华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 ^Oo%`(D?
MD +Q_
第一篇MOS 逻辑集成电路 k3&Wv
0VPa=AW
MOS晶体管工作原理 dI`b AP; \
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 !^y'G0
N*eZ4s'
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 KyjN' F$
oYW:p tJ
1.3 MOS晶体管的电流方程 )gZ yW
&T{+B:*v
1.4 MOS瞬态特性 ~x2azY2DP
-Wf 2m6t
MOS器件按比例缩小 Zf ;U=]R
2.1 按比例缩小理论 PA Jt M
0y*8;7-|r)
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 " 5=Gu1
y\
S}U{*Z'
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 +d<o2n4!
s~3"*
,3@
2.4 VLSI发展的实际限制 (m13
ong
A2..gs/
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 T< D&%)
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 U 1
vZ r{\
Lc=t,=OhGe
3.2 CMOS IC 工艺流程 w=,bF$:fIW
1GE[*$vuq
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 ",Mr+;;:[
z t6GJ z1q
CMOS反相器和CMOS传输门 Dr)B0] KG
4.1 CMOS反相器的直流特性 OQ&l/|{O0?
PKJ w%.-
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 }"Clv /3_
1aDx 6Mq
4.3 CMOS 反相器的功能 Q
hy!:\&1
:<hM@>eFn
4.4 CMOS反相器设计 {\ hjKP
{u~JR(C:
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 9(6f:D
a5cary Z"z
4.6 CMOS传输门 |h%= a8
Ym% XCl
CMOS静态逻辑电路设计 @ Z.BYC
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 T5|e \<l
w$iQ,--
5.2 CMOS与非门的分析 ^p)#; $6b
7cB/G: {
5.3 CMOS或非门的分析 F%P"T%|
0nbY~j$A=
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 H-\Ym}BGu
Q p7h|<
5.5 组合逻辑电路的设计 ?8N^jjG
,.Lwtp,n
5.6 类NMOS电路 1*" 7q9 x
JR8|!Of@B
5.7 传输们逻辑电路 C#-HWoSi
OClG dFJ|
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 O uNPD q%
`WIZY33V
动态和时序逻辑电路设计 }`kiULC'=
6.1 动态逻辑电路的特点 {n|ah{_p|
?7}ybw3t]
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 >$7x]f
9u^M{ 6
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 EB|
iW2'
/5)*epF+
6.4 时钟CMOS(C2MOS) |QS3
nX<
l]4=W<N
6.5 无竞争（NORA）动态CMOS电路 WG A1XQ{
2TU V9Z
6.6 CMOS触发器 ^R =`<jx
8T1zL.u>q
6.7 时序逻辑电路 y_ X
jY
V:w%5'^3
输入、输出缓冲器
y{/7z}d
7.1 输入缓冲器 M^[;{p2uZ
ffG <hclk
7.2 输入保护电路 o`QNZN7/}
h~7#$i
7.3 输出缓冲器 "h#R>3I1)
A+="0{P
7.4 脱片输出驱动级的设计 9Q=VRH:
kh9'W<tE
7.5 三态输出和双向缓冲器 &EqL F
])wdd> '
MOS存储器 i+h*<){X
8.1 DRAM Hl`OT5 pNf
UB. 1xcI
8.2 SRAM 5X20/+aT
3Rc*v VnI
8.3 ROM和PLD (iX8YP$ %
!\X9$4po@
MOS IC的版图设计 *Jgi=,!m
9.1 VLSI的设计方法 x " {aO6M
B+K6(^j,,y
9.2 门阵列和标准单元设计方法 xj3 qOx$
xvV"; o
9.3 版图设计 2) n`Bd
j(=w4Sd_W
SOICMOS简介 :~otzI4%!
