华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计 bF'rK'',
NxT"A) u
第一篇MOS 逻辑集成电路 \;LDE`Q_x
c'2d+*[
MOS晶体管工作原理 MmuT~d/
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 (i1JRn -
f
jlEz]@
i
1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 7s9h:/Lu
?pDr"XH~
1.3 MOS晶体管的电流方程 1>!LK_
8[^'PIz
1.4 MOS瞬态特性 NFK`,
O] _4pP
MOS器件按比例缩小 jmok]-pC
2.1 按比例缩小理论 ny={OhP-
4w4B\Na>
l
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 8`Ya7c>
hlTbC
l
2.3 不能按比例缩小的参数的影响 t^t% >9o
)G? qX. D
2.4 VLSI发展的实际限制 Bf_$BCyGW
I<SgKva;c
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 D28`?B9 (
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 V7ph^^sC}
FhE{khc#
3.2 CMOS IC 工艺流程 '6KvB
5{Cz!ut;tE
3.3 CMOS IC 中的寄生效应 O 4 !$
hbjA xioA
CMOS反相器和CMOS传输门 s6H'}[E<
4.1 CMOS反相器的直流特性 4
1_gak;
L9x-90'q,
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 K*6 "c.D
8~=*\
@^
4.3 CMOS 反相器的功能 "Fz.# U
>rnVT K
4.4 CMOS反相器设计 ?K T{H( rU
{]vD@ )k
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 AeJ ;g
Vej$|nF
4.6 CMOS传输门 O
*yxOb*
eH&F gmU
CMOS静态逻辑电路设计 5&Oc`5QD
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 ^E&PZA \,;
L i JYyp
5.2 CMOS与非门的分析 _vQ52H,
yTm
\O UD
5.3 CMOS或非门的分析 =KRM`_QShg
OG\i?N
5.4 CMOS与非门与或非门的设计 [m~J6WB
wjarQog5Y
5.5 组合逻辑电路的设计 dBWn y&
nD
wh
5.6 类NMOS电路 :uL<UD,vu3
ZR
. k'
5.7 传输们逻辑电路 16 NHzAQ
.?>Cav9:
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 MlO OB
G
5ATR<0m
动态和时序逻辑电路设计 AGhenDN V
6.1 动态逻辑电路的特点 /Vlc8G
@ !ChPl
6.2 预充—求值的动态CMOS电路 Xr*I`BJ
! pU$'1D
6.3 多米诺(Domino)CMOS电路 qpQ;,8X-"
l{ By]S
6.4 时钟CMOS(C2MOS) 2D\ pt
/ViY:-8s
6.5 无竞争（NORA）动态CMOS电路 72HA.!ry
1;B~n5C.
6.6 CMOS触发器 fRp]
*>fr'jj1$
6.7 时序逻辑电路 y6(PG:L
fQ+wh G B
输入、输出缓冲器 Om3Ayk}
7.1 输入缓冲器 }YwaN'3p!
g*k)ws
7.2 输入保护电路
(s8b?Ol/
X [Y0r
7.3 输出缓冲器 xoZ m,Pxd
IjI
'Hx
7.4 脱片输出驱动级的设计 ?v^NimcZ
Y RZ\nun
7.5 三态输出和双向缓冲器 }[0n Td
W>3S%2d
MOS存储器 ^PG"
8.1 DRAM Xv1vq
-cM
PD#,KqL:
8.2 SRAM pcMzLMG<
0X)vr~`
8.3 ROM和PLD ki1(b]rf
P&`%VW3E
MOS IC的版图设计 O|Uz)Y94
9.1 VLSI的设计方法 *_D/_Rp7
MA
.;=T
9.2 门阵列和标准单元设计方法 #GM^ :rF
WD5J2EePT
9.3 版图设计 MQ,K%_m8
}M4dze
SOICMOS简介 RELNWr
10.1 SOI CMOS工艺 Jr!^9i2j'
CR4O#f8\
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性 V?X QjH1X
wFM
H\a
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应 8}n< 3_
8eqTA 8$?
