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主题 : 华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计
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楼主  发表于: 2008-01-23   

华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计

华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 .>PwbZ  
B>z^W+Unyn  
第一篇MOS 逻辑集成电路 @T.F/Pjhc  
KBI 1t$  
MOS晶体管工作原理 -XkjO$=!=  
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 IBNb!mPu%  
9c1q:>|  
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 qEdY]t   
NA/Sv"7om  
1.3 MOS晶体管的电流方程 KpS=oFX{}  
R_Bf JD.  
1.4 MOS瞬态特性 Aqg$q* Y  
a<+Rw{  
MOS器件按比例缩小  w Jvk  
2.1 按比例缩小理论 F%{z E ANm  
[ei5QSL |  
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响  Y!|};  
}:0HM8B7!  
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 lb"T'} q  
Q-U,1b  
2.4 VLSI发展的实际限制 DAEWa Kui  
7bJM $  
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 kaDn= ={YM  
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 f9n4/(C y  
d{C8}U  
3.2 CMOS IC 工艺流程 dQ<e}wtg  
Ja@ ?.gW  
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 tfe'].uT  
x_H"<-By  
CMOS反相器和CMOS传输门 vha@YP C=  
4.1 CMOS反相器的直流特性 52.hJNq#L  
mj y+_  
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 /J,&G: E r  
qEjsAL  
4.3 CMOS 反相器的功能 %';DBozZ   
,z0E2  
4.4 CMOS反相器设计 } x'o`GuUf  
=E8Kacu%  
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 HL!"U (_  
uRw%`J4H  
4.6 CMOS传输门 7|?Ht]  
<^8OYnp  
CMOS静态逻辑电路设计 .MRLA G  
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 "S&1J8D|  
KhbbGdmfS$  
5.2 CMOS与非门的分析 ;WL0  
f<3r;F7  
5.3 CMOS或非门的分析 Wy$Q!R=i  
H Sk}09GV  
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 :.\h.H;  
wijY]$  
5.5 组合逻辑电路的设计 .s@[-! p  
K+c>C j}H  
5.6 类NMOS电路 ~bJ*LM?wOP  
*yA. D?  
5.7 传输们逻辑电路 cNqw(\rr  
Q|cA8Fn  
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 ' 9  
-3:x(^|:K  
动态和时序逻辑电路设计 w2`j&]D6   
6.1 动态逻辑电路的特点 n 6| \  
n?A;'\cK  
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 R0mWVg oz  
uM~j  
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 D$c4's `5  
h9J  
6.4 时钟CMOS(C2MOS) uw@|Y{(K r  
tMy@'nj  
6.5 无竞争(NORA)动态CMOS电路 7gQ~"Q  
v<Ux+-  
6.6 CMOS触发器 %Gs!oD  
>j$CM:w  
6.7 时序逻辑电路 C R$5'#11)  
!P0Oq)q  
输入、输出缓冲器 1cdM^k  
7.1 输入缓冲器 `p %&c%*A  
zKk2 >.  
7.2 输入保护电路 vQ}llA h  
oa|nQ`[  
7.3 输出缓冲器 cv["Ps#;`W  
Ol24A^  
7.4 脱片输出驱动级的设计 iB5Se  
UpS`KgF"v  
7.5 三态输出和双向缓冲器 K_B-KK(^  
j{9sn,<:  
MOS存储器 u#Qd `@p  
8.1 DRAM `:A`%Fg8<  
``}EbOMG  
8.2 SRAM 6nRD:CH)X  
pVt8z|p_;{  
8.3 ROM和PLD \5Jpr'mY5  
gX34'<Z  
MOS IC的版图设计 Jx@3zl  
9.1 VLSI的设计方法 yla&/K;|*  
j']m*aM1>  
9.2 门阵列和标准单元设计方法 Cv|ya$}a  
gYx|Na,+  
9.3 版图设计 #|34(ML  
hX]vZR&R  
