2003年博士入学考试专业基础试卷 o1#3A
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1. 请解释下列名词 x"Ll/E)\v]
（1） 声子（2）布里渊区（3）螺旋轴（4）晶体色心（5）结构因子 A!GvfmzqIn
2. 试推导体心格子的消光规律 I'IFBVhaYn
3. 画出含有两个化合物并包含共晶反应和包晶反应的二元相图，注明相应的共晶和包晶反应的成分点和温度 6)sKg{H
4. 简述相图在晶体生长中的应用 AO`@ &e]o
5. 简述影响多晶X射线衍射强度的因素 <U$YJtEK
6. 试列出三种重要的功能材料并简述其性能 KK 7}q<&i
7.某立方晶系化合物，晶胞参数ａ=4.00A，晶胞中顶点位置为Ti4+所占，体心位置为Sr2+所占，所有棱心位置为O2-所占。 /
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（1）用分数坐标表示诸离子在晶胞中的位置(3分) ~ Q=;L> Qd
（2）写出此晶体的化学组成（分子式）(3分) k% \;$u=%
（3）计算该晶体前三条衍射线的d值（5分） D?y-Y
（4）指出Ti4+和Sr2+的配位数（4分） P8=|#yCi
（5）计算Ti-O和Sr-O键长（5分） F
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2002年第二期博士入学考试专业基础试卷 RCfeIHL
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（每题20分，任选5题，也可全做） *[cCY!+Qy
1. 请解释下列名词 +h-% {
（1） 二级相变（2）布里渊区（3）滑移面（4）无公度结构（5）结构因子 9q 0s
2. 试推导一种底心格子的消光规律 a
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3. 请举例说明固溶体的类型及其测定方法 .qe+"$K'n
4. 简述相图在晶体生长中的应用 #:=c)[G8
5. 请简述晶体中的主要缺陷 +D
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6. 试列出三种重要的功能材料并简述其性能 5.-:)=
7.某立方晶系化合物，晶胞参数ａ=4.00A，晶胞中顶点位置为Ti4+所占，体心位置为Sr2+所占，所有棱心位置为O2-所占。 6{d?3Jk
（1）用分数坐标表示诸离子在晶胞中的位置(3分) X`<z5W] !
（2）写出此晶体的化学组成（分子式）(3分) :BR_%$
（3）计算该晶体前三条衍射线的d值（5分） M&=SvM.f
（4）指出Ti4+和Sr2+的配位数（4分） LTBH/[q5
（5）计算Ti-O和Sr-O键长（5分） QpzdlB44l
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2001年第二期招收博士研究生入学考试试题 i+QVs_jW
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第一部分： M'|[:I.V
（共6题，选做4题，每题15分，总计60分。这部分只能选做4题，如超出规定范围，阅卷时按前4题计分。） = ZoNkj/^,
1.写出七大晶系，并指出每一晶系包含哪几种布拉伐格子（Bravais Iattice）. | J'k 9W"
2.怎样用能带论来理解导体、绝缘体、及半导体之间的区别？
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3.简单推导布洛赫（Bloch）定理。 ,;YNI
4.对于一个二维正方格子，晶格常数为ａ， <% mD#S
? 在其倒空间画图标出第一、第二和第三布里渊区； QgH{J8 0
? 画出第一布里渊区中各种不同能量处的等能面曲线； ^Rl?)_)1HE
? 画出其态密度随能量变化的示意图。 0zr%8Q(Q
5.晶体中原子间共有多少种结合方式？简述它们各自的特点。 >8{{H"$;(
6.推导低温及闲暇的热容量表达式（表示为温度、地摆温度、气体常数和必要的数学常数的函数）。 3 P75:
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第二部分： hX, R
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（共8题，选做5题，每题8分，总计40分。这部分只能选做5题，如超出规定范围，阅卷时按前五题计分。） cJ?,\@uuP
1. 简述晶体中主要缺陷类型（至少答三种）。 ( +
S -
2. 在一维周期场近自由电子模型近似下，格点间距为ａ，请画出能带E(k)示意图，并说明能隙与哪些物理量有关。 ,6^Xn=o #
3. 简述大块磁体为什么会分成许多畴，为什么磁畴的分割不会无限进行下去？ V]]!0ugvk(
4. 简述固体中的两种常见的光吸收过程和各自对应的跃迁。 *E>R1bJ8
5. 写出相律的表达式及其各参数的意义。 }/tf^@
6. 简述朗道能级的由来。哪一些物理现象与此有关？ mo
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7. 简述半导体的导电机理，分析其电导率的温度关系？ F&CvqPI
8. 简述超导体的两个主要特征。
