华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 e0v9uQ%F5
6K4`;
第一篇MOS 逻辑集成电路 9feD!0A
/'Qu u)~
MOS晶体管工作原理 #$rf-E5g-K
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 m\ *&2Na
j<l#qho{h
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 :b <-[8d&
F* 3G _V
1.3 MOS晶体管的电流方程 i(M(OR/4
?G4
iOiyt
1.4 MOS瞬态特性 WdTbt
-d|BO[4j
MOS器件按比例缩小 Nl~Z,hT$*
2.1 按比例缩小理论 -!XrwQyk
]{K5zSK
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 -;+m%"k5
6PiEa(
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 8_"3Yb`f
gXq!a|eH
2.4 VLSI发展的实际限制 @
\!KF*v
E/:+@'(k
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 - waX#U T=
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 8' 3"uv
*w=z~Jq^R"
3.2 CMOS IC 工艺流程 y!S^xS
d>YmKTk"
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 w>v5oy 8s-
`ajx h p
CMOS反相器和CMOS传输门 jVX._bEGX
4.1 CMOS反相器的直流特性 L5R `w&Up
4 0 A&#u9o
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 '!pAnsXfO
63.( j P1;
4.3 CMOS 反相器的功能 XQK^$Iq]V
F\ ;2 i:(
4.4 CMOS反相器设计 {V.Wk
d
"2wO[
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 \.5F](:
=\M)6" }y}
4.6 CMOS传输门 1JIG+ZN md
6e*%\2UA
CMOS静态逻辑电路设计 &xgZF Sq
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 N"S3N)wgd
g&Z"_
7L~
5.2 CMOS与非门的分析 mi wf& b
wc"9A~
5.3 CMOS或非门的分析 Z?-;.G*
Ocyb c%
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 g- XKP
X| ,["Az
8
5.5 组合逻辑电路的设计 !-7_ +v >
5~QhX22
5.6 类NMOS电路 )u<eO FI+
<&`
:& 7
5.7 传输们逻辑电路 xg?auje
V- /YNRV
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 3\1#eK'TK.
hv3;irK]&
动态和时序逻辑电路设计 -'j7SOGk
6.1 动态逻辑电路的特点 GKCM|Y
alV dQfu
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 oooS s&t
Nfg{,/ O
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 ;>8kPG
Vu%n&uF
6.4 时钟CMOS(C2MOS) z" EWj7 3
f\ '
T _
6.5 无竞争（NORA）动态CMOS电路 f9a$$nb3`
|U EC
6.6 CMOS触发器 v$;@0t:;#
d+0^u(gc!8
6.7 时序逻辑电路 & 8n?
GB =bG%Tb
输入、输出缓冲器 \ADLMj`F|
7.1 输入缓冲器 #jm@N7OZ
57<Di!rt
7.2 输入保护电路 >L=;"+B0U&
t0.;nv @A0
7.3 输出缓冲器 x9&p!&*&IT
7E\g
&R.
7.4 脱片输出驱动级的设计 -=a[J;'q
xp^ 7#`MJ?
7.5 三态输出和双向缓冲器 X8Fzs!L`
`7\H41%\pp
MOS存储器 d8o ewkiR
8.1 DRAM \7 Gz\=\LR
~) ?|J
8.2 SRAM -=mwy
(hN?:q?'
8.3 ROM和PLD )NIv "Q
)~dOmfw%|
MOS IC的版图设计 >vAN(3Idu
9.1 VLSI的设计方法 o0mJ
y'
P,ydt
9.2 门阵列和标准单元设计方法 h/? 6=D{
*HeVACxo
9.3 版图设计 CN\=9Rvs
+?AW>&68y
SOICMOS简介 d}+W"j;
10.1 SOI CMOS工艺 .&|L|q}
Ww`&i
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 gr+Pl>C{
8UM0vNk
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应
30d#Lq
`0@z"D5c
BiCMOS电路 RRzP* A%=
11.1 MOS和双极型器件性能比较 YtYy zX5u7
&
F6C
11.2 BiCMOS工艺和器件结构 "
" %#cDR
C:j]43`
11.3 BiCMOS逻辑门的设计 y-a|Lu*
^P$7A ]!
