2003年博士入学考试专业基础试卷 g4 |s9RMD
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1. 请解释下列名词 -q.tU*xf'
（1） 声子（2）布里渊区（3）螺旋轴（4）晶体色心（5）结构因子 le-Q&*
2. 试推导体心格子的消光规律 IA XoEBlMs
3. 画出含有两个化合物并包含共晶反应和包晶反应的二元相图，注明相应的共晶和包晶反应的成分点和温度
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4. 简述相图在晶体生长中的应用 X_eh+>D
5. 简述影响多晶X射线衍射强度的因素 !5P\5WF~Y
6. 试列出三种重要的功能材料并简述其性能 /i#~#Bn|
7.某立方晶系化合物，晶胞参数ａ=4.00A，晶胞中顶点位置为Ti4+所占，体心位置为Sr2+所占，所有棱心位置为O2-所占。 [l2 ds:
（1）用分数坐标表示诸离子在晶胞中的位置(3分) @ sAT#[j
（2）写出此晶体的化学组成（分子式）(3分) Ok=RhoZZ
（3）计算该晶体前三条衍射线的d值（5分） {\Eqo4A5}
（4）指出Ti4+和Sr2+的配位数（4分） Wa {>R2h\
（5）计算Ti-O和Sr-O键长（5分） n%>c4*t
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2002年第二期博士入学考试专业基础试卷 ZV`D} CQ
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（每题20分，任选5题，也可全做） 8()L }@y
1. 请解释下列名词 Xq9n-;%zL
（1） 二级相变（2）布里渊区（3）滑移面（4）无公度结构（5）结构因子 El~ x$X*
2. 试推导一种底心格子的消光规律 &!uN N|W
3. 请举例说明固溶体的类型及其测定方法 4|Dxyb>pS
4. 简述相图在晶体生长中的应用 ZLBv\VQ
5. 请简述晶体中的主要缺陷 aD aQ 7i
6. 试列出三种重要的功能材料并简述其性能 ckXJ9 >
7.某立方晶系化合物，晶胞参数ａ=4.00A，晶胞中顶点位置为Ti4+所占，体心位置为Sr2+所占，所有棱心位置为O2-所占。 5 JE8/CbH
（1）用分数坐标表示诸离子在晶胞中的位置(3分) dc MWCK
（2）写出此晶体的化学组成（分子式）(3分) ?-
5{XrNm
（3）计算该晶体前三条衍射线的d值（5分） W 2VH? -Gw
（4）指出Ti4+和Sr2+的配位数（4分） )p&FDK#ob=
（5）计算Ti-O和Sr-O键长（5分） Kf<-PA
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2001年第二期招收博士研究生入学考试试题 t> J 43
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第一部分： ;Ocih<4k
（共6题，选做4题，每题15分，总计60分。这部分只能选做4题，如超出规定范围，阅卷时按前4题计分。） Vd 2bG4 *=
1.写出七大晶系，并指出每一晶系包含哪几种布拉伐格子（Bravais Iattice）. c7mIwMhl~
2.怎样用能带论来理解导体、绝缘体、及半导体之间的区别？ 3% ?01$k
3.简单推导布洛赫（Bloch）定理。 >y C1X|d~t
4.对于一个二维正方格子，晶格常数为ａ， #/NZ0IbHk
? 在其倒空间画图标出第一、第二和第三布里渊区； uV r6tb1
? 画出第一布里渊区中各种不同能量处的等能面曲线； U^
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? 画出其态密度随能量变化的示意图。 )~1QOl
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5.晶体中原子间共有多少种结合方式？简述它们各自的特点。 F V8 K_xj
6.推导低温及闲暇的热容量表达式（表示为温度、地摆温度、气体常数和必要的数学常数的函数）。 WQ/H8rOs
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第二部分： pqmS
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（共8题，选做5题，每题8分，总计40分。这部分只能选做5题，如超出规定范围，阅卷时按前五题计分。） 3okh'P%+
1. 简述晶体中主要缺陷类型（至少答三种）。 \|\ D
c0p}
2. 在一维周期场近自由电子模型近似下，格点间距为ａ，请画出能带E(k)示意图，并说明能隙与哪些物理量有关。 \2(Uqf#_
3. 简述大块磁体为什么会分成许多畴，为什么磁畴的分割不会无限进行下去？ 6-U+<[,x
4. 简述固体中的两种常见的光吸收过程和各自对应的跃迁。 z1t
YD
5. 写出相律的表达式及其各参数的意义。 RG [*:ReB9
6. 简述朗道能级的由来。哪一些物理现象与此有关？ :<ye:P1s
7. 简述半导体的导电机理，分析其电导率的温度关系？ J<h^V+x
8. 简述超导体的两个主要特征。
