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主题 : 中科院物理考博-2006固体物理试题
级别: 初级博友
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楼主  发表于: 2008-10-22   

中科院物理考博-2006固体物理试题

中国科学院物理研究所 H;1}Nvvd  
2006年招收博士研究生入学考试试题 oDa{HP\O]W  
考试科目:固体物理 $(U|JR@  
1.填空题 -s"lW 7N^  
①.NaCl 石墨 铜 钠 其中一个的点群与其它不同是 1S.~-K*X  
②.在低温,金刚石比热与温度的关系是 8n?.w:Y/  
③.高压晶体体积变小,能带宽度会 HJmO+  
④.石墨中原子之间通过 键结合成固体。 r;z A `  
2.推导bloch定理;写出理想情况下表面态的波函数的表达式,并说明各项的特点。 ,H*3_c&Q  
3.推导出一维双原子的色散关系。 30@ GFaab  
4.在紧束缚近似条件下,求解周期势场中的波函数和能量本征值。 #eYVZ=E  
5.某面心立方晶体,其点阵常数为a Pp2 ) P7  
①画出晶胞,(1,1,1),(2,2,0),(1,1,3)晶面; zKNk(/y  
②计算三面的面间距; JN_# [S$  
③ 说明为什么(1,0,0)晶面衍射强度为零。 e 3K  
6. 重费米系统、接触电势、安德森转变。 1*fA>v  
7.为什么金属电子自由程是有限的但又远远大于原子间距? U{EW +>  
8.硅本征载流子浓度为9.65×109cm-3,导带有效密度为2.86×1019cm-3,若掺入每立方厘米1016的As原子,计算载流子浓度。 }wV rmDh \  
9.磁畴 9!LAAE`  
10.原激发 w8qI7/  
11.对理想金属可以认为其介电常数虚部为零。请以Al为例,给出理想金属对的反射率R随频率的变化(公式、频率值、示意图) :Lx]`dSk  
12.分析说明小角晶界的角度和位错的间距的关系,写出表达式。 :R)IaJ6)  
13.试通过数据说明,为什么处理硅、锗等半导体的可见光吸收时,采用垂直跃迁的近似是合理的。  <CFu r  
14.试根据超导B=0,推导出超导临界温度和外加磁场的定性关系。 tz,FK ;8  
15.论述固体内部的位错类型,并且画出示意图。
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