华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 .>PwbZ
B>z^W+Unyn
第一篇MOS 逻辑集成电路 @T.F/Pjhc
KBI1t$
MOS晶体管工作原理 -XkjO$=!=
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 IBNb!mPu%
9c1q:>|
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 qEdY]t
NA/Sv"7om
1.3 MOS晶体管的电流方程 KpS=oFX{}
R_Bf JD.
1.4 MOS瞬态特性 Aqg$q* Y
a<+Rw{
MOS器件按比例缩小 w
Jvk
2.1 按比例缩小理论 F%{z EANm
[ei5QSL |
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 Y!|};
}:0HM8B7!
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 lb"T'}q
Q-U,1b
2.4 VLSI发展的实际限制 DAEWa
Kui
7bJM
$
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 kaDn=
={YM
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 f9n4/(Cy
d{C8}U
3.2 CMOS IC 工艺流程 dQ<e}wtg
Ja@?.gW
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 tfe'].uT
x_H"<-By
CMOS反相器和CMOS传输门 vha@YP
C=
4.1 CMOS反相器的直流特性 52.hJNq#L
mj y+_
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 /J,&G:
E
r
qEjsAL
4.3 CMOS 反相器的功能 %';DBozZ
,z0E2
4.4 CMOS反相器设计 } x'o`GuUf
=E8Kacu%
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 HL!" U(_
uRw%`J4H
4.6 CMOS传输门 7|?Ht]
<^8OYnp
CMOS静态逻辑电路设计 .MRLAG
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 "S&1J8D|
KhbbGdmfS$
5.2 CMOS与非门的分析 ;WL0
f<3r;F7
5.3 CMOS或非门的分析 Wy$Q!R=i
HSk}09GV
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 :.\h.H;
wijY]$
5.5 组合逻辑电路的设计 .s@[-!
p
K+c>C
j}H
5.6 类NMOS电路 ~bJ*LM?wOP
*yA.D?
5.7 传输们逻辑电路 cNqw(\rr
Q|cA8Fn
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 '
9
-3:x(^|:K
动态和时序逻辑电路设计 w2`j&]D6
6.1 动态逻辑电路的特点 n
6|
\
n?A;'\cK
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 R0mWVg
oz
uM~j
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 D$c4's`5
h9J
6.4 时钟CMOS(C2MOS) uw@|Y{(K r
tMy@'nj
6.5 无竞争(NORA)动态CMOS电路 7gQ~"Q
v<Ux+-
6.6 CMOS触发器 %G s!oD
>j$CM:w
6.7 时序逻辑电路 C
R$5'#11)
!P0Oq)q
输入、输出缓冲器 1cdM^k
7.1 输入缓冲器 `p
%&c%*A
zKk2
>.
7.2 输入保护电路 vQ}llA
h
oa|nQ`[
7.3 输出缓冲器 cv["Ps#;`W
Ol24A^
7.4 脱片输出驱动级的设计 iB 5 Se
UpS`KgF"v
7.5 三态输出和双向缓冲器 K_B-KK(^
j{9sn,<:
MOS存储器 u#Qd`@p
8.1 DRAM `:A`%Fg8<
``}EbOMG
8.2 SRAM 6nRD:CH)X
pVt8z|p_;{
8.3 ROM和PLD \5Jpr'mY5
gX34'<Z
MOS IC的版图设计 Jx@3zl
9.1 VLSI的设计方法 yla&/K;|*
j']m*aM1>
9.2 门阵列和标准单元设计方法 Cv|ya$}a
gYx|Na,+
9.3 版图设计 #|34(ML
hX]vZR&R
SOICMOS简介 5dS5,
10.1 SOI CMOS工艺 a
jW[}/)
^'~+ w3M@
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 Uax- z
hd.^ZD7
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 m6)8L?B
I
m1e/F]
BiCMOS电路 &CFHH"OsT
11.1 MOS和双极型器件性能比较 w9h\J#f
#n7uw
11.2 BiCMOS工艺和器件结构 X 6/k `J
^PfFW
11.3 BiCMOS逻辑门的设计 PWOV~`^;
AS[cz!
