物理所2003年固体物理考博题！ [U\?+@E*
2003年第一期固体物理 Ze d Fhm
L9x-90'q,
第一部分 N<EVs.7
（共6题，选作4题，每题15分，共计60分；如多做，按前4题计分） R>Ra~ b
PnsBDf%v
1. 从成键的角度阐述 Ⅲ-Ⅴ 族和 Ⅱ-Ⅵ 族半导体为什么可以形成同一种结构:闪锌矿结构。 NnZW@ln"|
2. 请导出一维双原子链的色散关系，并讨论在长波极限时光学波和声学波的原子振动特点。 yD
WIflP0;
3. 从声子的概念出发，推导并解释为什么在一般晶体中的低温晶格热容量和热导率满足T3关系。 FLZ9pb[T
4. 设电子在一维弱周期势场V(x)中运动，其中V(x)= V(x+a)，按微扰论求出k=±π/a处的能隙。 i`,FXF)
5. 假设有一个理想的单层石墨片，其晶格振动有两个线性色散声学支和一个平方色散的声学支，分别是ω=c1k，ω=c2k，ω=c3k（其中c1，c2和c3(π/a)是同一量级的量，a是晶格常数）。 S_}`'Z )
1）试从Debye模型出发讨论这种晶体的低温声子比热的温度依赖关系，并作图定性表示其函数行为； W,q @ww u
2）已知石墨片中的每一个碳原子贡献一个电子，试定性讨论电子在k空间的填充情况及其对低温比热的贡献情况。 q5'S<qY^
6. 画出含有两个化合物并包含共晶反应和包晶反应的二元相图，注明相应的共晶和包晶反应的成分点和温度，写出共晶和包晶反应式。 GW2\YU^{
rk= D5E7
第二部分 .UyE|t4
（共9题，选做5题，每题8分，总计40分；如多做，按前5题计分） r8k (L{W
kmB!NxF>)F
1. 从导电载流子的起源来看，有几种半导体？ JJ.8V72;!Z
2. 举出3种元激发，并加以简单说明。 L i JYyp
3. 固体中存在哪几种抗磁性？铁磁性和反铁磁性是怎样形成的？铁磁和反铁磁材料在低温和高温下的磁化有什么特点？ _ 1"
ecaA
4. 简述固体光吸收过程的本证吸收、激子吸收及自由载流子吸收的特点，用光吸收的实验如何确定半导体的带隙宽度？ *4,Q9K_
5. 利用费米子统计和自由电子气体模型说明低温下的电子比热满足T线性关系。 +9)Jtm oL
6. 超导体的正常态和超导态的吉布斯自由能的差为μ0Hc2(T)，这里Hc是超导体的临界磁场，说明在无磁场时的超导相变是二级相变，而有磁场时的相变为一级相变。 ?H{[u rLn
7. 什么是霍耳效应？何时会出现量子霍耳效应？ 'r;mm^cS?