BiCMOS电路 .7Mf( 1 :
11.1 MOS和双极型器件性能比较 Q/o,2R
?%3dgQB'
11.2 BiCMOS工艺和器件结构 @i ~ A7L0/
ky2]% cw
11.3 BiCMOS逻辑门的设计 ^ZMb Je%L
FJn-cR.n
11.4 BiCMOS和CMOS电路性能的比较 =$ OGHc
/8; m.J>bf
11.5 BiCMOS电路实例 oAO{4xP
|d0ZB_ci
MOS 逻辑集成电路（续） ,I"T 9k-^
nMOS逻辑集成电路 |_?e.}K
6-1 电阻负载MOS倒相器 5 `1
q>_<\|?%x
6-2 E/E MOS 倒相器 `W86]ut[
\2@J^O1,
6-3 自举负载MOS 倒相器 `cp\UH@
G&S2U=KdV%
6-4 E/D MOS 倒相器 g8O6
b
aL1%BGlmZ<
6-5 静态MOS电路 VAiJL
&
tH?m;V
CMOS集成电路 5x+]uABE
7-1 CMOS 倒相器 qfsPX6]
"3^tVX%$\[
7-2 CMOS传输门 Sf S3}Tn[
l cl|o3yQ
7-3 静态CMOS 电路 wPg/.N9H
\Kf
\%Q
7-4 CMOS 门电路的设计 ^fsMf
B
d-b04Q7DQ
7-5 CMOS电路中的锁定效应 EHUx~Q
vH+g*A0S<
动态和准静态MOS电路 z>W:+W"o
8-1 栅电容的电荷存储效应 b,Wm]N
x3ZF6)@
8-2 动态MOS倒相器 <UGaIb
BpIyw
8-3 动态MOS电路 3y)\dln
dJR[9T_OF
8-4 准静态MOS触发器 ?I=
1
T.
) lUS' I
8-5 动态和准静态CMOS电路 _V$'nz#>e
mGE !,!s}
MOS集成电路的版图设计 t^'nh
1=
9-1 MOS集成电路的工艺设计 u=0O3-\h
z>PVv)X
9-2 MOS集成电路版图设计 @bg9
}Z%\h
FW-I|kK.
9-3 MOS集成电路版图设计举例 2Wzx1_D "a
gBq Dx|G
MOS大规模集成电路 `Na()r$T
10-1 LSI电路中的CAD技术 D_lRYLA+
S1$^ _S
=
10-2 HMOS技术 5Od%Jhtt
.{ v$;g
10-3 MOS存储器 Ql{#dcR
x
kgo#JY-4
10-4 微处理器中的算术逻辑单元 hi,="
/9
&m3 -][ !n
10-5 半定制逻辑电路 ]1++$E j
<)ZQRE@
模拟集成电路 ;7\Fx8"s[
模拟集成电路中的特殊元件 z)T-<zWO;
11-1 横向pnp管 PMP{|yEx"
*}vvS^ c0
11-2 纵向pnp管 1]If<
<
wm@j(h4
11-3 超增益晶体管 :la i0>
D
M@TG7M7Os
11-4 隐埋齐纳二极管 &6\&McmkX
yepRJ%mp
11-5 集成电路中的电容器 TFkG"e v
i$y=tJehi
11-6 薄膜电阻器 a[ hF2/*
k*A(7qQA`4
模拟集成电路中的基本单元电路 <pk*z9
12-1 差分放大器 g/C 7wc
_-f LD
12-2 恒流源电路和有源负载 }#1. $
a
D
G;u_6;JR
12-3 基准源电路 O
?T~>|
d_
=K (}eR
12-4 模拟开关 SL uQv?R}9
Qb@j8Xa4[
集成运算放大器 7ZI{A*^vB
13-1 运算放大器的基本概念 @zS/J,:v}
XF: wsC
13-2 运算放大器的频率特性和频率补偿 U>t:*SNC*
VQ!4(
<XD
13-3 大信号时运算放大器的瞬态特性 |!K&h( J|
Y<;C>Rs
13-4 µA741通用型运算放大器 2>"{El|PbN
IRM jL.q
13-5 提高集成运算放大器性能的途径 wSjy31
^I/(9KP#
模拟集成电 g{
DOQA
14-1 集成电压 5M\0t\uE n
Z2{ $FN
14-2 D/A转换器 /,7#%D
r;f
\^hVy
14-3 A/D转换器 crd|r."
6AD&%v
14-4 MOS模拟集成电路 L ,_U co
_BG `!3U +
模拟集成电路的版图设计 :x q^ T
15-1 模拟集成电路版图设计特点 ,S(_YS^m
7TAoWD3
15-2 模拟集成电路中的相容技术 'PMzm/;8st
RW>F %P
15-3 µA741运算放大器版图设计分析 |RpZr!3V
,_,7c or
2004.7.7
