2003年博士入学考试专业基础试卷 Q6D>(H#"0
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1. 请解释下列名词 E- [Eg
(1) 声子(2)布里渊区(3)螺旋轴(4)晶体色心(5)结构因子 r}es_9*~Z
2. 试推导体心格子的消光规律 6aOyI;Ux
3. 画出含有两个化合物并包含共晶反应和包晶反应的二元相图,注明相应的共晶和包晶反应的成分点和温度 j1A%LS;c_
4. 简述相图在晶体生长中的应用 6<T:B[a-
5. 简述影响多晶X射线衍射强度的因素 heL`"Y2'y>
6. 试列出三种重要的功能材料并简述其性能 :9av]Yv&
7.某立方晶系化合物,晶胞参数a=4.00A,晶胞中顶点位置为Ti4+所占,体心位置为Sr2+所占,所有棱心位置为O2-所占。 ^2);*X>
(1)用分数坐标表示诸离子在晶胞中的位置(3分) 3E^qh03(
(2)写出此晶体的化学组成(分子式)(3分) AO>b\,0Me
(3)计算该晶体前三条衍射线的d值(5分) ZE-vroh
(4)指出Ti4+和Sr2+的配位数(4分) S3l^h4
(5)计算Ti-O和Sr-O键长(5分) AH :uG#
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2002年第二期博士入学考试专业基础试卷 ]WY V
FR[I~unqD
(每题20分,任选5题,也可全做) ^3BPOK[*gB
1. 请解释下列名词 l)*(UZ"
(1) 二级相变(2)布里渊区(3)滑移面(4)无公度结构(5)结构因子 9I]Bt=2
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2. 试推导一种底心格子的消光规律 "+T`{$Z=C
3. 请举例说明固溶体的类型及其测定方法 ,}&TZkN{-
4. 简述相图在晶体生长中的应用 nj:w1E/R
5. 请简述晶体中的主要缺陷 ||>4XDV#
6. 试列出三种重要的功能材料并简述其性能 NLY=o@<
7.某立方晶系化合物,晶胞参数a=4.00A,晶胞中顶点位置为Ti4+所占,体心位置为Sr2+所占,所有棱心位置为O2-所占。 '(FC
(1)用分数坐标表示诸离子在晶胞中的位置(3分) [#m
kTY
(2)写出此晶体的化学组成(分子式)(3分) @B(oq1i@
(3)计算该晶体前三条衍射线的d值(5分) 5{k,/Z[L
(4)指出Ti4+和Sr2+的配位数(4分) h{iuk3G`h6
(5)计算Ti-O和Sr-O键长(5分) 3 a.!9R>
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2001年第二期招收博士研究生入学考试试题 Jh 0Grq
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第一部分: WM?-
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(共6题,选做4题,每题15分,总计60分。这部分只能选做4题,如超出规定范围,阅卷时按前4题计分。) #jW -&a
1.写出七大晶系,并指出每一晶系包含哪几种布拉伐格子(Bravais Iattice). s
Wte
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2.怎样用能带论来理解导体、绝缘体、及半导体之间的区别? S
xJ&5q
3.简单推导布洛赫(Bloch)定理。 TT/H"Ri}Jp
4.对于一个二维正方格子,晶格常数为a, m..ajYSQ
? 在其倒空间画图标出第一、第二和第三布里渊区; !i~(h&z
? 画出第一布里渊区中各种不同能量处的等能面曲线; 'Og@<~/Xy
? 画出其态密度随能量变化的示意图。 fV|uKs(W
5.晶体中原子间共有多少种结合方式?简述它们各自的特点。 %r
G4X
6.推导低温及闲暇的热容量表达式(表示为温度、地摆温度、气体常数和必要的数学常数的函数)。 }+n|0xK
wpM2{NTP
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]|tg`*l!>
第二部分: (l^7EpNs
(共8题,选做5题,每题8分,总计40分。这部分只能选做5题,如超出规定范围,阅卷时按前五题计分。) )1 T2u
1. 简述晶体中主要缺陷类型(至少答三种)。 'G l~P><e
2. 在一维周期场近自由电子模型近似下,格点间距为a,请画出能带E(k)示意图,并说明能隙与哪些物理量有关。 >|A,rE^Ojt
3. 简述大块磁体为什么会分成许多畴,为什么磁畴的分割不会无限进行下去? ]6^<VC`5D
4. 简述固体中的两种常见的光吸收过程和各自对应的跃迁。 1v]%FC`
5. 写出相律的表达式及其各参数的意义。 hz4?ku
6. 简述朗道能级的由来。哪一些物理现象与此有关? [[IMf-]
7. 简述半导体的导电机理,分析其电导率的温度关系? oL@ -<;zKO
8. 简述超导体的两个主要特征。