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主题 : 华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计
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楼主  发表于: 2008-01-23   

华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计

华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 @T~~aQFk  
z=K hbh  
第一篇MOS 逻辑集成电路 Fd>epvR  
^zR*s |1Q  
MOS晶体管工作原理 ? 9;r|G  
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 DQ= /Jr~  
Cm#[$T@C  
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 LRv[,]b  
)"f*Mp  
1.3 MOS晶体管的电流方程 Vnnl~|Xx  
"%K[kA6  
1.4 MOS瞬态特性 @tPptB  
EGK7)O'W  
MOS器件按比例缩小 | gP%8nh'C  
2.1 按比例缩小理论 td(4Fw||1y  
#>O>=#Q  
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 CG[04y  
qruv^#_l   
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 ++Fk8R/$U[  
;BYv&(#u1q  
2.4 VLSI发展的实际限制 )jed@?  
~a` vk@8  
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 oE'Flc.  
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 \* SEj&9  
lW3wmSWn%  
3.2 CMOS IC 工艺流程 0M|Jvw'n|  
R6-Z]H u  
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 D 4\ * ,w  
9 hdz<eFL  
CMOS反相器和CMOS传输门 |!"qz$8fB  
4.1 CMOS反相器的直流特性 W,ik  ;P\  
|ZJ<N\\h-  
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 AIw<5lW  
w}r~Wk^dLI  
4.3 CMOS 反相器的功能 6$LQO),,  
)_\q)t"=  
4.4 CMOS反相器设计 zb& 3{,  
^>m"j6`h,  
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 )jHH-=JM  
gMUCVKGf  
4.6 CMOS传输门 ayh= @7*  
t$-!1jq  
CMOS静态逻辑电路设计 B8.uzX'p  
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 \TnRn(Kw  
RG y+W-  
5.2 CMOS与非门的分析 }-H)jN^  
XWv;l)  
5.3 CMOS或非门的分析 Q$8&V}jVW  
DZqY=Sze  
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 <Xl/U^B  
,f^ ICM  
5.5 组合逻辑电路的设计 R/Z zmb{  
MkX=34oc^  
5.6 类NMOS电路 hD9b2KZv  
-T{G8@V0I  
5.7 传输们逻辑电路 jH?!\F2)+  
z#^;'n nw  
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 oMHTB!A=2  
S pk8u4  
动态和时序逻辑电路设计 |&U{ z?  
6.1 动态逻辑电路的特点 }No8to  
tr|)+~x3  
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 Mh~E ]8b  
p} {H%L  
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 @7K(_Wd  
W_lXY Z<  
6.4 时钟CMOS(C2MOS) *" + u^  
'9!J' [W  
6.5 无竞争(NORA)动态CMOS电路 iF Zqoz  
8kT`5 `}lB  
6.6 CMOS触发器 i!)\m0Wm  
8QMib3p  
6.7 时序逻辑电路 &%m%b5  
Rqr>B(|  
输入、输出缓冲器 \rd%$hci  
7.1 输入缓冲器 j4I ~  
")<5 VtV  
7.2 输入保护电路 I-#7Oq:Np  
aYn5AP'PH  
7.3 输出缓冲器 4:5M,p  
iBI->xU[U  
7.4 脱片输出驱动级的设计 -V-I&sO<  
&gKDw! al  
7.5 三态输出和双向缓冲器 \&b 9  
/l_u $"  
MOS存储器 m'Q G{f  
8.1 DRAM ln+.=U6Tm  
c g)> A  
8.2 SRAM lX.-qCV"B  
at4JLbk  
8.3 ROM和PLD -+Ot' ^  
E- [Eg  
MOS IC的版图设计 YC')vv3o(  
9.1 VLSI的设计方法 Y[]I!Bc  
`hdff0  
9.2 门阵列和标准单元设计方法 Arm'0)B>  
]E$NJq|  
9.3 版图设计 i1XRB C9  
-fXQ62:S  
SOICMOS简介 ~ \<$H'  
10.1 SOI CMOS工艺 "w%:5~u 9  
|9=A"092{  
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 qB (Pqv  
^8_yJ=~V  
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 8toOdh  
C#nT@;VO5  
BiCMOS电路 ,}&TZkN{-  
11.1 MOS和双极型器件性能比较 `-.2Z 0  
uxB)dS  
11.2   BiCMOS工艺和器件结构 IHdA2d?.]  
((+XzV>  
11.3   BiCMOS逻辑门的设计 "WuUMt  
'fl< ac,.  