SOICMOS简介 5 d S5,  
10.1 SOI CMOS工艺 a jW[}/)  
^'~+w3M@  
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 Uax- z  
hd.^ZD7  
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 m6)8L?B   
I m1e/F]  
BiCMOS电路 &CFHH"OsT  
11.1 MOS和双极型器件性能比较 w9h\J#f  
#n 7uw  
11.2   BiCMOS工艺和器件结构 X6/k `J  
^Pf FW  
11.3   BiCMOS逻辑门的设计 PWOV~ `^;  
AS[cz! >  
11.4   BiCMOS和CMOS电路性能的比较 H~1*`m  
T&I*8 R~  
11.5   BiCMOS电路实例 NWSBqL5v   
_H|x6X1-  
MOS 逻辑集成电路(续) 'Uew(o  
nMOS逻辑集成电路 Slcf=  
6-1 电阻负载MOS倒相器 `9Zoq=/  
Uwr inkoeE  
6-2 E/E MOS 倒相器 8'_>A5L/C  
9 W> <m[O  
6-3 自举负载MOS 倒相器 900#K   
s={AdQ  
6-4 E/D MOS 倒相器  ={-\)j  
&i4*tE3],  
6-5 静态MOS电路 7OYNH0EH  
*<#jr  
CMOS集成电路 h}i /u  
7-1 CMOS 倒相器 ge9j:S{  
h.ojj$f ,  
7-2 CMOS传输门 RxY ;'NY  
*+re2O)Eh'  
7-3 静态CMOS 电路 q [Rqy !,  
PuqT&|wP l  
7-4 CMOS 门电路的设计 }(z[ rZ  
fGHYs  
7-5 CMOS电路中的锁定效应 j<>E Fd  
A&rk5y;  
动态和准静态MOS电路 os|8/[gT  
8-1 栅电容的电荷存储效应 \:-#,( .V  
P7O$*  
8-2 动态MOS倒相器 %eB0 )'  
X:bv ?o>Y  
8-3 动态MOS电路 %bgjJ`  
2W:R{dHE  
8-4 准静态MOS触发器 0B#9CxU%  
2jV.\C k  
8-5 动态和准静态CMOS电路 5A oKlJrY  
AM  cHR=/  
MOS集成电路的版图设计 hJ$o+sl  
9-1 MOS集成电路的工艺设计 M3ihtY  
. >[d:0  
9-2 MOS集成电路版图设计 |VxEW U/  
NC'+-P'y  
9-3 MOS集成电路版图设计举例 =NLsT.aa  
5S`_q&  
MOS大规模集成电路 oU`8\ n](  
10-1 LSI电路中的CAD技术 07 [%RG  
d5h]yIz^  
10-2 HMOS技术 ,(&jG^IpVJ  
XCr\Y`,Z@  
10-3 MOS存储器 4Gz5Ju  
VQ wr8jXye  
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 eD5:0;X2  
#yz5CWu  
10-5 半定制逻辑电路 ZI.;7G@|  
ETU.v*HT]  
模拟集成电路 W*?mc2;/  
模拟集成电路中的特殊元件 JHQc)@E}  
11-1 横向pnp管 l{q$[/J~)  
N6K%Wkz  
11-2 纵向pnp管 "9F] Wv/  
VG FWF3s  
11-3 超增益晶体管 j7r!N^  
`"~s<+  
11-4 隐埋齐纳二极管 x~1.;dBF  
kg@D?VqJP  
11-5 集成电路中的电容器 < 3?T^/8  
"mT95x\NA\  
11-6 薄膜电阻器 ;/tZsE{  
W5'07N^  
模拟集成电路中的基本单元电路 6 0C;J!D  
12-1 差分放大器 \1` L-lz  
}m '= _ u  
12-2 恒流源电路和有源负载 9iMQq40  
/48W]a}JS  
12-3 基准源电路 CR*9-Y93  
$lJu2omi1  
12-4 模拟开关 "v.]s;g  
@3D8TPH  
集成运算放大器 XD1 x*#  
13-1 运算放大器的基本概念 ,p(4OZz5,  
` b(y 5Z  
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 q;I`&JK  
iEDZ\\,  
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 d<*4)MRN  
7V/yU5  
13-4 µA741通用型运算放大器 #xWC(*Ggp  
to0tH^pD  
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 ` eB-C//  
4fDo }~  
模拟集成电 Kd_WN;l  
14-1 集成电压 wu*WA;FnA  
9"yBO`  
14-2 D/A转换器 /Vpd*obMB  
E(G=~>P  
14-3 A/D转换器 `I$qMw,@  
(xU+Y1*g"%  
14-4 MOS模拟集成电路 my#qmI  
CK e  
模拟集成电路的版图设计 ?KxI|os  
15-1 模拟集成电路版图设计特点 CvpqQ7&k7  
<_*8a(j3  
15-2 模拟集成电路中的相容技术 @LY 5]og  
UT [9ERS  
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 CiP-Zh[gZ  
<!,q:[ee5  
2004.7.7
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沙发  发表于: 2010-01-01   
真不如有真题呀,
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