华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 xora fL
FJDE4
8Vi
第一篇MOS 逻辑集成电路 <|3%}?
1$8@CT^m
MOS晶体管工作原理 d\ 8v
VZ
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 w`;HwK$ ,
A*eVz]i,k&
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 #]x3(}3W
X%+l gm+
1.3 MOS晶体管的电流方程 ~W [I
8[KKi ~A
1.4 MOS瞬态特性 p_h/hTi
v ! 8=B21
MOS器件按比例缩小 +?Ii=* 7n
2.1 按比例缩小理论 1!KROes4
HJ]xZ83pC
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 <@<bX
CtXbAcN2B
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 dgjK\pH`h
l[Z o,4*
2.4 VLSI发展的实际限制 Y>8Qj+d
8i154#l+\
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 b)< W C$"
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 1o`1W4
Q
lN#j%0MaUo
3.2 CMOS IC 工艺流程 /)6T>/
:$$~$P
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 :QGkYJ
dS ojq6M
CMOS反相器和CMOS传输门 \ZZ6r^99
4.1 CMOS反相器的直流特性 AH#mL
Jy)=TJ!y
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 Z 2N6r6
XM`GK>*aC(
4.3 CMOS 反相器的功能 gz~oQ
l)zJ
QN#"c
4.4 CMOS反相器设计 <= o<lRU
V: D;? $Jl
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 QPVi& *8_
e,JBz~CK*w
4.6 CMOS传输门 H?=W]<!W{y
2Mt$Dah
CMOS静态逻辑电路设计 9^XZ|`
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 I?'*vAW<
p(n0(}eVC'
5.2 CMOS与非门的分析 /x??J4r0
FOQ-KP\ =,
5.3 CMOS或非门的分析 AkQ(V
uppa`addK
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 ni/s/^
v 6
U !(x
5.5 组合逻辑电路的设计 6Cy Byj&
k
* C69
5.6 类NMOS电路 %unn{92)
sWlxt q g
5.7 传输们逻辑电路 RnkV)ed(
bo=H-d|
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 g$uiwqNA%
jWUrw
动态和时序逻辑电路设计 5 ;XC!Gz
6.1 动态逻辑电路的特点 BbX$R`f
8XH;<z<oJ
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 &}u _e`A
-U2Su|:\N8
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 0aY|:
<sC(a7i1
6.4 时钟CMOS(C2MOS) K>'4^W5d,
(Iv@SiZf(
6.5 无竞争（NORA）动态CMOS电路 &- p(3$jn7
|KJGM1]G
6.6 CMOS触发器 ;rf {T[i
t XzuP_0
6.7 时序逻辑电路 eYv^cbO@:
CZzt= 9
输入、输出缓冲器 mCnl@
7.1 输入缓冲器 ]4O!q}@Cd
_oZ3n2v}@
7.2 输入保护电路 s1OSuSL>
HHx5 VI
7.3 输出缓冲器 !v3d:n\W8
\/dOv [
7.4 脱片输出驱动级的设计 c*ow P
Ks3YrKk;p
7.5 三态输出和双向缓冲器 Oh}52=
p+Yy"wH:h{
MOS存储器 ~p+
`pwjY1
8.1 DRAM . &u
@-Vm
`_D A!
8.2 SRAM nVpDjUpN
M\ wCZG
8.3 ROM和PLD J iqhCt\
DFwiBB6
MOS IC的版图设计 C^?/9\
9.1 VLSI的设计方法 l(MjLXw5
MHE/# G
9.2 门阵列和标准单元设计方法 ?5G; =#
I
p>U= Jg
9.3 版图设计 "SuG6!k3
6Po {tKU
SOICMOS简介 KfK5e{yT
10.1 SOI CMOS工艺 55b/giX
s4Jy96<
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 0#5&*
{Z s
EYUP
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 A{3nz DLI
&i805,lx
BiCMOS电路 nBd(p Oe
11.1 MOS和双极型器件性能比较 )e X{a/Be
uxX 3wY;M
11.2 BiCMOS工艺和器件结构 HKC&grp
xyV7MW\?w
11.3 BiCMOS逻辑门的设计 Q*f0YjH!
V2yX; u
11.4 BiCMOS和CMOS电路性能的比较 T7Y+ WfYh
fn5!Nr ,
11.5 BiCMOS电路实例 i:
&$I=
:VR% I;g ;
MOS 逻辑集成电路（续） Qdy/KL1 ]
nMOS逻辑集成电路 &j"_hFhv
6-1 电阻负载MOS倒相器 *mw *z|-^V
2/))Y\~
6-2 E/E MOS 倒相器 hBD
mC_\~
R2Q 1Rk#
6-3 自举负载MOS 倒相器 Tkj
F /zv
(V}?y:)
6-4 E/D MOS 倒相器 b .