11.4 BiCMOS和CMOS电路性能的比较 r?3Aqi"
N RSU+D-z
11.5 BiCMOS电路实例
{7X~!e|w
iLtc
HpN
MOS 逻辑集成电路（续） I$j|Rq
nMOS逻辑集成电路 A 3q*$.[
6-1 电阻负载MOS倒相器 u"Fjw F?
lT ,+bU
6-2 E/E MOS 倒相器 .NnGVxc5*
nk/vGa4
6-3 自举负载MOS 倒相器 $ $4W}Ug3U
XU9'Rfp
6-4 E/D MOS 倒相器 Ue7 6py9
~L'nz quF
6-5 静态MOS电路 SFp
Q#
{ERje uDm]
CMOS集成电路 @O/,a7Tt
7-1 CMOS 倒相器 Xw^X&Pp
*s\sa+2al
7-2 CMOS传输门 .'l N4x
w~N-W8xNR
7-3 静态CMOS 电路 t.U{ Bu
P
LdEE+"J w
7-4 CMOS 门电路的设计 784;]wdy\
aYVDp{_
7-5 CMOS电路中的锁定效应 ;rHz;]si
#T"64%dX
动态和准静态MOS电路 Pux)>q] C
8-1 栅电容的电荷存储效应 T 2|:nC
)@
5-w: c>
8-2 动态MOS倒相器 E}$V2ha0zu
%U?)?iZdL
8-3 动态MOS电路 `bqzg
, `
o+ ?
8-4 准静态MOS触发器 &7Kb] Ti
6x 4_b
8-5 动态和准静态CMOS电路 xb`CdtG2.
\EI#az=I
MOS集成电路的版图设计 0;cuX@A/a?
9-1 MOS集成电路的工艺设计 >76 |:Nq
]!aUT &
9-2 MOS集成电路版图设计 \Tkp
}]Gb UC!Zb
9-3 MOS集成电路版图设计举例 XhA4:t
o 9+Q{|r
MOS大规模集成电路 3:AU:
10-1 LSI电路中的CAD技术 ]]y[t|6
{AgBwBCE
10-2 HMOS技术 (&c,twa~
7LdzZS0 OM
10-3 MOS存储器 {u4i*udG`)
I>hmbBlDv
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 r=\P! `{5
DKHM\yt
10-5 半定制逻辑电路 8]]@S"ZM,\
J Zw^ W {
模拟集成电路 ^'Y HJEK
模拟集成电路中的特殊元件 %I}'Vb{C
11-1 横向pnp管 Q@Dkl
F
mtX31 M4
11-2 纵向pnp管 R#LGFXU
j
s9 &)Fv-#V
11-3 超增益晶体管 Y{j7Q4{
]_\AHnJ
11-4 隐埋齐纳二极管 QH:>jmC{1h
'}CN?f|.
11-5 集成电路中的电容器 $>![wZ3
8W@dtZ,d
11-6 薄膜电阻器 lJ
lhl7
sX!3_ '-
模拟集成电路中的基本单元电路 Nuo^+z
E
12-1 差分放大器 Qxky^:B
W7$s5G,
12-2 恒流源电路和有源负载 uct=i1+ fE
" &Gw1.p
12-3 基准源电路 +\srZ<67
!
. p
12-4 模拟开关 TqXg e{ r
2+o!
o
集成运算放大器 <8*A\&
13-1 运算放大器的基本概念 Y}S.37|+^
NtqFnxm/
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 X:U=MWc>
k?< i*;7
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 ~};]k }
k~{Fnkt
13-4 µA741通用型运算放大器 ed=n``P~}
&yB% QX{3
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 lx`q * &E
/q T E
模拟集成电 g
,`F<CF9
14-1 集成电压 'y< t/qo
hH#lTye
14-2 D/A转换器 4C6=77Jr
JR] )xPI`
14-3 A/D转换器 cD5w| rm?i
XMomFW_
@
14-4 MOS模拟集成电路 y2U/$%B)G
K *TnUQ
模拟集成电路的版图设计 1X [ 73
15-1 模拟集成电路版图设计特点 m\_+)eI|
B^H4
Q
4-
15-2 模拟集成电路中的相容技术 R_t~UTfI;
WfRVv3Vm
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 >9 q]> fJ
n/xXQ7y
2004.7.7
