体物理：看施敏的半导体器件物理与工艺就够了 ;OD+6@Sr