华中科技大学2005年博士研究生入学考试——集成电路原理与设计
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第一篇MOS 逻辑集成电路 ]P0DPea
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MOS晶体管工作原理 yZ&By?.0
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理 f/)3b`$Wu
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1.2 MOS晶体管的阀值电压分析 )<.S3
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1.3 MOS晶体管的电流方程 !U`T;\
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1.4 MOS瞬态特性 z!Kadqns
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MOS器件按比例缩小 Cu;X
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2.1 按比例缩小理论 l%Sz6
N5/TV%u
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响 d;#9xD'
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2.3 不能按比例缩小的参数的影响 +G/~v`Bv
LR)is
2.4 VLSI发展的实际限制 1Y9Ye?~jd
U}A+jJ
CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应 Tao lX*$5
3.1 集成电路制作中几个基本工艺步骤 qE,%$0g
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3.2 CMOS IC 工艺流程 bkOm/8k|4
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3.3 CMOS IC 中的寄生效应 t*}<v@,
VGvOwd)E
CMOS反相器和CMOS传输门 a|s= d
4.1 CMOS反相器的直流特性 2PeI+!7s
O3BU.X1'%
4.2 CMOS 反相器的瞬态特性 @pS[_!EqYz
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4.3 CMOS 反相器的功能 W@S9}+wl*
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4.4 CMOS反相器设计 :<(<tz7dj
RI*%\~6t?
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较 7r;A
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O71rLk;
4.6 CMOS传输门 O0l;Qi
W2B=%`sC
CMOS静态逻辑电路设计 KWH
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点 1
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$G}Q}f
5.2 CMOS与非门的分析 lpM{@JC
$3Ia+O
5.3 CMOS或非门的分析 Bx)&MYY}[[
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5.4 CMOS与非门与或非门的设计 gA|j\T{c
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5.5 组合逻辑电路的设计 TK>}$.c%+
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5.6 类NMOS电路 t*#&y:RG
N-|Jj?c
5.7 传输们逻辑电路 yB1>83!q
a40BisrD~6
5.8 CMOS差分CMOS逻辑系列 dp70sA!JF
VLN3x.BY
动态和时序逻辑电路设计 ~dLZ[6Z
6.1 动态逻辑电路的特点 ]l'ki8
A'8K^,<