>
11.4 BiCMOS和CMOS电路性能的比较 H~1*`m
T&I*8 R~
11.5 BiCMOS电路实例 NWSBqL5v
_H|x6X1-
MOS 逻辑集成电路(续) 'Uew(o
nMOS逻辑集成电路 Slcf=
6-1 电阻负载MOS倒相器 `9Zoq=/
UwrinkoeE
6-2 E/E MOS 倒相器 8'_>A5L/C
9 W><m[O
6-3 自举负载MOS 倒相器 900#K
s={AdQ
6-4 E/D MOS 倒相器
={-\)j
&i4*tE3],
6-5 静态MOS电路 7OYNH0EH
*<#jr
CMOS集成电路 h}i
/u
7-1 CMOS 倒相器 ge9j:S{
h.ojj$f
,
7-2 CMOS传输门 RxY
;'NY
*+re2O)Eh'
7-3 静态CMOS 电路 q
[Rqy !,
PuqT&|wP l
7-4 CMOS 门电路的设计 }(z[
rZ
fGHYs
7-5 CMOS电路中的锁定效应 j<>E
Fd
A&rk5y;
动态和准静态MOS电路 os|8/[gT
8-1 栅电容的电荷存储效应 \:-#,( .V
P7 O$*
8-2 动态MOS倒相器 %eB 0)'
X:bv
?o>Y
8-3 动态MOS电路 %bgjJ`
2W:R{dHE
8-4 准静态MOS触发器 0B#9CxU%
2jV.\C k
8-5 动态和准静态CMOS电路 5A
oKlJrY
AM cHR=/
MOS集成电路的版图设计 hJ$o+sl
9-1 MOS集成电路的工艺设计 M3ihtY
. > [d:0
9-2 MOS集成电路版图设计 |VxEWU/
NC'+-P'y
9-3 MOS集成电路版图设计举例 =NLsT.aa
5S`_q&
MOS大规模集成电路 oU`8\n](
10-1 LSI电路中的CAD技术 07 [%RG
d5h]yIz^
10-2 HMOS技术 ,(&jG^IpVJ
XCr\Y`,Z@
10-3 MOS存储器 4Gz5Ju
VQ wr8jXye
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 eD5:0;X2
#yz5CWu
10-5 半定制逻辑电路 ZI.;7G@|
ETU.v*HT]
模拟集成电路 W *?mc2;/
模拟集成电路中的特殊元件 JHQc)@E}
11-1 横向pnp管 l{q$[/J~)
N6K%Wkz
11-2 纵向pnp管 "9F]
Wv/
VGFWF3s
11-3 超增益晶体管 j7r! N^
`"~s<+
11-4 隐埋齐纳二极管 x~1.;dBF
kg@D?VqJP
11-5 集成电路中的电容器 <
3?T^/8
"mT95x\NA\
11-6 薄膜电阻器 ;/tZsE{
W5'07N^
模拟集成电路中的基本单元电路 6 0C;J!D
12-1 差分放大器 \1`L-lz
}m '= _
u
12-2 恒流源电路和有源负载 9iMQq40
/48W]a}JS
12-3 基准源电路 CR*9-Y93
$lJu2omi1
12-4 模拟开关 "v.]s;g
@3D8TPH
集成运算放大器 XD1x*#
13-1 运算放大器的基本概念 ,p(4OZz5,
`
b(y 5 Z
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 q;I`&JK
iEDZ\\,
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 d<*4)MRN
7 V/yU5
13-4 µA741通用型运算放大器 #xWC(*Ggp
to0tH^pD
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 `
eB-C//
4fDo
}~
模拟集成电 Kd_WN;l
14-1 集成电压 wu*WA;FnA
9"yBO`
14-2 D/A转换器 /Vpd*obMB
E(G=~>P
14-3 A/D转换器 `I$qMw,@
(xU+Y1*g"%
14-4 MOS模拟集成电路 my#qmI
CK
e
模拟集成电路的版图设计 ?KxI|os
15-1 模拟集成电路版图设计特点 CvpqQ7&k7
<_*8a(j3
15-2 模拟集成电路中的相容技术 @LY 5]og
UT[9ERS
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 CiP-Zh[gZ
<!,q:[ee5
2004.7.7