华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 @T~~aQFk
z=Khbh
第一篇MOS 逻辑集成电路 Fd >epvR
^zR*s |1Q
MOS晶体管工作原理 ?9;r|G
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 DQ= /Jr~
Cm#[$T@C
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 LRv[,]b
)"f*Mp
1.3 MOS晶体管的电流方程 Vnnl~|Xx
"%K[kA6
1.4 MOS瞬态特性 @tPptB
EGK7)O'W
MOS器件按比例缩小 | gP%8nh'C
2.1 按比例缩小理论 td(4Fw||1y
#>O>=#Q
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 CG[04y
qruv^#_l
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 ++Fk8R/$U[
;BYv&(#u1q
2.4 VLSI发展的实际限制 )jed@?
~a`
vk@8
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 oE'Flc.
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 \* SEj&9
lW3wmSWn%
3.2 CMOS IC 工艺流程 0M|Jvw'n|
R6-Z]Hu
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 D4\
*
,w
9hdz<eFL
CMOS反相器和CMOS传输门 |!"qz$8fB
4.1 CMOS反相器的直流特性 W,ik
;P\
|ZJ<N\\h-
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 AIw< 5lW
w}r~Wk^dLI
4.3 CMOS 反相器的功能 6$LQO),,
)_\q)t"=
4.4 CMOS反相器设计 zb& 3{,
^>m"j6`h,
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 )jHH-=JM
gMUCVKGf
4.6 CMOS传输门 ayh=@7*
t$-!1jq
CMOS静态逻辑电路设计 B8.uzX'p
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 \TnRn(Kw
RGy+W-
5.2 CMOS与非门的分析 }-H)jN^
XWv;l)
5.3 CMOS或非门的分析 Q$8&V}jVW
DZqY=Sze
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 <Xl/U^B
,f^ICM
5.5 组合逻辑电路的设计 R/Z
zmb{
MkX=34oc^
5.6 类NMOS电路 hD9b2KZv
-T{G8@V0I
5.7 传输们逻辑电路 jH?!\F2)+
z#^;'n
nw
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 oMHTB!A=2
S pk8u4
动态和时序逻辑电路设计 |&U{
z?
6.1 动态逻辑电路的特点 }No8t o
tr|)+~x3
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 Mh~E]8b
p} {H%L
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 @7K(_Wd
W_lXY Z<
6.4 时钟CMOS(C2MOS) *" +
u^
'9!J' [W
6.5 无竞争(NORA)动态CMOS电路 iF
Zq oz
8kT`5
`}lB
6.6 CMOS触发器 i!)\m0Wm
8QMib3p
6.7 时序逻辑电路 &%m%b5
Rqr>B(|
输入、输出缓冲器 \rd%$hci
7.1 输入缓冲器 j4I ~
")<5VtV
7.2 输入保护电路 I-#7Oq:Np
aYn5AP'PH
7.3 输出缓冲器 4:5M,p
iBI->xU[U
7.4 脱片输出驱动级的设计 -V-I&sO<
&gKDw!
al
7.5 三态输出和双向缓冲器 \&b 9
/l_u $"
MOS存储器 m'Q
G{f
8.1 DRAM ln+.=U6Tm
c g)>A
8.2 SRAM lX.-qCV"B
at4JLbk
8.3 ROM和PLD -+Ot'^
E- [Eg
MOS IC的版图设计 YC')vv3o(
9.1 VLSI的设计方法 Y[]I!Bc
`hdff0
9.2 门阵列和标准单元设计方法 Arm'0)B>
]E$NJq|
9.3 版图设计 i1XRBC9
-fXQ62:S
SOICMOS简介 ~\<$H'
10.1 SOI CMOS工艺 "w%:5~u9
|9=A"092{
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 qB (Pqv
^8_yJ=~V
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 8toOdh
C#nT@;VO5
BiCMOS电路 ,}&TZkN{-
11.1 MOS和双极型器件性能比较 `-.2Z
0
uxB)dS
11.2 BiCMOS工艺和器件结构 IH dA2d?.]
((+XzV>
11.3 BiCMOS逻辑门的设计 "WuUMt
'fl< ac,.