11.4   BiCMOS和CMOS电路性能的比较  ?bVIH?  
e}1Q+h\  
11.5   BiCMOS电路实例 D\&S {  
6"* <0  
MOS 逻辑集成电路(续) #i@f%Bq-  
nMOS逻辑集成电路 =DJ:LmK  
6-1 电阻负载MOS倒相器 G9^`cTvv'8  
&{.IUg  
6-2 E/E MOS 倒相器 DOJydYds  
&Y?t  
6-3 自举负载MOS 倒相器 p"p~Bx  
d-B+s%>D  
6-4 E/D MOS 倒相器 UgGa]b[9A  
Cjr]l!  
6-5 静态MOS电路 GNMOHqg4  
NplyvjQN;  
CMOS集成电路 B1)Eo2i#  
7-1 CMOS 倒相器 1v]%FC`  
hJ{u!:4  
7-2 CMOS传输门 uKP4ur@1  
'_G\_h}5  
7-3 静态CMOS 电路 tJ6@Ot  
_J!^iJ  
7-4 CMOS 门电路的设计 X>[i<ei  
-{cmi ,oy  
7-5 CMOS电路中的锁定效应 tRdf:F\X  
;bB#P g  
动态和准静态MOS电路 Y.Zd_,qy  
8-1 栅电容的电荷存储效应 L5FOlzn  
rQimQ|+  
8-2 动态MOS倒相器 cuQ!"iH  
WY!\^| ,  
8-3 动态MOS电路 }#ZRi}f2VJ  
@-)?uYw:r  
8-4 准静态MOS触发器 [LnPV2@e  
"@nH;Xlq  
8-5 动态和准静态CMOS电路 Czjb.c:a.Y  
@JbxGi  
MOS集成电路的版图设计 srv4kodj  
9-1 MOS集成电路的工艺设计 `yv?PlKL  
cz9J&Le>  
9-2 MOS集成电路版图设计 "] V\Y!  
64?HqO 6(  
9-3 MOS集成电路版图设计举例 [K3 te  
z{W C w  
MOS大规模集成电路 :|W=2( >  
10-1 LSI电路中的CAD技术 O6G\0 o  
T>B'T3or  
10-2 HMOS技术 TTVmm{6  
V~dhTdQ5}  
10-3 MOS存储器 7%  D4  
PB@IPnB-  
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 JUr t %2  
?62Im^1/  
10-5 半定制逻辑电路 `D77CC]vU  
B%8@yS  
模拟集成电路 @[g7\d  
模拟集成电路中的特殊元件 &4:R(]|  
11-1 横向pnp管 }b\hRy~=r  
^m#tWb)f  
11-2 纵向pnp管 |]9@JdmV  
5sT3|yq  
11-3 超增益晶体管 "Pwa}{  
!h.hJt  
11-4 隐埋齐纳二极管 xh2r?K@k>  
^sf,mM~D  
11-5 集成电路中的电容器 &3t973=  
qx ki  
11-6 薄膜电阻器 w1tM !4r  
Y!L-5|G  
模拟集成电路中的基本单元电路 /0/ouA>+  
12-1 差分放大器 =Ydrct  
_Q1p_sdg  
12-2 恒流源电路和有源负载 c-k3<|H`  
xqX3uq  
12-3 基准源电路 T_S3_-|{==  
"s0,9; }  
12-4 模拟开关 !`e`4y*N  
K;6#v%  
集成运算放大器 Z+v,o1  
13-1 运算放大器的基本概念 N~, Ipf  
ui>jJ(  
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 1O`V_d)  
5[4wN( )  
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 AJ}FHym_ZQ  
`-{l$Hn9|~  
13-4 µA741通用型运算放大器 {g.YGO  
TX=894{nGh  
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 mS'Ad <  
NfClR HpVc  
模拟集成电 i6WPf:#wr  
14-1 集成电压 8r(a wp  
u:APGR^  
14-2 D/A转换器 7dY_b  
z0rYzn?MR  
14-3 A/D转换器 > '=QBW  
r2SZC`Z}-M  
14-4 MOS模拟集成电路 }B'-*)^|e{  
Led\S;pl  
模拟集成电路的版图设计 Bug.>ln1  
15-1 模拟集成电路版图设计特点 e#/&A5#Ya  
EK4%4<"  
15-2 模拟集成电路中的相容技术 HVus\s\&y%  
/C8}5)  
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 F 2 B(PGa7  
~+1mH  
2004.7.7
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沙发  发表于: 2010-01-01   
真不如有真题呀,
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