2003年博士入学考试专业基础试卷 $ZhF h{DQ.
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1. 请解释下列名词 MIeU,KT#U
（1） 声子（2）布里渊区（3）螺旋轴（4）晶体色心（5）结构因子 HYD'.uj
2. 试推导体心格子的消光规律 ,a{P4Bq
3. 画出含有两个化合物并包含共晶反应和包晶反应的二元相图，注明相应的共晶和包晶反应的成分点和温度 DD+7V@
4. 简述相图在晶体生长中的应用 8? B! 2
5. 简述影响多晶X射线衍射强度的因素 0I-9nuw,^;
6. 试列出三种重要的功能材料并简述其性能 m^!Z_]A![
7.某立方晶系化合物，晶胞参数ａ=4.00A，晶胞中顶点位置为Ti4+所占，体心位置为Sr2+所占，所有棱心位置为O2-所占。 L81ZbNU?$
（1）用分数坐标表示诸离子在晶胞中的位置(3分)
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（2）写出此晶体的化学组成（分子式）(3分) :_
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（3）计算该晶体前三条衍射线的d值（5分） PV.X z0@R
（4）指出Ti4+和Sr2+的配位数（4分） <VMGTBVQ
（5）计算Ti-O和Sr-O键长（5分） F/,NDZN
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2002年第二期博士入学考试专业基础试卷 >4x( e\B
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（每题20分，任选5题，也可全做） Fk&c=V;SU
1. 请解释下列名词 Y,qI@n<
（1） 二级相变（2）布里渊区（3）滑移面（4）无公度结构（5）结构因子 h ]5(].
2. 试推导一种底心格子的消光规律 nUaJz
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3. 请举例说明固溶体的类型及其测定方法 g i3F`
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4. 简述相图在晶体生长中的应用 x;O[c3 I
5. 请简述晶体中的主要缺陷 ~ gJwW+
6. 试列出三种重要的功能材料并简述其性能 i]c!~`
7.某立方晶系化合物，晶胞参数ａ=4.00A，晶胞中顶点位置为Ti4+所占，体心位置为Sr2+所占，所有棱心位置为O2-所占。 ,hDW Ps2S
（1）用分数坐标表示诸离子在晶胞中的位置(3分) IV~>I-rd
（2）写出此晶体的化学组成（分子式）(3分) N@4w!
HpJ
（3）计算该晶体前三条衍射线的d值（5分） mX"oW_EK
（4）指出Ti4+和Sr2+的配位数（4分） RXMISt3+{y
（5）计算Ti-O和Sr-O键长（5分） df8k7D;~e
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2001年第二期招收博士研究生入学考试试题 @,
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第一部分： P7bMI e
（共6题，选做4题，每题15分，总计60分。这部分只能选做4题，如超出规定范围，阅卷时按前4题计分。） Rxt^v+ ,$
1.写出七大晶系，并指出每一晶系包含哪几种布拉伐格子（Bravais Iattice）. e-/&$Qq
2.怎样用能带论来理解导体、绝缘体、及半导体之间的区别？
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3.简单推导布洛赫（Bloch）定理。 h%na>G
4.对于一个二维正方格子，晶格常数为ａ， Ys9[5@7
? 在其倒空间画图标出第一、第二和第三布里渊区； ,$ L4dF3
? 画出第一布里渊区中各种不同能量处的等能面曲线； ='r!g
? 画出其态密度随能量变化的示意图。 un"Gozmt5
5.晶体中原子间共有多少种结合方式？简述它们各自的特点。
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6.推导低温及闲暇的热容量表达式（表示为温度、地摆温度、气体常数和必要的数学常数的函数）。 R Z?jJm$
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第二部分： MTh<|$
（共8题，选做5题，每题8分，总计40分。这部分只能选做5题，如超出规定范围，阅卷时按前五题计分。）
K=Z|/Kkh
1. 简述晶体中主要缺陷类型（至少答三种）。 A1$TXr
2. 在一维周期场近自由电子模型近似下，格点间距为ａ，请画出能带E(k)示意图，并说明能隙与哪些物理量有关。 \~mT]
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3. 简述大块磁体为什么会分成许多畴，为什么磁畴的分割不会无限进行下去？ Y=?3 js?O
4. 简述固体中的两种常见的光吸收过程和各自对应的跃迁。 ,.8KN<A2]'
5. 写出相律的表达式及其各参数的意义。 epe)a
6. 简述朗道能级的由来。哪一些物理现象与此有关？ 9!\B6=r y4
7. 简述半导体的导电机理，分析其电导率的温度关系？ !;v|' I
8. 简述超导体的两个主要特征。