10.1 SOI CMOS工艺 OP`f[lCiL
,X.[37
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 2aj1IBnz6/
e$J>z {
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 ~[HzGm%
^ O h
BiCMOS电路 *%Rmdyn
11.1 MOS和双极型器件性能比较 X`.##S KC
=rA?,74
11.2 BiCMOS工艺和器件结构 nGH6D2!F
&DLWlMGq
11.3 BiCMOS逻辑门的设计 h p]J> i.
aV\i3\da
11.4 BiCMOS和CMOS电路性能的比较 UzxL" `^7
/65YHXg,
11.5 BiCMOS电路实例 wZ(1\
M(
ek][^^4o
MOS 逻辑集成电路（续） 0P$1=oK
nMOS逻辑集成电路 'Aq^ z%|
6-1 电阻负载MOS倒相器 5#GMp
`
,\b_SFg
6-2 E/E MOS 倒相器 fx;rMGa
t7f(%/] H0
6-3 自举负载MOS 倒相器 (VeK7cU
}9^:(ty2A
6-4 E/D MOS 倒相器 tu\XuDk y
LCivZ0?|X
6-5 静态MOS电路 \n{# r`T
`NIb?
/!f
CMOS集成电路 t\M6 d6
7-1 CMOS 倒相器 A (2 0+
@Tu`0 =8
7-2 CMOS传输门 ?(9*@
hIV
9 .{J
7-3 静态CMOS 电路 rS [4Pey
f) Qln[/
7-4 CMOS 门电路的设计 "yu{b]AU
W>jKWi,{
7-5 CMOS电路中的锁定效应 `y> m
>j
9K$
x2U
动态和准静态MOS电路 C?H~L
8-1 栅电容的电荷存储效应 <Y` (J#
e| t x`yA
8-2 动态MOS倒相器 1)~ |{X+~
x// uF
8-3 动态MOS电路 ^&;,n.X5Z
T6
/P54S
8-4 准静态MOS触发器 lat5n&RP Y
#ft9ms#N
8-5 动态和准静态CMOS电路 q7CLxv
&QG
;pm/nu
MOS集成电路的版图设计 `+Nv =vk
9-1 MOS集成电路的工艺设计 "nz\Y Qdg
& <><4MQ
9-2 MOS集成电路版图设计
_n:RA)4*
OG{*:1EP
9-3 MOS集成电路版图设计举例 p-j6H
-3ePCAtXbe
MOS大规模集成电路 >$ZhhM/} J
10-1 LSI电路中的CAD技术 +s<6eHpm
reR @@O
10-2 HMOS技术 6D| F1UFU
2|"D\N
10-3 MOS存储器 azFJ-0n@"
e ;v"d!H/
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 Ab[o~X"
fTpG>*{ p
10-5 半定制逻辑电路 vVMoCG"f
3rK\
f4'
模拟集成电路 E q4tc Z
模拟集成电路中的特殊元件 JFI*Pt;X9
11-1 横向pnp管 1>[#./@
J<L\IP?%
11-2 纵向pnp管 P84YriLo
'Ev[G6vo
11-3 超增益晶体管 R1 SFMI
4"|3 pMr
11-4 隐埋齐纳二极管 wdt2T8`I/
Jqzw94
11-5 集成电路中的电容器 Syseiw
_N:$|O#
11-6 薄膜电阻器 v5@4 |u3ds
8+T v@
模拟集成电路中的基本单元电路 XzIC~}
12-1 差分放大器 `oe=K{aX
W\-`}{B_/
12-2 恒流源电路和有源负载 2!LDrvPP
UUDbOxD^w
12-3 基准源电路 /pkN=OBR
j =U"t\{
12-4 模拟开关 q.R(>ZcV
'4 d4i
集成运算放大器 S0 OL;[*.
13-1 运算放大器的基本概念 &x B ^
Kg~D~
+j
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 8&HBR #
e wT
K2
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 @f"[*7Q`/
1p5'.~J+Q
13-4 µA741通用型运算放大器 fe<7D\Sp@
4$, W\d
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 F5+F O^3E
wO.d;SK
模拟集成电 HCrQ+r{g
14-1 集成电压 q2F `q. j
IO&U=-pn
&
14-2 D/A转换器 D=vw0Q_3Y3
pam9wfP
14-3 A/D转换器 ts(u7CJd
_ 1Rw~}O
14-4 MOS模拟集成电路 t
zd#9
#
:sK4mR F
模拟集成电路的版图设计 W tw,YFT
15-1 模拟集成电路版图设计特点 >`&2]Wc)
ChUE,)
15-2 模拟集成电路中的相容技术 &QD)1b[U
y@$E5sz
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 Dz$w6 d
,<K+.7,)E
2004.7.7