8. 假设一体心立方化合物的点阵常数为a，写出前5条衍射线的晶面间距d值。 gLiJ&H
9. 简述晶体中的各种缺陷。 '3.\+^3
J8|MK.oD
sJHVnMA
2003年博士入学考试专业基础试卷 }nx)|J*p
|OQ]F
1. 请解释下列名词 F^ q{[Z
（1） 声子（2）布里渊区（3）螺旋轴（4）晶体色心（5）结构因子 R|; BO:S1
2. 试推导体心格子的消光规律 f@*69a8
3. 画出含有两个化合物并包含共晶反应和包晶反应的二元相图，注明相应的共晶和包晶反应的成分点和温度 24sMX7Q,i
4. 简述相图在晶体生长中的应用 = ? sG~
5. 简述影响多晶X射线衍射强度的因素 }~FX!F#oU
6. 试列出三种重要的功能材料并简述其性能 N['DqS =
7.某立方晶系化合物，晶胞参数ａ=4.00A，晶胞中顶点位置为Ti4+所占，体心位置为Sr2+所占，所有棱心位置为O2-所占。 Pwh}hG1s a
（1）用分数坐标表示诸离子在晶胞中的位置(3分) rxCzPF
（2）写出此晶体的化学组成（分子式）(3分) S zo'[/
[R
（3）计算该晶体前三条衍射线的d值（5分） (qn= BP I
（4）指出Ti4+和Sr2+的配位数（4分） FW]tDGJOw
（5）计算Ti-O和Sr-O键长（5分） "ubp`7%67
2002年第二期博士入学考试专业基础试卷 w[~G^x&
\"P{8<h.3
（每题20分，任选5题，也可全做） *^>"
h@J
1. 请解释下列名词 R 'B
B-
（1） 二级相变（2）布里渊区（3）滑移面（4）无公度结构（5）结构因子 T"wg/m T
2. 试推导一种底心格子的消光规律 '%$Vmf)=
3. 请举例说明固溶体的类型及其测定方法 h nydH-;cz
4. 简述相图在晶体生长中的应用 \w9}O2
lL
5. 请简述晶体中的主要缺陷 6St= r)_
6. 试列出三种重要的功能材料并简述其性能 ZL|aB886
7.某立方晶系化合物，晶胞参数ａ=4.00A，晶胞中顶点位置为Ti4+所占，体心位置为Sr2+所占，所有棱心位置为O2-所占。 n 0!8 )Sth
（1）用分数坐标表示诸离子在晶胞中的位置(3分) c *KE3:
（2）写出此晶体的化学组成（分子式）(3分) zs$r>rlO
（3）计算该晶体前三条衍射线的d值（5分） {}$9
70y
（4）指出Ti4+和Sr2+的配位数（4分） <G})$f'x2
（5）计算Ti-O和Sr-O键长（5分） 2D 4,#X
2001年第二期招收博士研究生入学考试试题 JCWTB`EB>
96WzgHPWo
第一部分： fWHvVyQ.
（共6题，选做4题，每题15分，总计60分。这部分只能选做4题，如超出规定范围，阅卷时按前4题计分。） _i_='dsyW/
1.写出七大晶系，并指出每一晶系包含哪几种布拉伐格子（Bravais Iattice）. C% -Tw]T$_
2.怎样用能带论来理解导体、绝缘体、及半导体之间的区别？ 5c- P lm%
3.简单推导布洛赫（Bloch）定理。 Q)7 5?mn
4.对于一个二维正方格子，晶格常数为ａ， \Qml~?$@lH
在其倒空间画图标出第一、第二和第三布里渊区； "vGh/sXW
画出第一布里渊区中各种不同能量处的等能面曲线； i/:L^SQAq
画出其态密度随能量变化的示意图。 ]4aPn
5.晶体中原子间共有多少种结合方式？简述它们各自的特点。 <AgB"y@
6.推导低温及闲暇的热容量表达式（表示为温度、地摆温度、气体常数和必要的数学常数的函数）。 <83Ky;ry
_8G
w Mj
@O"7@%nu
tN#C.M7.'7
第二部分： /@:X0}L
（共8题，选做5题，每题8分，总计40分。这部分只能选做5题，如超出规定范围，阅卷时按前五题计分。） a (U52dO,
1. 简述晶体中主要缺陷类型（至少答三种）。 S:1[CNL;
2. 在一维周期场近自由电子模型近似下，格点间距为ａ，请画出能带E(k)示意图，并说明能隙与哪些物理量有关。 }rQ Qe:{]B
3. 简述大块磁体为什么会分成许多畴，为什么磁畴的分割不会无限进行下去？ <]Td7-n
4. 简述固体中的两种常见的光吸收过程和各自对应的跃迁。 k>&cHCS`*
5. 写出相律的表达式及其各参数的意义。 \,S |>CPQ
6. 简述朗道能级的由来。哪一些物理现象与此有关？ 8LV6E5Q
7. 简述半导体的导电机理，分析其电导率的温度关系？ @=kg K[t
9
8. 简述超导体的两个主要特征。
