2003年博士入学考试专业基础试卷 Nh +H9
WcGS9`m/
1. 请解释下列名词
]ZS
OM\
}
（1） 声子（2）布里渊区（3）螺旋轴（4）晶体色心（5）结构因子 aN3;`~{9
2. 试推导体心格子的消光规律 J 'r^/
3. 画出含有两个化合物并包含共晶反应和包晶反应的二元相图，注明相应的共晶和包晶反应的成分点和温度 F!K>Kz
4. 简述相图在晶体生长中的应用 _aeBa uD
5. 简述影响多晶X射线衍射强度的因素 Z;"vW!%d
6. 试列出三种重要的功能材料并简述其性能 xT2
PyI_:
7.某立方晶系化合物，晶胞参数ａ=4.00A，晶胞中顶点位置为Ti4+所占，体心位置为Sr2+所占，所有棱心位置为O2-所占。 dj%!I:Q>u
（1）用分数坐标表示诸离子在晶胞中的位置(3分) #g!.T g'
（2）写出此晶体的化学组成（分子式）(3分) _q^E,P
（3）计算该晶体前三条衍射线的d值（5分） X}0cCdW
（4）指出Ti4+和Sr2+的配位数（4分） wy2
D; ;
（5）计算Ti-O和Sr-O键长（5分） ?aMOZn?
TD_Oo-+\
E
tm?'
2002年第二期博士入学考试专业基础试卷 f%hEnZv
i@J ;G`
（每题20分，任选5题，也可全做） `r_/Wt{g
1. 请解释下列名词 +"VP-s0
（1） 二级相变（2）布里渊区（3）滑移面（4）无公度结构（5）结构因子 (7*}-Uy[C
2. 试推导一种底心格子的消光规律 ;A[Q2( w+
3. 请举例说明固溶体的类型及其测定方法 IE~ |iQ?-
4. 简述相图在晶体生长中的应用 #_ lDss
5. 请简述晶体中的主要缺陷 4KrL{ Z+}
6. 试列出三种重要的功能材料并简述其性能 T[A 69O]v
7.某立方晶系化合物，晶胞参数ａ=4.00A，晶胞中顶点位置为Ti4+所占，体心位置为Sr2+所占，所有棱心位置为O2-所占。 L
/^I*p ,
（1）用分数坐标表示诸离子在晶胞中的位置(3分) 8~gLqh8^V
（2）写出此晶体的化学组成（分子式）(3分) #LOwGJ$yVz
（3）计算该晶体前三条衍射线的d值（5分） %~S&AE-
（4）指出Ti4+和Sr2+的配位数（4分） _J[P[(ab
（5）计算Ti-O和Sr-O键长（5分） GuL<Z1 <c
cCc( fF*^
pb=h/8R
2001年第二期招收博士研究生入学考试试题 *uvQ\.
#R
RRu2
第一部分： &jr3B;g!C
（共6题，选做4题，每题15分，总计60分。这部分只能选做4题，如超出规定范围，阅卷时按前4题计分。） 1ZRT:N<-
1.写出七大晶系，并指出每一晶系包含哪几种布拉伐格子（Bravais Iattice）. 7"xd1l?zz
2.怎样用能带论来理解导体、绝缘体、及半导体之间的区别？ { FT qu.
3.简单推导布洛赫（Bloch）定理。 RCLeA=/N@0
4.对于一个二维正方格子，晶格常数为ａ， M&
CqSd
? 在其倒空间画图标出第一、第二和第三布里渊区； wH6aAV~1
? 画出第一布里渊区中各种不同能量处的等能面曲线； vVcob }ZH
? 画出其态密度随能量变化的示意图。 n? K
5.晶体中原子间共有多少种结合方式？简述它们各自的特点。 T9q-,w/j;
6.推导低温及闲暇的热容量表达式（表示为温度、地摆温度、气体常数和必要的数学常数的函数）。 W`*r>`krVJ
3DG_QVg^v
?[>3QE
v74&BL]a
第二部分： Oz#{S:24M+
（共8题，选做5题，每题8分，总计40分。这部分只能选做5题，如超出规定范围，阅卷时按前五题计分。） G<;*
SYAb
1. 简述晶体中主要缺陷类型（至少答三种）。 ;IM} |2zuN
2. 在一维周期场近自由电子模型近似下，格点间距为ａ，请画出能带E(k)示意图，并说明能隙与哪些物理量有关。 7})[lL`\s
3. 简述大块磁体为什么会分成许多畴，为什么磁畴的分割不会无限进行下去？ _n\GNUA
4. 简述固体中的两种常见的光吸收过程和各自对应的跃迁。 ~.lPEA %%
5. 写出相律的表达式及其各参数的意义。 vgN&K@hJ
6. 简述朗道能级的由来。哪一些物理现象与此有关？ w"& n? L
7. 简述半导体的导电机理，分析其电导率的温度关系？ FN) $0
8. 简述超导体的两个主要特征。