:2x4
4`sW_
ks
6-5 静态MOS电路 5p7i9"tgn
e[QEOx/-h2
CMOS集成电路 DnCIfd a2g
7-1 CMOS 倒相器 .;
dI&0Z
1_mqP Mm
7-2 CMOS传输门 Q+IB&LdE
QwnqysNx4
7-3 静态CMOS 电路 #Fh:z4
BWkT
Qd<t
7-4 CMOS 门电路的设计 ^_=b ssaOd
Rf!$n7& \
7-5 CMOS电路中的锁定效应 -c[fg+L9
HC$}KoZkC
动态和准静态MOS电路 c O dgBi
8-1 栅电容的电荷存储效应 - S%Uw
Hr(%y&0
8-2 动态MOS倒相器 q3u:Tpn4%
7!
/+[G
8-3 动态MOS电路 i&L!?6 5-f
^5R2~
8-4 准静态MOS触发器 fHgvh&FU
=BO>Bi&&
8-5 动态和准静态CMOS电路 =<r1sqf
dTQW /kAHQ
MOS集成电路的版图设计 N@I=X-7nh|
9-1 MOS集成电路的工艺设计 +6(\7?
qy/t<2'
9-2 MOS集成电路版图设计 =A_fL{ SM
"6i3'jc`
9-3 MOS集成电路版图设计举例 |}o3EX
3yLJWHO%W
MOS大规模集成电路
kK.[v'[>&
10-1 LSI电路中的CAD技术 xk s M e
|Zdl[|kX
10-2 HMOS技术 `ix&j8E22w
a" L9jrVrw
10-3 MOS存储器 9`7>" [=P
V}Ce3wgvA
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 eaDG7+iS
pz]! T'
10-5 半定制逻辑电路 6 >z,7 [
\%&eDE 0
模拟集成电路 XmN8S_M>v
模拟集成电路中的特殊元件 zxeT{AFPr?
11-1 横向pnp管 ^p3 W}D
sEi9<$~R@0
11-2 纵向pnp管 x7/";L>
WJN) <+d
11-3 超增益晶体管 d-T pY*v
P=Su)c
11-4 隐埋齐纳二极管 5 t-, 5
mp
z3o\n
11-5 集成电路中的电容器 %a!gN
Gr#WD=I-}
11-6 薄膜电阻器 L[!
||5y
q} W} )
模拟集成电路中的基本单元电路 I {=Yuc
12-1 差分放大器 .h(iyCxP
*D.Ajd.G
12-2 恒流源电路和有源负载 9dWz3b1[
]
'c# }^@G
12-3 基准源电路 :aH5=@[!y
tHK>w%|\R
12-4 模拟开关 hw(\3h( )
=}.gU WV
集成运算放大器 u08QE,
13-1 运算放大器的基本概念 $tej~xZK
"lSh 4X
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 na"!"C
s3
Qxk & J
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 ~H1< 8py\J
@w`wJ*I4,
13-4 µA741通用型运算放大器 E X#AJ>?V(
IdK<:)Q
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 #'0Yzh]qc
72 |O&`O
模拟集成电 {A y dt8
14-1 集成电压 i1!1'T8
/(.:l +[w[
14-2 D/A转换器 } `5k^J$x
|0Xf":
14-3 A/D转换器 1GqSY|FSGp
cqSXX++CS,
14-4 MOS模拟集成电路 v?Utz~lQ
aU^6FI
模拟集成电路的版图设计 q=Vh"]0g
15-1 模拟集成电路版图设计特点 CS~_> bn
p 4*L}Q
15-2 模拟集成电路中的相容技术 w jD<"p;P
oQO
br
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 R TpNxr{[
}ML2-k
2004.7.7