11.4 BiCMOS和CMOS电路性能的比较
?bVIH?
e}1Q+h\
11.5 BiCMOS电路实例 D\&S
{
6" * <0
MOS 逻辑集成电路(续) #i@f%Bq-
nMOS逻辑集成电路 =DJ:LmK
6-1 电阻负载MOS倒相器 G9^`cTvv'8
&{.IUg
6-2 E/E MOS 倒相器 DOJydYds
&Y?t
6-3 自举负载MOS 倒相器 p"p~Bx
d-B+s%>D
6-4 E/D MOS 倒相器 UgGa]b[9A
Cjr]l!
6-5 静态MOS电路 GNMOHqg4
NplyvjQN;
CMOS集成电路 B1)Eo2i#
7-1 CMOS 倒相器 1v]%FC`
hJ{u!:4
7-2 CMOS传输门 uKP4ur@1
'_G\_h}5
7-3 静态CMOS 电路 tJ6@Ot
_J!^iJ
7-4 CMOS 门电路的设计 X>[i<ei
-{cmi
,oy
7-5 CMOS电路中的锁定效应 tRdf:F\X
;bB#Pg
动态和准静态MOS电路 Y.Zd_,qy
8-1 栅电容的电荷存储效应 L5FOlzn
rQimQ|+
8-2 动态MOS倒相器 cuQ!"iH
WY!\^| ,
8-3 动态MOS电路 }#ZRi}f2VJ
@-)?uYw:r
8-4 准静态MOS触发器 [LnPV2@e
"@nH;Xlq
8-5 动态和准静态CMOS电路 Czjb.c:a.Y
@JbxGi
MOS集成电路的版图设计 srv4kodj
9-1 MOS集成电路的工艺设计 `yv?PlKL
cz9J&Le>
9-2 MOS集成电路版图设计 "] V\ Y!
64?HqO
6(
9-3 MOS集成电路版图设计举例 [K3
te
z{W Cw
MOS大规模集成电路 :|W=2(>
10-1 LSI电路中的CAD技术 O6G\0
o
T>B'T3or
10-2 HMOS技术 TTVmm{6
V~dhTdQ5}
10-3 MOS存储器 7% D 4
PB@IPnB-
10-4 微处理器中的算术逻辑单元
JUr
t%2
?62Im^1/
10-5 半定制逻辑电路 `D77CC]vU
B%8@yS
模拟集成电路 @[g7\d
模拟集成电路中的特殊元件 &4:R(]|
11-1 横向pnp管 }b\hRy~=r
^m#tWb)f
11-2 纵向pnp管 |]9@JdmV
5sT3|yq
11-3 超增益晶体管 "Pwa}{
!h.hJt
11-4 隐埋齐纳二极管 xh2r?K@k>
^sf,mM~D
11-5 集成电路中的电容器 &3t973=
qx ki
11-6 薄膜电阻器 w1tM !4r
Y!L-5|G
模拟集成电路中的基本单元电路 /0/ouA>+
12-1 差分放大器 =Ydrct
_Q1p_sdg
12-2 恒流源电路和有源负载 c -k3<|H`
xqX3uq
12-3 基准源电路 T_S3_-|{==
"s0,9;
}
12-4 模拟开关 !`e`4y*N
K;6#v%
集成运算放大器 Z+v,o1
13-1 运算放大器的基本概念 N~,
Ipf
ui>jJ(
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 1O`V_d)
5[4wN(
)
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 AJ}FHym_ZQ
`-{l$Hn9|~
13-4 µA741通用型运算放大器 {g.YGO
TX=894{nGh
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 mS'Ad
<
NfClR HpVc
模拟集成电 i6WPf:#wr
14-1 集成电压 8r(awp
u:APGR^
14-2 D/A转换器 7dY_b
z0rYzn?MR
14-3 A/D转换器 >
'=QBW
r2SZC`Z}-M
14-4 MOS模拟集成电路 }B'-*)^|e{
Led\S;pl
模拟集成电路的版图设计 Bug.>ln1
15-1 模拟集成电路版图设计特点 e#/&A5#Ya
EK4%4<"
15-2 模拟集成电路中的相容技术 HVus\s\&y%
/C8 }5)
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 F
2
B(PGa7
~+1mH
2004.7.7